专业英语1-20100310.ppt

课程目的 基础英语科技英语专业英语 能力培养 阅读能力 写作能力 听说能力 说明：英语是现代社会三个基本工具之一，必须掌握。 （了解国际动态、学习先进技术； 外资企业工作语言。） 但是应该明确目的：用好工具，不是研究英语。,阅读能力：专业词汇、基本语法、专业知识； 阅读材料选取：结合专业、难度适中； 阅读方式：精读、泛读相结合。 写作能力：论文、技术总结； 将中译本内容翻译为英文，与英语原文对比。 考核方式：课堂作业（20%）、考试（80%） 教材：“微电子技术专业英语” 西安电子科技大学,推荐采用合适的字典 “英汉科学技术词典” 清华大学外语系“英汉科学技术词典”编写组编 国防工业出版社 “Longman Dictionary of Contemporary English” (朗文当代英语词典） 外语教学与研究出版社 网络字典： 有道字典：/,提高专业英语阅读、翻译能力的 基本要素 1、专业词汇 2、基本语法关系 3、结合专业内容,1、专业词汇 特别注意行业内的普遍认可的名称。 The majority of bipolar transistors used in ICs are of the npn type because the higher mobility of minority carriers (electrons) in the base region results in higher speed performance than can be obtained with pnp types. IC中所用双极晶体管大多数是NPN型的，因为它在基区中少数载体（电子）的更高移动性产生比PNP型所能得到的更高速度的性能。 应改为：IC中所用双极晶体管大多数是NPN型的，因为基区中少数载流子（电子）具有较高的迁移率，使NPN晶体管的速度性能高于PNP晶体管。,1、专业词汇 特别注意行业内的普遍认可的名称。 Next, a high-temperature (1100C) drive-in step forms the n+-buried layer, which has a typical sheet resistance of 20/. 接着，一个高温（约为1100）驱入步骤形成N+埋入层，它具有典型的平板电阻20/。 (注：此处原书似有误，此处“”似应为cm3，后面同。-译者注) 应改为：然后采用高温（约为1100）再分布步骤形成N+埋层，其方块电阻典型值为20/。 （说明：符号“”是正确的，并不错） Figure 2.33b shows a cross-sectional view of the device after the epitaxial process. 图2-33b示出了外延过程之后，器件的交叉区视图。 建议改为：图2-33b显示的是经过外延工艺之后的器件剖面图。,1、专业词汇 特别注意行业内的普遍认可的名称。 The conventional MOS isolation process has some disadvantages that make it unsuitable for deep-submicrometer (0.25m) fabrication. 传统MOS隔离过程具有一些劣势，这使之不适合于深度次微米(0.25m)制造 应改为：传统MOS隔离工艺具有一些缺点，使其不适合于深亚微米(0.25m)制造 To control the formation of such defects, special inline monitoring techniques are required. 为了控制这种缺陷的形成，就要求有特殊的内嵌（inline）监控技术。 应改为：为了控制这些缺陷的形成，要求采用特殊的在线（inline）监控技术。,1、专业词汇 特别注意应该使用行业内的普遍认可的名称。,(P89)图3-20 互连接层的基本测试结构 (a)迂回结构 (b)双峰结构,应改为：图3-20 互连层基本测试结构 (a)蛇状结构(b)双梳状结构,2、基本语法关系 分析语法关系是为了帮助正确理解内容，不能为了追求语法细节而分析语法。 In this section we discuss the physical effects that are exploited in those semiconductor memories that can retain stored data after power supplies are disconnected, and where the stored data can be modified. 该句有5个谓语，分析从句关系有助于理解内容。 本节讨论具有下述特点的半导体存储器中采用的物理效应：这种存储器在切断电源后仍然能保留业已存储的数据，而且其中存储的数据可以被修改。,3、结合专业内容 Hence carriers move away from the junctions after injection by diffusion and the action of any fields built in by variable doping. 提示：如果根据其位置关系分析，可能认为“by diffusion and the action of any fields”是修饰直接位于其前面的“injection”。但是基于物理含义分析，应该修饰“move”。这是专业英语中经常出现的问题，即如果对物理含义不是很清楚，在翻译时出现的错误不是语法问题，而是违背了物理含义；“by variable doping”修饰其前面的“built in”。 全句可翻译为：因此，载流子在注入以后将通过扩散的方式离开结，如果（基区）杂质分布不均匀还会受到自建电场的作用。,3、结合专业内容 The associated delay times are found by dividing the charge that must be moved by the current that moves it. 提示：根据物理含义分析，“by the current”应该是修饰动名词dividing（表示数学运算中的“除”），表示用来除“the charge”。如果从语法角度分析，可以认为“by the current”修饰直接位于其前面的moved，但是如果这样翻译成汉语，尽管不应该说语法错误，但是物理含义不对；句子两个that均是引导定语从句，分别修饰各自前面的名词charge和current。 全句可翻译为：用必须被移开的电荷除以用于移动电荷的电流，就得到相应的延迟时间。,3、结合专业内容 When passing current all devices have been found to have low-frequency noise power in excess of the value predicted by 4kTRdf. 提示：“by 4kTRdf”修饰“predicted”表示预计值为4kTRdf，而不是修饰“in excess of”表示超过的大小为4kTRdf。如果仅仅从英语语法考虑，上述两种修饰关系均有可能。但是结合物理含义分析，只能理解为修饰“predicted”，否则翻译出的语句出现物理含义错误。 全句可翻译为：业已发现，在有电流通过时，所有器件都具有比预计值4kTRdf大的低频噪声功率。,The intrinsic carrier concentration for silicon at T = 300 K may be calculated by using the effective density of states function values from Table 4.1. The value of ni calculated from Equation (4.8) for Eg = 1.12 eV is ni = 6.95 109 cm-3. The commonly accepted value of ni for silicon at T = 300 K is approximately 1.5 1010 cm-3. This discrepancy may arise from several sources. First, the values of the effective masses are determined at a low temperature. Since the effective mass is an experimentally determined parameter, and since the effective mass is a measure of how well a particle moves in a crystal, this parameter may be a slight function of temperature. Next, the density of states function for a semiconductor was obtained by generalizing the model of an electron in a three-dimensional infinite potential well. This theoretical fun