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文档简介

微互连技术之,引线键合技术,微互联技术,引线键合技术(WB),引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。,提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。,引线键合技术作用机理,引线键合技术分类,常用引线键合方式有三种： 热压键合 超声键合 热超声波（金丝球）键,热压键合作用机理,利用加压和加热，使金属丝与焊区接触面原子间达到原子引力范围，实现键合。一端是球形，一端是楔形 ，常用于Au丝键合。,压头下降，焊球被锁定在端部中央,压头上升,压头高速运动到第二键合点，形成弧形,在压力、温度的作用下形成连接,1,4,3,2,第 一 键 合 点 的 形 状,在压力、温度作用下形成第二点连接,压头上升至一定位置，送出尾丝,引燃电弧，形成焊球进入下一键合循环,夹住引线，拉断尾丝,5,6,7,8,第二键合点,契形焊点,丝球焊点形状,球形焊点,热压球焊点的外观,超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 热超声键合（金丝球）：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。,超声键合作用机理,1. 定位（第一次键合）,超声键合法工艺过程,超声键合实物图,引线键合接点外形,采用导线键合的芯片互连,引线键合技术实例,低成本、高可靠、高产量等特点使得WB成为芯片互连主要工艺方法，用于下列封装: 陶瓷和塑料BGA、S
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