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文档简介

三、系统组装维护:内存,0. 本章知识脉络,内存技术发展简史 内存的性能指标 内存品牌与选购,1. 内存技术发展简史,80286时代 9片30pin DIP芯片构成的FPM DRAM(快页式内存) 存取速度60ns,工作电压5V 386、486时代 EDO内存(Extended Data Out)扩展数据输出内存 存取速度40ns,工作电压3.3V 内存条金手指数量有72线和168线两种,1. 内存技术发展简史,PentiumPentium 4 以前 SDRAM(Synchronous Dynamic RAM ) 同步动态内存 自此时起,内存的工作频率=CPU外频 PC66、PC100、PC133 168线、3.3V电压、可单条、多条组合使用,1. 内存技术发展简史,RDRAM 与 DDR RAM 之争 随着Pentium 4平台的发布,Intel为了达到独占市场的目的,与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存(称为RDRAM内存)。 SDRAM不同的是,其采用了新一代高速简单内存架构,可以减少数据的复杂性,使得整个系统性能得到提高。 RDRAM在时钟上下沿均可传输数据,使用400MHz 16位总线,实际速度可达800MHz,1. 内存技术发展简史,RDRAM 与 DDR RAM 之争 由于RDRAM的工艺复杂,导致价格过高,而且Rambus公司还要收取相应的版权收费。于是其它厂家根据Rambus双向脉冲的特点,提出了DDR SDRAM,也就是我们现在最主流的内存条 DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR,也就是“双倍速率SDRAM”的意思 DDR生产成本低,性能好,很快占据了市场 二者的竞争以RDRAM的失败而告终,1. 内存技术发展简史,DDR内存主要特性 金手指数目:184 工作电压 :2.5V 工作频率 :DDR200、DDR266、DDR333、 DDR400、DDR533,1. 内存技术发展简史,DDR 2 由于采用4位预取技术,可在一个时钟周期内处理4位数据,因此DDR2的速度又是DDR的两倍 金手指数目:240 工作电压 :1.8V 工作频率 :DDR400、DDR1000、DDR1066,2. 内存的性能指标,容量 tCK 时钟周期 标志内存的存取速度,单位是纳秒,DDR可达10ns CAS Latency简称CL 标志内存的“定位”速度 SPD芯片 存储内存容量、厂商、参数等的EEPROM芯片 ECC校验 循环冗余校验,2. 内存的性能指标,总线频率和数据带宽 总线宽度是指内存同时传输数据的位数, 以bit为单位 数据带宽=(总线频率总线宽度)/8 数据带宽的单位通常是GB/s 或 MB/s 如某DDR内存总线宽度为64bits 总线频率为400MHz 则其数据带宽=( 40064 )/8=3.2GB/s 该参数标志着内存一秒钟和CPU传输的最大数据量,2. 内存的性能指标,双通道 两条同容量同型号内存“并联” 扩展数据线宽度 例,某型号64位 Pentium 4 CPU FSB=800MHz 前端数据带宽可达6.4GB/s 若使用64位的DDR400内存,单条带宽为3.2GB/s 则不能充分发挥CPU的性能 若使用两条该内存,数据线宽度变为128bit 则刚好满足6.4GB/s的带宽需求 双通道需要主板

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