部分电缆EMC设计.ppt

杨继深 2002年4月 电话第七部分 电缆的EMC设计,场在导线中感应的噪声 电缆之间的串扰,杨继深 2002年4月 电话电磁场在导体上感应的电压,E,V = Ed,d,V,V,V = d/dt,杨继深 2002年4月 电话处于电磁场中的电缆,信号线和回流线在一根电缆中,用地线面作回流线,共模电流,差模电压,不平衡,直接产生差模电压,S,h,杨继深 2002年4月 电话电磁场在电缆中的感应噪声以共模为主,信号线与回线几乎处于同一电场环境中，差模电压很小。 信号线与回线所形成的面积很小，所包围磁通量很少。,杨继深 2002年4月 电话电磁场在电缆上的感应电压,10kHz 100kHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz 10GHz,0,-10,-20,-30,-40,-50,A,B,C,D,E,高度= 0.5m 长度：A = 100m B = 30m C = 10m D = 3m E = 1m,与 长度、高度 无关,dBV,1V/m场强产生的电压,杨继深 2002年4月 电话电磁场干扰的对策,平衡电路 共模滤波 电缆屏蔽,杨继深 2002年4月 电话平衡电路的抗干扰特性,电磁场,V1,V2,I1,I2,VD,平衡性好坏用共模抑制比表示： CMRR = 20lg ( VC / VD ),VC,高频时，由于寄生参数的影响，平衡性会降低,杨继深 2002年4月 电话提高共模干扰抑制的方法,平衡电路,屏蔽电缆,共模扼流圈,平衡电路,CMRR,CMRR,f,f,杨继深 2002年4月 电话非平衡转换为平衡,杨继深 2002年4月 电话屏蔽电缆的评估,CM,CM,接收环路,I,屏蔽层与芯线之间的互感,杨继深 2002年4月 电话屏蔽低频电场,0V,电缆长度 /20，单点接地,电缆长度 /20，多点接地,杨继深 2002年4月 电话对付低频磁场的有效方法,理想同轴线的信号电流与回流等效为在几何上重合，因 此电缆上的回路面积为0，整个回路面积仅有两端的部分,杨继深 2002年4月 电话屏蔽电缆减小磁场影响,VS,VS,VS,只有两端接地的屏蔽层才能 屏蔽磁场,杨继深 2002年4月 电话地环路的危害,100,1M,1M,1M,100,100,每米18节,(A),(B),(D),(E),(C),0,27,13,13,28,1M,1M,100,100,杨继深 2002年4月 电话消除地环路的效果,100,1M,1M,1M,100,100,每米18节,(F),(G),(I),(J),(H),80,55,70,63,77,1M,1M,100,100,杨继深 2002年4月 电话C与D的实验数据说明,设：总电磁场为1000，其中磁场为999，电场为1， 双绞线的磁场抑制效果为：20lg(1000/230) 13 dB 单端接地的屏蔽层的效果：20lg(230/229) 0 dB,双绞线,单端接地屏蔽层,杨继深 2002年4月 电话G与H的实验数据说明,设：总电磁场为1000，其中磁场为999，电场为1， 双绞线的磁场抑制效果为：20lg(1000/1.3) 58 dB 单端接地的屏蔽层的效果：20lg(1.3/0.3) 13 dB,双绞线,单端接地屏蔽层,杨继深 2002年4月 电话导线之间两种串扰机理,M,C,IC,IC,IL,IL,R0,RL,R2G,R2L,杨继深 2002年4月 电话耦合方式的粗略判断,ZSZL 10002： 电场耦合为主 3002 ZSZL 10002：取决于几何结构和频率,杨继深 2002年4月 电话电容耦合模型,C12,C1G,C2G,R,C1G,C2G,C12,R,VN ,V1,V1,j C12 / ( C12 + C2G),j + 1 / R ( C12 + C2G),V1,VN,杨继深 2002年4月 电话耦合公式化简,R 1 / j ( C12 + C2G ),j C12 / ( C12 + C2G),j + 1 / R ( C12 + C2G),V1,VN ,VN = j R C12 V1,R 1 / j ( C12 + C2G ),VN = V1 C12 / ( C12 + C2G ) ,杨继深 2002年4月 电话电容耦合与频率的关系,耦合电压,VN = j RC12V1,C12V1,(C12 + C2G),VN =,1 / R (C12 + C2G),频率 ,杨继深 2002年4月 电话屏蔽对电容耦合的影响全屏蔽,屏蔽层不接地：VN = VS =V1 C1S / ( C1S + CSG ) ，与无屏蔽相同 屏蔽层接地时：VN = VS = 0， 具有理想的屏蔽效果,C1s,C1G,CsG,C1G,CSG,C1s,Vs,V1,V1,Vs,C2S,杨继深 2002年4月 电话部分屏蔽对电容耦合的效果,R 很大时：VN = V1 C12 / ( C12 + C2G + C2S ) ,C1s,C1G,CsG,CSG,C1s,VN,V1,V1,VN,C2S,C12,C12,C2G,R 很小时：VN = jRC12,杨继深 2002年4月 电话互电感定义与计算,定义： 自感L 1 / I1 ， 互感 M 12 / I1, 1 是电流I1在回路1中产生的磁通， 12 是电流I1在回路2中产生的磁通,回路1,回路2,a,b,a,M = （ / 2 ）lnb2/（b2- a2）,减小M的方法：回路1用双绞线或同轴线，减小回路2的面积，增加两 个回路的距离,杨继深 2002年4月 电话电感耦合,M,R2,R,R1,R,R2,VN d12 / dt = d(MI1)/dt = M dI1 / dt,R1,I1,VN,I1,VN,V1,V1,杨继深 2002年4月 电话电感耦合与电容耦合的判别,IN = j C12V1,R2,R1,V,V,VN = j M12 I1,R2,R1,电容耦合,电感耦合,杨继深 2002年4月 电话非磁性屏蔽对电感耦合的影响,I1,M1S,M12,关键看互感是否由于屏蔽措施而发生了改变,杨继深 2002年4月 电话双端接地屏蔽层的分析,M1S,M12,MS2,+ -,- +,V12,VS2,导体1,导体2,屏蔽体,V12 = j M12 I1 VS2 = j MS2 IS VN = V12 + VS2,I1,IS,求解这项,这就是屏蔽的效果,杨继深 2002年4月 电话VS2项求解,+,+,+,+,+,+,+,+,+,LS = / IS MS2 = / IS 因此：LS = MS2,导体2,屏蔽层,VS2 = j MS2 I S = j MS2 ( V S / ZS) = j LS V S / ( jLS+RS ) = VS j / ( j+RS/LS),杨继深 2002年4月 电话屏蔽后的耦合电压,VN = V12 + VS2,V12 = j M12I1 VS = j M1SI1 因为：M12 = M1S 所以：VS = j M12I1 所以：VS2 = j M12I1 j / ( j+RS