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文档简介

晶体结构缺陷,点缺陷,点缺陷的名称,无机非金属材料中最重要也是最基本的结构缺陷是点缺陷。根据点缺陷相对于理想晶格位置的偏差状态,点缺陷具有不同的名称: 填隙原子(或离子):指原子(或离子)进入正常格点位置之间的间隙位置,成为填隙原子(离子); 空位:正常结点位置出现的原子或离子空缺; 杂质原子(离子):晶体组分以外的原子进入晶格中,即为杂质。杂质原子可以取代晶体中正常格点位置上的原子(离子),称为置换原子(离子);也可进入正常格点位置之间的间隙位置,成为填隙的杂质原子(离子)。,点缺陷类型,热缺陷(本征缺陷) 杂质缺陷(非本征缺陷) 非化学计量结构缺陷(非整比化合物),热缺陷的定义,当晶体的温度高于绝对零度时,晶格内原子吸收能量,在其平衡位置附近热振动。温度越高,热振动幅度加大,原子的平均动能随之增加。热振动的原子在某一瞬间可以获得较大的能量,挣脱周围质点的作用,离开平衡位置,进入到晶格内的其它位置,而在原来的平衡格点位置上留下空位。这种由于晶体内部质点热运动而形成的缺陷称为热缺陷。,热缺陷类型,按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置,热缺陷以此分为 二类: 1. 弗伦克尔缺陷(Frenkel) 离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置,晶体中形成了弗伦克尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现,晶体体积不发生变化,晶体不会因为出现空位而产生密度变化。 2. 肖特基缺陷(Schottky) 离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置,而晶体内仅留有空位,晶体中形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原子层,晶体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀,密度下降。,杂质缺陷,外来原子进入主晶格(即原有晶体点阵)而产生的结构为杂质缺陷。 点缺陷杂质原子无论进入晶格间隙的位置或取代主晶格原子,都必须在晶格中随机分布,不形成特定的结构。杂质原子在主晶格中的分布可以比喻成溶质在溶剂中的分散,称之为固溶体。 晶体的杂质缺陷浓度仅取决于加入到晶体中的杂质含量,而与温度无关,这是杂质缺陷形成(非本征缺陷)与热缺陷形成(本征缺陷)的重要区别。,非化学计量结构缺陷,原子或离子晶体化合物中,可以不遵守化合物的整数比或化学计量关系的准则,即同一种物质的组成可以在一定范围内变动。相应的结构称为非化学计量结构缺陷,也称为非化学计量化合物。非化学计量结构缺陷中存在的多价态元素保持了化合物的电价平衡。 非化学计量结构缺陷的形成: 组成中有多价态元素组分,如过渡金属氧化物; 环境气氛和压力的变化。,点缺陷的表示法, 中性 点缺陷所带的有效电荷 正电荷 / 负电荷 点缺陷的名称 点缺陷在晶体中占的位置,MX二价离子晶体中的点缺陷 (M为二价正离子,X为二价负离子),空位: 填隙离子: 杂质离子:R2+离子进入晶格间隙位置 N3+离子置换M2+离子 缔和中心:,点缺陷化学反应方程,缺陷反应和化学反应一样,可以写成反应方程式。写点缺陷方程式必须遵循以下一些基本规则: 晶格位置平衡 质量平衡 电荷平衡,AgBr 晶体的弗伦克尔缺陷(银离子): 氯化钠晶体的肖特基缺陷:,CaCl2杂质溶入KCl晶体,可以写出三种缺陷反应方程: KCl 晶体属NaCl结构类型,氯离子作面心立方密堆积,钾离子占据所有的八面体空隙,晶体结构中仅有四面体空隙。从结晶学角度衡量,氯离子很难进入这些间隙位置。如果出现填隙钙离子和钾离子空位,钙离子的半径较大,进入四面体间隙位置需要克服很高的势垒

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