《电性能vs失效分析》PPT课件.ppt

电性能参数与产线异常关系,太阳能电池主要依靠P-N结光生伏打效应来工作，当P型半导体和N型半导体紧密结合成一块时，两者交接处就形成了P-N结， 设两块均匀掺杂质的P型硅和N型硅其掺杂浓度为NA ND。 在室温下，硼，磷原子全部电离，因而在P型硅中均匀分布着浓度为Pp的空穴（多子）及浓度为Np的电子（少子）。在N型硅中类似的均匀分布着浓度为Nn的电子（多子）及浓度为Pn的空穴（少子）。当P型硅和N型硅相互接触时，交界面两侧的电子和空穴浓度不同，于是界面附近电子将通过界面向下扩散运动，当它达到平衡时，于是界两侧正，负电荷区形成一电偶层，称为阻挡层。因为电偶层中的电子或空穴几乎流失或复合殆尽，所以又称阻挡层为耗尽层，又因为阻挡层中充满了固定电荷，故此又称空间电荷区，其中存在由N区指向P区的电场，称为“内建电场”，显然，在内建电场作用下，将产生空穴向右，而电子向左的漂移，其方向正好与扩散方向相反,太阳能电池的工作原理,开路电压,I = 0,R = ,+ _,V = VOC,I = ISC,R = 0,短路电路,(0.5V, 0 mA) V I = 0 mW,(0.43 V, 142 mA) V I = 61 mW,ISC,VOC,PMAX,Some typical values,实物图,ISC,RS,RSH,RLOAD,Cell,ISC,RS = 0,RSH = ,RLOAD,理想情况,图中RS即为串联电阻：包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等 Rsh为旁漏电阻即为并联电阻，为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起,等效电路图,图中RS即为串联电阻：包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等 Rsh为旁漏电阻即为并联电阻，为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起,电参数介绍,Uoc:开路电压 Isc：短路电流 Rs：串联电阻 Rsh：并联电阻 FF：填充因子 Pmpp：最大功率 Umpp：最大功率点电压 Impp：最大功率点电流 Irev1：反向电流1(-10V) Irev2：反向电流2(-12V) Ncell：转换效率,Rs = dU/(Isc1-Isc2),主界面,主要参数,各个参数之间的关系,在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。 Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流Impp Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况 Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率 Irev1为电压为-10V时的反向电流 Irev2为电压为-12V时的反向电流 Rs和Rsh决定FF Rsh和Irev1、 Irev2有对应的关系 计算公式： Ncell= Pmpp/S（硅片面积） Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF FF=（Umpp*Impp）/（Uoc*Isc）,电流与辐照度的关系,在理想的条件下，入射到电池表面能量大于材料禁带宽度的每一个光子产生一个电子流过外电路。在一般状况下，辐射照度越大，电流越高。对于晶体硅太阳电池，辐射照度从0上升到4000W/m2，短路电流一直成上升趋势，而且几乎成线形上升。,电流、电压与温度的关系,太阳电池的短路电流并不强烈地依赖温度。随着温度上升，短路电流略有增加。这是由于半导体禁带宽度通常随温度的上升而减小使得光吸收随之增加的缘故。电池的其他参数，开路电压和填充因子都随着温度上升而减小。温度每升高1，晶体硅太阳电池的Voc将约下降0.4%。Voc的显著变化导致输出功率和效率随温度升高而下降，每升高1，晶体硅太阳电池的输出功率将减少0.4%0.5%。注意事项：及时检查温度及光强是否符合要求。,测试外部参数影响,正常测试温度为252，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低 正常光强为100050W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低,氙灯,氙灯罩,氙灯发生器,常见的低效电性能参数,1.Rsh=0 上下探针直接导通，产生情况：碎片、隐裂片,2.Rs=1000000 通常是探针没有压下，未测到片子，产生情况：校片，设备维修,丝网低效片产生,涉及公司利益机密 已删除,3.二道铝粉污染,刻蚀时放反,PE时放反,黑芯片,转换效率的影响因素,串阻Rs组成,测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成： 1.材料体电阻（可以认为电阻率为的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等 烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻； 5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值； 6属于外部测试因素，也会导致Rs变化,Rs影响因素,探针脏,探针寿命到期,是,是,是,是,并阻Rsh组成,测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定 边缘漏电主要由以下几个方面决定： 边缘刻蚀不彻底 硅片边缘污染 边缘过刻 体内漏电主要几个方面决定 方阻和烧结的不匹配导致的烧穿 由于铝粉的沾污导致的烧穿 严重 片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电 工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等,Rsh影响因素,Uoc影响因素,Isc影响因素,丝网印刷工艺过程常见问题处理,一、翘曲： 1.硅片太薄 控制原始硅片厚度 2.印刷铝浆太厚 控制铝浆重量 3.烧结温度过高 调整烧结炉4、5、6、7区温度 4.烧结炉冷却区冷却效果不好 查看风扇状况、进出水温度压力等 二、铝包： 1.烧结温度太高 调整烧结炉4、5、6、7区温度 2.印刷铝浆太薄 印刷铝浆重量加重 3.使用前浆料搅拌不充分 搅拌时间必须达到规定时间 4.铝浆印刷后烘干时间不够 增加烘干时间或提高烘干温度 5.烧结排风太小 增大烧结炉排风 6.烧结炉冷却区冷却效果不好 查看风扇状况、进出水温度压力等 三、虚印： 1.印刷压力太小 增大印刷压力 2.印刷板间距太大 减小板间距 3.印刷刮刀条不平 更换刮刀