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私立協志工商 99下 電子電路實習題庫命題教師賴榮正班級資三甲座號姓名 選擇題，共200題( C ) 1.小信號操作，其主要目標是 (A) 功率放大 (B) 穩定性佳 (C) 線性放大 (D) 頻率響應佳( B ) 2.小信號放大電路之直流工作點應設計於負載線之何位置上？(A) 飽和點(B) 中點(C) 截止點(D) 原點( C ) 3.有關小信號放大電路內的交連電容之敘述，下列何者錯誤？ (A) 可阻隔直流 (B) 可耦合交流信號 (C) 電容抗與輸入信號頻率無關 (D) 電容抗與輸入信號電壓無關( C ) 4.電晶體基極寬度調變特性，與下列參數何者有關？ (A) re (B) r (C) ro (D) gm( A ) 5.下列何者錯誤？(A) (B) r = (1+)re(C) (D) ic = gmvbe = ib = ie( C ) 6.電晶體小信號等效輸出電阻ro=？ (A) ro= (B) ro= (C) ro= (D) ro=( A ) 7.下列有關電晶體小信號等效輸入電阻rp與re之敘述，何者錯誤？ (A) rp= (B) re= (C) re= (D) reRC (B) RCre (C) REre (D) RE CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( B )28.小信號放大電路之輸出電阻大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( C )29.下列放大器何者可工作於較高頻率？ (A) 共集極放大器 (B) 共射極放大器 (C) 共基極放大器 (D) 以上皆是( D )30.關於射極隨耦器的說明，下列何者有誤？ (A) 為共集極組態 (B) 電壓增益大約等於1 (C) 一般用於阻抗匹配 (D) 電流增益大約等於1( A )31.小信號放大電路之輸入電阻大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( A )32.在電晶體放大器中，具有較低輸出阻抗的是 (A) 共集極放大器 (B) 共射極放大器 (C) 共基極放大器 (D) 以上皆是( B )33.下列敘述何者錯誤？ (A) 共射極組態中，輸出與輸入信號相位差180 (B) 共基極組態之頻寬較共射極組態為窄 (C) 共集極組態可作為阻抗匹配之用 (D) 共基極組態中，輸出與輸入信號相同( A )34.小信號放大電路之電流增益大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( C )35.某放大電路前級放大電路之增益為20dB，後級放大電路之增益為30dB，此放大電路之總增益為？ (A) 600dB (B) 20dB (C) 50dB (D) 30dB( D )36.有關電流增益Ai(dB)的定義，下列何者正確？ (A) Ai(dB)=10log|2Ai| (B) Ai(dB)=20log|Ai2| (C) Ai(dB)=10log|Ai| (D) Ai(dB)=20log|Ai|( D )37.有關電壓、電流、功率增益的關係，下列何者正確？ (A) Ap(dB)=20log|Ai|+20log|Av| (B) Ap(dB)=20log|Av|+10log (C) Ap(dB)=20log|Ai|+log (D) Ap(dB)=( C )38.一放大電路的輸出功率為10dBm，則功率為？ (A) 1mW (B) 2mW (C) 10mW (D) 100mW( B )39.電壓增益為100的放大電路，電流增益為10，則其功率增益為多少？ (A) 100 (B) 1000 (C) 10 (D) 10000( B )40.某一放大電路之輸入電壓為10mV，輸出電壓為1V，則該放大電路的放大倍率為？ (A) 100分貝 (B) 40分貝 (C) 20分貝 (D) 10分貝( B )41.設有一放大電路之輸入功率為10W，而其輸出功率為100mW，試求其功率增益為多少分貝？ (A) 10dB (B) 20dB (C) 20dB (D) 10dB( C )42.工程上常以dB（Decibels）表示放大率，下列有關dB的觀念何者錯誤？ (A) 串級放大電路總放大dB值為每一級放大dB值之和 (B) dB201og（倍數） (C) 若放大倍數小於1，則放大dB值1 (D) 若放大倍數等於1，則放大dB值0( C )43.有關功率增益Ap(dB)的定義，下列何者正確？ (A) Ap(dB)=10log|2Ap| (B) Ap(dB)=20log|Ap2| (C) Ap(dB)=10log|Ap| (D) Ap(dB)=20log|Ap|( C )44.已知圖 串級放大電路之電晶體很大，試以近似求解方法，求各級直流偏壓？ (A) IC1 = 1mA (B) VCE1 = 14V (C) IC2 = 1.7mA (D) VCE2 = 12V( B )45.同上題，總電壓增益約為？ (A) 15 (B) 23 (C) 50 (D) 72( A )46.在RC耦合串級放大電路中，電容C的值必須大的原因是？ (A) 防止低頻衰減 (B) 增加高頻響應 (C) 提高直流穩定度 (D) 提高消散功率( C )47.下列有關理想電壓放大電路的特性描述何者正確？ (A) 輸入電阻及輸出電阻皆為0 (B) 輸入電阻為0，輸出電阻為 (C) 輸入電阻為，輸出電阻為0 (D) 輸入電阻及輸出電阻皆為( C )48.有關RC耦合串級放大電路之敘述，下列何者正確？ (A) 耦合電容可耦合直流 (B) 耦合電容可阻隔交流信號 (C) 各級直流偏壓不會相互影響 (D) 電壓增益與直流偏壓無關( A )49.一放大電路的輸出電阻為5kW，欲使8W的揚聲器能與放大電路匹配，則須加變壓器匝數比為？ (A) 25 (B) 30 (C) 35 (D) 40( C )50.有關變壓器耦合串級放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 耦合變壓器可阻隔直流 (B) 耦合變壓器可耦合交流信號 (C) 各級直流偏壓會相互影響 (D) 理想變壓器不會消耗功率( D )51.有關變壓器耦合串級放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) Av1= (B) Av2= (C) Ri= (D) Ro=( A )52.圖 所示電路，若揚聲器要獲得最大功率，則變壓器圈數比N1：N2為何？ (A) 5：1 (B) 25：1 (C) 1：4 (D) 1：25( C )53.達靈頓放大器的電流增益為？ (A) b1 (B) b2 (C) b1b2 (D) b1+b2( D )54.疊接放大器的主要增益來自於？ (A) 第一級的共射極放大 (B) 第二級的共射極放大 (C) 第一級的共集極放大 (D) 第二級的共基極放大( C )55.有關直接耦合串級放大電路之敘述，下列何者正確？ (A) 耦合元件為變壓器 (B) 耦合元件為電容 (C) 各級直流偏壓會相互影響 (D) 各級直流偏壓可獨立設計( C )56.關於疊接放大電路，下列何者為其主要特點？ (A) 低輸入電阻 (B) 低輸出電阻 (C) 高增益頻寬 (D) 高電流增益( B )57.就達靈頓結構（Darlington-pair）而言？ (A) 輸出電阻低，電流增益等於1 (B) 輸出電阻低，電流增益甚高 (C) 輸出電阻高，電流增益亦甚高 (D) 輸出電阻高，電流增益小於1( C )58.疊接放大電路為何種型態串級放大？ (A) CBCE (B) CECE (C) CECB (D) CECC( D )59.何種串級放大之低頻響應最好？ (A) RC耦合串級放大 (B) 變壓器耦合串級放大 (C) 電感耦合串級放大 (D) 直接耦合串級放大( A )60.某一電路對於各種不同頻率的訊號，做不同的倍數放大，而引起的失真現象，稱為？ (A) 頻率失真 (B) 相位失真 (C) 波幅失真 (D) 交互調變失真( D )61.積體電路中所採用的放大電路耦合型態為？ (A) 電容耦合 (B) 變壓耦合 (C) 電感耦合 (D) 直接耦合( B )62.下列何種串級放大電路最易於電阻匹配？ (A) RC耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 直接耦合 (D) 電感耦合( D )63.一放大電路其輸入是10sin15t，輸出是25sin15t+5cos15t，則該放大電路具有？ (A) 頻率失真 (B) 相位失真 (C) 波幅失真 (D) 延遲失真( D )64.影響放大電路之高頻響應特性的是 (A) 耦合電容與旁路電容 (B) 只有耦合電容 (C) 只有旁路電容 (D) 電晶體極際電容( C )65.已知單級放大電路之頻寬為200kHz，若將相同之單級放大電路串接成兩級，則其頻寬約為？ (A) 64kHz (B) 100kHz (C) 128kHz (D) 200kHz( B )66.諧波失真又稱為 (A) 線性失真 (B) 振幅失真 (C) 相位失真 (D) 頻率失真( D )67.常用來表示電路頻率響應圖的是？ (A) 威爾遜圖 (B) 高斯圖 (C) 愷爾圖 (D) 波德圖( A )68.影響放大電路之低頻響應特性的是 (A) 耦合電容與旁路電容 (B) 只有耦合電容 (C) 只有旁路電容 (D) 電晶體極際電容( A )69.增強型MOSFET工作於夾止飽和區時，其輸出電流關係式為 (A) ID=k(VGSVGS(t)2 (B) ID=k(VGSVGS(t) (C) ID=k2(VGSVGS(t) (D) ID=(VGSVGS(t)( C )70.增強式MOSFET之VDS = 4V，元件參數k = 0.5mA/V2，臨界電壓VGS(t) = 2V，ID = 2mA，則VGS應為？ (A) 0V (B) 3V (C) 4V (D) 4.5V( A )71.已知某一E-MOSFET之導通電流ID = 1mA，若將其通道長度增為2倍，寬度增為2倍，則導通電流ID =？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D) 8mA( D )72.有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者錯誤？ (A) 一般可分成JFET及MOSFET二類 (B) 可分成N通道及P通道二種 (C) MOSFET又分成空乏型及增強型二種 (D) 輸入阻抗較雙極性電晶體為低( C )73.已知P通道增強型MOSFET工作於夾止飽和區，若VSG=4V，VSG(t)=2V，參數k=1mA/V2，則輸出電流ID=？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D) 6mA( D )74.增強型MOSFET臨界電壓VGS(t) = 2V，當VGS = 4V時，ID = 2mA，若VGS = 3V，則ID為？ (A) 3mA (B) 2mA (C) 1mA (D) 0.5mA( C )75.增強型MOSFET之物理結構參數與通道寬度與長度關係為 (A) k (B) kWL (C) k (D) k()2( A )76.空乏型MOSFET工作於夾止飽和區時，其輸出電流關係式為 (A) ID=IDSS(1)2 (B) ID=IDSS(1) (C) ID=I2DSS(1) (D) ID=k(1)2( B )77.下列元件，何者同時具有空乏特性與增強特性？ (A) JFET (B) D-MOSFET (C) E-MOSFET (D) BJT( C )78.有一空乏型MOSFET之IDSS = 12mA，VGS(p) = 4.8V，求VGS = 2.4V時，ID =？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA( B )79.下列金氧半場效電晶體元件之電路符號，何者不是N通道型式？ (A) (B) (C) (D) ( A )80.已知P通道空乏型MOSFET工作於夾止飽和區，若VGS=2V，VGS(p)=3V，參數IDSS=9mA，則ID=？ (A) 1mA (B) 3mA (C) 4.5mA (D) 9mA( A )81.N通道空乏型MOSFET欲工作於定電流區（夾止飽和區），則以下何者正確？ (A) VGD VGS(p) VGS(p) 0 (C) VGS(p) VGD 0 (D) VGS(p) VGD VGS(p)時ID最大 (C) (D) 其VGSID轉移曲線位於第一象限( C )87.已知N通道JFET工作於夾止飽和區，若VGS=1V，VGS(p)=3V，參數IDSS=9mA，則輸出電流ID=？ (A) 1mA (B) 3mA (C) 4mA (D) 9mA( B )88.下列何者不可採用自給偏壓法？ (A) N通道D-MOSFET (B) N通道E-MOSFET (C) N通道JFET (D) P通道D-MOSFET( C )89.N通道JFET的特性類同於 (A) N通道E-MOSFET (B) P通道E-MOSFET (C) N通道D-MOSFET (D) P通道D-MOSFET( B )90.下列何者非為正溫度係數？ (A) 金屬之電阻係數 (B) E-MOSFET之k值 (C) BJT之值 (D) 累增崩潰之電壓值( B )91.場效電晶體（FET）是利用？ (A) 磁場 (B) 電場 (C) 電磁場 (D) 壓電之效應控制電流的元件( C )92.以下何者非為FET的功用？ (A) 放大 (B) 開關 (C) 整流 (D) 電阻( D )93.下列敘述何者不正確？ (A) BJT電晶體為雙極性（bipolar）電晶體 (B) MOSFET電晶體為單極性（unipolar）電晶體 (C) 一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體閘極的輸入阻抗小 (D) MOSFET電晶體為一種電流控制元件( C )94.以下何者非為FET的特性？ (A) 單載子元件 (B) 電場控制元件 (C) 輸入電壓為0 (D) 易受靜電影響( D )95.以下何者非為FET的優於BJT的特性？ (A) 高輸入阻抗 (B) 負溫度特性 (C) 製造密度高 (D) 操作速度較快( A )96.下列哪一種元件是單靠一種載子來傳送電流？ (A) FET (B) 雙極性電晶體 (C) 二極體 (D) 電阻( B )97.有關JFET的參數，下列何者錯誤？ (A) gm=(1) (B) k= (C) gm= (D) IDQ=IDSS(1)2( C )98.已知P通道JFET工作於夾止飽和區，VGS = 2V，夾止電壓VGS(p) = 3V，飽和電流IDSS = 9mA，求小信號互導增益gm =？ (A) 9mA/V (B) 3mA/V (C) 2mA/V (D) 1mA/V( C )99.FET放大電路哪一端，不可作為輸出端？ (A) 源極 (B) 汲極 (C) 閘極 (D) 任一端皆可( C )100.FET放大電路之輸入端為源極端，則此電路為何種放大組態？ (A) 共源極（CS） (B) 共汲極（CD） (C) 共閘極（CG） (D) 視接地腳而定( A )101.JFET的輸入電阻很大是由於輸入為？ (A) 逆向偏壓 (B) 順向偏壓 (C) 絕緣材質 (D) 未加電壓( B )102.有關D-MOSFET的參數，下列何者錯誤？ (A) gm=(1) (B) k= (C) gm= (D) ro=( B )103.N通道E-MOSFET工作於夾止飽和區，VGS = 3V，VGS(t) = 2V，k = 2mA/V2，試求小信號互導增益gm =？ (A) 2mA/V (B) 4mA/V (C) 8mA/V (D) 18mA/V( D )104.下列何者不是FET小信號放大組態？ (A) CS組態 (B) CD組態 (C) CG組態 (D) CC組態( D )105.因輸出電壓Vds變化影響之FET通道長度調變特性稱為？ (A) 壓電效應 (B) 電磁感應 (C) 電流調變 (D) 歐力效應( D )106.有關E-MOSFET的參數，下列何者錯誤？ (A) gm=2k(VGSQVGS(t) (B) IDQ=k(VGSQVGS(t)2 (C) gm= (D) ro=( B )107.有旁路電容之共源極放大電路，gm=6、RD=5kW及RS=0.5kW，其電壓增益Av=？ (A) 30 (B) 7.5 (C) 3 (D) 33( C )108.無旁路電容之共源極放大電路，gm=3、RD=4kW及RS=1kW，其電壓增益Av=？ (A) 15 (B) 12 (C) 3 (D) 2.4( B )109.無源極電阻之共源極放大電路，gm=4及RD=2kW，其電壓增益Av=？ (A) 8 (B) 8 (C) 16 (D) 16( C )110.如圖 所示共源極放大器，若E-MOSFET之參數ro = 45k，gm = 2mA/V，則此電路的電壓增益為多少？ (A) 10 (B) 10 (C) 9 (D) 9( B )111.如圖 所示共源極放大器，若N通道JFET之參數ro = ，gm = 6mA/V，以下何者正確？ (A) Ri = 2k (B) Ro = 4k (C) Av = 24 (D) Av = 24( B )112.如圖所示 ，若JFET之參數ro = ，ID = 4mA，則此電路的電壓增益Av為多少？ (A) 4 (B) 12 (C) 16 (D) 36( C )113.承上題，輸出電阻Ro=？ (A) 1kW (B) kW (C) 250W (D) 1.33kW( A )114.共汲極放大電路，gm=3及RS=1kW，其電壓增益Av=？ (A) 0.75 (B) 0.75 (C) 3 (D) 3( D )115.有關共汲極放大電路，下列敘述何者正確？ (A) 輸入電阻很小 (B) 輸出電阻很大 (C) 電壓增益大於1 (D) 輸入與輸出同相( B )116.FET放大電路中，何種放大組態的輸出電阻最小？ (A) 共源極組態 (B) 共汲極組態 (C) 共閘極組態 (D) 視輸入電阻而定( B )117.如圖 所示E-MOSFET共汲極放大電路，若參數gm = 1mA/V，以下何者正確？ (A) Ri = 240k，Ro = 3k (B) Ri = 240k，Ro = 750 (C) Ri = 240k，Ro = 667 (D) Ri = 400k，Ro = 667( D )118.下列有關電壓緩衝放大器的敘述何者有誤？ (A) 必須有很高的輸入阻抗 (B) 輸出阻抗必須很小 (C) 常被用於測量儀器的輸入級 (D) FET電路中，最常被用為電壓緩衝放大器的是共閘極組態( C )119.共閘極放大電路，gm=3、RD=4kW及RS=3kW，其電壓增益Av=？ (A) 9 (B) 36 (C) 12 (D) 1.2( A )120.承上題，輸入電阻Ri=？ (A) 300W (B) 333W (C) 3kW (D) 4kW( D )121.FET放大電路中，下列哪一個組態的輸入阻抗很小？ (A) 共集極放大組態 (B) 共源極放大組態 (C) 共汲極放大組態 (D) 共閘極放大組態( D )122.如圖 所示共閘極放大電路，若MOSFET之參數gm = 5mA/V，試求電壓增益為多少？ (A) 5 (B) 5 (C) 10 (D) 10( A )123.有關共閘極放大電路，下列敘述何者最正確？ (A) 輸入電阻很小 (B) 輸出電阻很小 (C) 電壓增益必小於1 (D) 輸入與輸出反相( B )124.FET共閘極放大組態，類似於BJT何種放大組態？ (A) 共集極放大組態 (B) 共基極放大組態 (C) 共射極放大組態 (D) 共源極放大組態( D )125.FET的互導增益倒數，相當於BJT之何種參數？ (A) b (B) VT (C) rp (D) re( B )126.多級放大電路中，以FET作為第一級放大的主要因素是應用FET何種特性？ (A) 高互導增益 (B) 高輸入阻抗 (C) 高輸出阻抗 (D) 高電流增益( D )127.有關FET與BJT相較，下列何者錯誤？ (A) FET之，BJT之 (B) FET之源極等效電阻為、BJT之射極等效電阻為re (C) BJT之 (D) 當BJT之很小時，( D )128.以下何者不是FET比BJT好的特性？ (A) 具有高輸入電阻 (B) 具有負溫度特性 (C) 製程簡單且密度高 (D) 高操作頻率高( C )129.下列有關理想運算放大器之等效電路模型特性，何者錯誤？ (A) Ri= (B) Ro=0 (C) Ii= (D) Av=( C )130.下列何者不是運算放大器之主要電路？ (A) 差動放大電路 (B) 定電流源電路 (C) 定電壓源電路 (D) 高增益放大電路( C )131.運算放大器是屬於何種耦合方式之多級放大電路？ (A) RC耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 直接耦合 (D) 間接耦合( A )132.理想運算放大器在兩輸入端信號相等時，其輸出電壓Vo=？ (A) 0 (B) +VCC (C) VCC (D) ( B )133.運算放大器的內部主要結構中的輸入級為？ (A) 射極隨耦器 (B) 差動放大器 (C) 達靈頓放大器 (D) 電壓隨耦器( D )134.理想OPA作為放大器使用時，應外加何種電路？ (A) 穩壓電路 (B) 箝位電路 (C) 正回授電路 (D) 負回授電路( A )135.若OPA的增益頻寬積為2MHz，則在增益為40dB時，其可操作頻寬為？ (A) 20kHz (B) 50kHz (C) 200Hz (D) 2MHz( C )136.當一個脈波輸入至OPA，其Vo在0.75s內由2V升至7V，則其變動率等於？ (A) 6.75 (B) 9 (C) 12 (D) 20 V/s( A )137.有一運算放大器，偏壓電流IB1 = 50A，IB2 = 49.2A，則其輸入抵補電流為？ (A) 800nA (B) 99.2A (C) 49.6A (D) 0( D )138.下列何者不是理想運算放大器之特性？ (A) Avo = (B) Ri = (C) BW = (D) Io = 0( B )139.有一運算放大器，若CMRR = 80dB，Ad = 4500，Vi(+) = 0.5mV，Vi() = 0.45mV，則Vo ？ (A) 200mV (B) 225mV (C) 250mV (D) 300mV( A )140.若運算放大器之增益頻寬乘積GBP=20MHz，以下何者不正確？ (A) f=400MHz時，Avo=5103 (B) f=1kHz時，Avo=2104 (C) f=50kHz時，Avo=4102 (D) f=1MHz時，Avo=20( D )141.下列有關理想OPA之參數值，何者不為0？ (A) Iib (B) Iio (C) Vio (D) Avo( C )142.運算放大器之增益頻寬乘積，在低頻時，無法保持定值的主要原因是？ (A) 輸入電阻不為無窮大 (B) 輸出電阻不為0 (C) 開迴路增益不為無窮大 (D) 共模拒斥比不為無窮大( A )143.何者為衡量運算放大器之抗雜訊能力指標值？ (A) CMRR值 (B) GBP值 (C) SR值 (D) 開迴路增益值( C )144.下列何者非電壓隨耦器之特性？ (A) 電壓增益為1 (B) 輸出與輸入同相 (C) 反相端接地 (D) 沒有回授電阻( A )145.圖 為理想運算放大器之電路，其電壓增益為？ (A) 102 (B) 2 (C) 2.01 (D) 100( A )146.圖 之反相放大器中，其電壓增益Vo/Vs為多少分貝？ (A) 20dB (B) 10dB (C) 10dB (D) 20dB( C )147.圖 若輸入電壓為2伏特，則輸出電壓約為多少？ (A) 20伏特 (B) 15伏特 (C) 15伏特 (D) 20伏特( C )148.圖 所示的電路，下列選項何者正確？ (A) 若Vs = 1V則Vo = 4V (B) 若Vs = 1V則Vo = 0.75V (C) 若Vs = +10V則Vo = +10V (D) 若Vs = +6V則Vo = +8V( D )149.OPA多級放大之各級電壓增益與下列何者有關？ (A) 負載電阻 (B) 下級輸入電阻 (C) 輸出電阻 (D) 負回授電阻( B )150.電壓隨耦器之電壓增益為？ (A) 0 (B) 1 (C) 1 (D) 10( C )151.理想電壓隨耦器之輸入電阻Ri=？輸出電阻Ro=？ (A) Ri=0，Ro=0 (B) Ri=0，Ro= (C) Ri=，Ro=0 (D) Ri=，Ro=( D )152.基本非反相放大器之電壓增益為？ (A) (B) (C) 1 (D) 1+( C )153.如圖 所示為儀表放大電路，若Vs = 1V，試求其輸出電壓Vo =？ (A) 1V (B) 2V (C) 3V (D) 6V( B )154.如圖 所示的電路，若運算放大器的飽和電壓為12V，下列選項何者正確？ (A) 若Vs = 3V則Io = 10mA (B) 若Vs = 3V則Vo = 13V (C) 若Vs = 1V則Io = 10mA (D) 若Vs = 1V則Vo = 17V( A )155.圖反相加法器之輸出Vo=(V1+V2+Vn)，其條件為？ (A) R=R1=R2=Rn (B) R=R1+R2+Rn (C) R=R1R2Rn (D) R=R1 / R2 / Rn( A )156.圖 為理想運算放大器之電路，其輸出電壓為多少伏特？ (A) (B) (C) (D) ( C )157.圖減法器之輸出Vo=(V2V1)，其條件為？ (A) R1R2=R3R4 (B) R1R3=R2R4 (C) R1R4=R2R3 (D) R1R2R3R4=1( C )158.圖非反相加法器之輸出Vo=(1+)，其條件為？ (A) RA=R1 / R2 / Rn (B) RA=R1+R2+Rn (C) R1=R2=Rn (D) Rf=R1 / R2 / Rn( B )159.如圖 所示之電路，其輸出電壓為？ (A) 10V (B) 10V (C) 5V (D) 5V( B )160.如圖之電路 ，其中VCC = 5V，試問下列何者敘述錯誤？ (A) 電路中的運算放大器做為比較器使用 (B) Vin = 1.5V時，紅光LED亮，綠光LED不亮 (C) Vin = 5V時，綠光LED亮，紅光LED不亮 (D) 若輸入電壓Vin = 5sin t(V)，紅、綠光LED會交互發光，且紅光LED亮的時間比綠光LED亮的時間長( A )161.對非反相輸入臨界電位比較器而言，以下何者正確？ (A) VsVrefVo=+Vsat (B) VsVrefVo=Vsat (C) VsVrefVo=+Vsat (D) VsVrefVo=+Vsat (B) VsVrefVo=+Vsat (B) VsVrefVo=+Vsat (B) VsVrefVo=Vsat (C) VsVrefVo=+Vsat (D) VsVrefVo=Vsat( D )167.如圖 所示運算放大器的韋恩電橋電路，下列何者正確？ (A) (B) (C) (D) ( C )168.石英晶體振盪器中，當振盪頻率介於晶體串聯共振頻率與並聯共振頻率之間時，晶體阻抗呈現下列何種特性？ (A) 中性 (B) 電阻性 (C) 電感性 (D) 電容性( D )169.下列有關考畢子振盪電路的敘述，何者不正確？ (A) 回授網路由兩個電容與一個電感構成 (B) f= (C) b= (D) CT=C1+C2( C )170.以下何者不符合巴克豪森振盪條件？ (A) b=0.10，A=100 (B) b=3240，A=120 (C) b=0.2180，A=2180 (D) b=0.25180，A=4180( B )171.下列有關相移振盪電路的敘述，何者不正確？ (A) OPA反相放大器之外接電阻R2=29R (B) w= (C) b= (D) A=29( D )172.如圖所示電路 ，為哪一種振盪器？ (A) 韋恩振盪器 (B) 哈特萊振盪器 (C) 晶體振盪器 (D) 考畢子振盪器( A )173.下列有關韋恩電橋振盪電路的敘述，何者不正確？ (A) OPA非反相放大器之外接電阻R2=3R1 (B) w= (C) b= (D) A=3( D )174.下列有關石英晶體振盪電路的敘述，何者不正確？ (A) 利用壓電效應產生振盪 (B) 串聯諧振頻率ws= (C) 並聯諧振頻率fp= (D) fpfs( B )175.下列何者為正弦波振盪器？ (A) 施密特振盪器 (B) 韋恩電橋振盪器 (C) 單穩態多諧振盪器 (D) 雙穩態多諧振盪器( A )176.下列有關石英晶體的敘述，何者不正確？ (A) 溫度升高時晶體穩定性變差 (B) 晶體的品質因數值非常高 (C) 晶體產生的共振盪頻率非常準確 (D) 晶體對時間具有非常對的穩定性( C )177.由運算放大器所組成的RC相移振盪器，下列敘述何者錯誤？ (A) 迴路增益A最小為1 (B) 能將直流電能轉換成交流電能 (C) 整個迴路屬於負回授 (D) 相移180( C )178.下列有關哈特萊振盪電路的敘述，何者不正確？ (A) 回授網路由兩個電感與一個電容構成 (B) f= (C) b= (D) LT=L1+L2( A )179.如圖 所示為運算放大器組態的密特觸發電路，試求此電路之磁滯電壓大小為多少？ (A) 3V (B) 4V (C) 5V (D) 5V( D )180.圖 所示的電路功能為 (A) 單穩態電路 (B) 放大電路 (C) 無穩態電路 (D) 波形整形電路( A )181.下列IC何者可以組成施密特振盪電路？ (A) uA741 (B) ADC0804 (C) DAC0800 (D) SN7493( B )182.在沒有外加觸發信號的情形下，下列何者可產生方波輸出？ (A) 施密特振盪器 (B) 無穩態多諧振盪器 (C) 單穩態多諧振盪器 (D) 雙穩態多諧振盪器( B )183.如圖 所示之運算放大器組成的施密特振盪器，其磁滯（遲滯）電壓約為多少？ (A) 3V (B) 6V (C) 9V (D) 12V( D )184.加入偏壓的施密特觸發電路，其特性參數值何者不受影響？ (A) 負回授因數值b (B) 上臨界電壓VUT (C) 下臨界電壓VLT (D) 磁滯電壓VH( D )185.已知反相施密特觸發電路的VUT=5V，VLT=5V，Vsat=12V，當輸出為正飽和狀態時，下列情形何者正確？ (A) 輸入Vs=0V時，輸出Vo=12V (B)