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第八章 铝镓铟磷发光二极管,（AlxGa1-x）0.5In0.5P生长于晶格匹配的砷化镓衬底，具有1.92.26eV直接带隙宽度（x=00.5），覆盖了可见光谱从红到绿的部分，可制成宽广颜色范围内的高效双异质结器件。由于AlP和InP的热力学稳定性的不同，不能采用通常的气相外延和液相外延技术来制造，可采用MOCVD、MBE制造。可应用于显示屏、汽车内外照明、信号灯等,AlGaInP金属有机物化学气相沉积,源材料：族源TMAl（三甲基铝）、TMGa（三甲基镓）、TMIn（三甲基铟）、磷烷（PH3）、砷烷（AsH3）。TMIn是固体源，需溶解在溶剂中，或者用液态源乙基一二甲基铟代替。N型掺杂剂Si，Si源用硅烷（SiH4）和乙硅烷（Si2H6）；p型掺杂剂是锌和镁，锌源用DEZn（二乙基锌）和DMZn（二甲基锌），镁源用二茂镁（Cp2Mg） 反应温度：700800，反应器压力：2.0320.26k Pa 外延生长化学反应： XAl（CH3）n + YGa（CH3）n + ZIn（CH3)n + PH3=AlxGayInzP + CH4 MOCVD的化学反应过程有：反应气体在衬底的吸附，表面扩散，化学反应，固态生成物的成核与生长，气态生成物的脱附等，其中反应速度最慢的过程控制整个反应速率及生长层形态、性质。外延层的生长速度和性质受温度、压力、反应物种类及浓度、反应时间、衬底种类及表面性质等影响。,AlGaInP金属有机物化学气相沉积设备,参见P109图8-1 MOCVD容易控制外延层成分及晶体结构，薄膜均匀、结构致密、附着力良好。 MOCVD系统： 进料区：控制反应物浓度 反应室：控制反应温度、压力 废气处理系统：包括淋洗塔、酸洗、碱洗、毒性气体收集系统、集尘装置、排气淡化装置（AsH3、PH3有剧毒）,生长条件,保证AlGaInP与GaAs衬底的晶格匹配是获得高质量材料的关键。改变气相的TMGa/（TMAlTMGa）比可以使AlGaInP在GaAs上晶格匹配；改变TMAl/TMGa比（保持TMAlTMGa的摩尔流速总和不变）就可以获得有源层和盖层的AlGaInP材料的不同带隙宽度。 AlGaInP的生长温度：650800，生长温度太高，In会再蒸发。 常压下外延片均匀性依赖于反应器几何形状，常见的反应室形状见P113图
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