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文档简介

1,例题分析,Chapter 2,2,例1,试从下述几方面比较FET和BJT的异同。 1、FET的导电机理为_，而BJT为_。比较两者受温度影响，_优于_。 2、FET属于_式器件，其G、S间的阻抗要_BJT的B、E间的阻抗，后者属于_器件。 3、BJT3种工作区域是_，而FET则将其分为_3种。 4、FET3个电极G、D、S类同BJT的_电极，而N沟道、P沟道的FET则分别类同于_两种类型的BJT。,3,1、一种载流子(多子)参与导电，两种载流子（电子和空穴）参与导电。FET（前者）BJT（后者）。 2、压控，远大于，流控 3、饱和、放大、截止，可变电阻、恒流、截止。 4、B、C、E，NPN型、PNP型。,4,例2,试问下图各是哪一种FET的转移特性曲线。,（a）N沟道耗尽型MOSFET,（b）N沟道增强型MOSFET,（c）P沟道JFET,（d）P沟道增强型MOSFET,5,分析： 1） N沟道FET的iD0， P沟道FET的iD0，故可根据iD的方向判断N或P沟道型FET。 2）耗尽型FET的标志参数为UGS（off）（UP）， 增强型FET的标志参数为UGS（th）（UT）。 3）同是耗尽型的JFET、MOSFET，区别为MOSFET的uGS可正可负，而JFET的uGS只可单方向，或正或负。,6,例3,电路如图。 已知： IDSS= 1mA， UP=4V， VDD=+16V，,试求： 1、静态工作点Q（IDQ、UGSQ、UDSQ） 2、输入电阻ri、输出电阻ro 3、电压放大倍数Au,7,解 1、静态工作点Q的计算,UDSQ=VDDIDQ（R+Rd）,IDQ1=0.535mA ， IDQ2=1.52mA,= 6.37V,IDQ2IDSS 不合题意，舍去,8,2、输入电阻ri、 输出电阻ro,=1+0.16/0.04 =1.03M,ro= Rd=10k,9,=0.36
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