曝光机要点技术.ppt

Text C,报告者:沐俊应 日 期:2010.01.28,曝光过程简介 曝光Recipe详细项目 曝光工艺要素,内 容,曝光过程简介,曝光Cycle,曝光过程简介,PA过程,先在CP (Cooling Plate)上进行PA (Pre-alignment) 再用精密Robot将基板转移到曝光stage上 CP Stage上有CP/异物感知Sensor (Scan)/ PA三个功能,曝光过程简介,Gap控制,Gap检出开始位置：glass与 mask之间的gap:700 Gap 控制后，误差范围:10以内 露光Gap:100300um,曝光过程简介,Alignment,根据Photo Mask和 Glass的 Alignment Mark图像，计算Mark的相对位置 移动Alignment Stage或Photo Mask的位置补正,使Mask Mark中心与 Glass Mark中心相吻合。,超高压 水银 Lamp : 16KW , 对波长为 365nm_PR有反应的波长带 椭圆 Mirror : 集中Lamp的光 用平面 Mirror反射 平面 Mirror1, 2, 3 : 使光的路径发生改变 用球面Mirror进行反射 Fly eye lens : 使照度和光变均一 球面Mirror : 用平行光调整光的路径,UV光路系统,曝光过程简介,UV Lamp管理,曝光过程简介,曝光量=照度时间,用Border Shutter控制露光Area 用Border Shutter减小Gray Zone,曝光Area控制,曝光过程简介,光化学反应,曝光过程简介,曝光 Recipe 详细项目,曝光 Recipe 详细项目,曝光 Recipe 详细项目,曝光 Recipe 详细项目,1) 17” model的 曝光 Offset,Review Station (Stage 移动坐标基准),2) 19” model的曝光 Offset,Review Station (Stage移动坐标基准),曝光机内部（stage坐标）,曝光机内部（stage坐标）,曝光工艺要素技术 Offset调整,TP是表示Glass基板内Cell 的配置的特性值. -与 TFT基板 Assay时 Cell 位置要一致. - Cell 位置偏离时 有光 Leak 不良 Issue发生.,Cell形态及 T P Mark 位置,T P Mark 形态,Glass内 所有 Cell,光 Leak,Normal,曝光工艺要素技术 Total Pitch,Total pitch是由 Photo Mask和基板膨胀差异产生的，在BM曝光机里要补正total pitch和歪曲，使之与品质规格一致。,曝光工艺要素技术Total Pitch,曝光机温度管理项目主要为CP、Stage、Chamber、Mask的温度 固定Mask温度，调整CP/Stage/Chamber温度，使TP值达到水平,曝光前，会对mask进行加热至稳定温度，确保曝光过程中Mask不升温。,曝光工艺要素技术 Total Pitch,各4边设计值对比: 3.5 各 Cell别 4point 设计值对比 : 3.0,3.0,测定原点,测定基准线,曝光工艺要素技术Shot位置偏差,Shot位置偏差的应对措施 - Stage Offset调整（ Stage位置调整（100um大幅调整）：对glass各个Panel的中心坐标进行修改，从而改变panel间相对位置,曝光工艺要素技术Shot位置偏差,从Glass Edge到 BM 边缘的距离, 从Glass上面 可看到整个Shot 的模样. - 位置精度偏离可能引起与TFT 基板 Assay 时 Cell位置发生偏离的现象. - 各号机间发生200um 以上的差异时 在BGR, PS 曝光机中 Alignment Error 多发, 各号机间偏差较大时会发生BGR Miss Align.,H: Horizontal V: Vertical,曝光工艺要素技术位置精度,只需调节Shot1的Offset，使得位置精度达到规格要求。,曝光工艺要素技术位置精度,BM CD作用为区隔BGR之间的领域 光不透过的领域 - BM 领域 ( CD )宽度 会影响到色度 (Chromaticity)因此 设计产品时应考虑到此问题. BM CD 领域的大小可能会引起BGR Overlay 及 光Leak不良的发生.,BM CD (Critical Dimension),实际 BM Pattern 及 SEM图片,曝光工艺要素技术CD,一般比起Gap，更多的是调整曝光量，使BM, RGB 所有值均与设定值一致。考虑到Tact time在调整曝光量后，通过变更显影时间来调整线幅。,曝光工艺要素技术CD,曝光工艺要素技术CD,RGB Resist 都在 90mJ以上时 Pattern 状态良好. 只是 BLU的情况 在130mJ以下时 Edge线 呈现不均一的模样,曝光工艺要素技术CD,管理Pattern在 BM 上是否稳定. Pattern向一方位置倾斜时 发生漏光或者与旁边的Pattern重叠，成为Mura,曝光工艺要素技术BGR Pattern Overlay,BGR Pattern Overlay 测定位置及方法,曝光工艺要素技术BGR Pattern Overlay,通过stage offset调整, 修正Overlay,B,曝光工艺要素技术BGR Pattern Overlay,23C,22.5C,曝光工艺要素技术BGR Pattern Overlay,通过温度调整, 修正Overlay,1) 曝光机的光谱,300mm400mm 基板用lens,200mm200mm 基板用lens,2) 曝光量及照度实测值,300mm400mm 基板用LENS,200mm200mm基板用LENS,303nm,j-Line 313,334nm,i-Line,h-Line,g-Line,无filter,无filter,曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响,3) 波长 vs. PS 高度,未使用,曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响,4) 显影后 PS 形象,曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响, Air Bubble 原因 : Assay时 液晶不足 C/F 基板和 TFT 基板之间形成空间 PS 高度比基准高度高时 措施 : 减少Coater 吐出量 缩短曝光 Gap Post-Bake 再进行 重力不良 原因: Assay时 液晶量过多 C/F 基板和 TFT 基板之间 Swelling引起. PS 高度比基准高度低 措施: 增加Coater 吐出量 拉大 曝光Gap,由PS Height 变化引起的 液晶不良的发生,曝光工艺要素技术 PS高度及Size, PS 高度 测定方法 在Blue & Red Pattern Base上测定PS 高度, PS Size 测定方法 计算PS 高度 结合高度%进行Size 测定, PS 高度及 Size 测定位置 PS 测定位置 按照 Cell别 存在差异 Cell 多 -每 Cell 1 Point Cell 小 - 每Cell 23 Point Cell 工程 Recipe 协议 预定,曝光工艺要素技术 PS高度及Size,根据PS 位置精度 有可能影响PS 高度的变化 作为支持 TFT / CF的 隔垫物 如位置不准确 会使TFT 信号 LINE发生问题, PS 位置 测定 位置 曝光机 Shot别 测定角落 4部分, PS 位置 测定 方法 利用Review Image X50 测定 测定地点,曝光工艺要素技术 PS高度及Size,EXP Gap-size,EXP dose-size,曝光工艺要素技术 PS高度及Size,Recovery Spec : 70% 以上,由于PS 回复率变化引起的液晶不良发生 液晶 敲打 不良 原因 : Photo Spacer 弹性检查以后 无法PS的现象 措施 : PS Size变更 PS 曝光量 变更 PS Main -