标准解读

《GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片》是一项中国国家标准，发布于1989年，旨在规定水平生长法制备的砷化镓（GaAs）单晶及其切割片的质量要求、测试方法和检验规则。以下是该标准的主要内容概述：

  1. 范围：本标准适用于采用水平法生长技术制备的砷化镓单晶及其切割片，明确了这些材料的适用范围和基本要求。

  2. 术语和定义：标准首先界定了相关专业术语，确保读者对砷化镓单晶及切割片的基本概念有清晰理解。

  3. 分类和标记：规定了砷化镓单晶及切割片的分类方法，包括按纯度、尺寸、用途等进行区分，并要求产品应有明确的标识信息，以便于追溯和使用。

  4. 技术要求：

    • 化学成分：详细说明了砷化镓单晶中主元素及杂质元素的最大允许含量，确保材料的电学和光学性能。
    • 物理性质：包括晶体结构、电阻率、载流子浓度、晶向、直径、厚度等参数的规范要求。
    • 表面质量与缺陷：规定了单晶表面应达到的光洁度标准，以及内部缺陷如位错、夹杂物的允许程度。

  5. 试验方法：详细描述了如何通过各种检测手段（如X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量等）来测定砷化镓单晶及切割片的上述各项技术指标，确保测试结果的准确性和可重复性。

  6. 检验规则：制定了产品出厂前的检验流程、抽样方案及合格判定准则，确保每批产品的质量符合标准要求。

  7. 标志、包装、运输和储存：规定了砷化镓单晶及切割片的包装方式、标志内容、运输注意事项及适宜的储存条件，以防止在流转过程中受到损害。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 11094-2007
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-03-01 实施
©正版授权
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