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文档简介
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中华人民共和国国家标准
犌犅/犜11094—2007
代替GB/T11094—1989
水平法砷化镓单晶及切割片
犎狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾犪狀犱犮狌狋狋犻狀犵狑犪犳犲狉
20070911发布20080201实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
书
犌犅/犜11094—2007
前言
本标准是对GB/T11094—1989《水平法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与原标准相比,主要变动如下:
———单晶生长方向上增加了近几年在生产中大量使用的<110>晶带上由<111>B方向向最远的
<100>A方向偏转0°~20°生长单晶,明确提出了生长偏角由生产工艺参数决定;
———明确了晶锭作为单晶产品;
———切割片中取消了目前基本已被淘汰的直径为40mm、50mm以及矩形和D形片的规定;
———增加了目前大量使用的直径50.8mm、63.5mm切割片和国际上少量使用的直径76mm
切割片的规定等等。
本标准实施之日代替GB/T11094—1989。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人:武壮文、王继荣、张海涛、于洪国。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T11094—1989。
Ⅰ
书
犌犅/犜11094—2007
水平法砷化镓单晶及切割片
1范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。
本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件
等的制作。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T8760砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T14264半导体材料术语
GJB1927砷化镓单晶材料测试方法
3术语、定义
GB/T14264确立的以及下列术语和标准适用于本标准。
3.1
水平法犺狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀
本标准中特指水平布里奇曼法,简写为:HB。
3.2
单晶狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾
本标准中出现的单晶专指水平布里奇曼法砷化镓单晶。
3.3
晶锭犻狀犵狅狋
本标准中出现的晶锭专指水平布里奇曼法砷化镓单晶晶锭。
3.4
晶片狑犪犳犲狉
本标准中出现的晶片专指水平布里奇曼法砷化镓
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