GB/T 11094-2020水平法砷化镓单晶及切割片

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T11094—2020

代替

GB/T11094—2007

水平法砷化镓单晶及切割片

Galliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafergrownbyhorizontal

bridgmanmethod

2020-09-29发布2021-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T11094—2020

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替水平法砷化镓单晶及切割片与相比除编

GB/T11094—2007《》。GB/T11094—2007,

辑性修改外主要技术变化如下

,:

删除了范围中的单晶锭及微波器件见年版的第章

———(20071);

删除了规范性引用文件中的增加了见第章年

———GJB1927,GB/T13388、GB/T14844(2,2007

版的第章

2);

删除了术语和定义中的见年版的第章

———3.1~3.8(20073);

修改了产品的牌号表示方法及分类见第章年版的第章

———(4,20074);

修改了砷化镓单晶生长方向中的偏转角度见年版的

———(5.1.1,20074.3.1);

删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法见年版的

———(20074.3.2、4.4.3、5.1);

删除型非掺杂砷化镓单晶的要求见年版的

———n(20074.3.2);

修改了型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围见年版的

———p(5.1.2,20074.3.2);

修改了位错密度的分级及要求见年版的

———(5.1.3,20074.3.3);

增加了直径砷化镓切割片及对应砷化镓单晶的要求见

———82.0mm(5.1.4.2、5.2);

晶锭高度误差不大于改为单晶厚度变化应不大于见年版的

———4mm2mm(5.1.4.2,20074.4.1);

增加了关于砷化镓切割片电学性能位错密度的说明见

———、(5.2.1);

修改了砷化镓切割片厚度的要求见年版的

———(5.2.3,20074.5.1);

修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求见年版的

———(5.2.4,20074.5.2);

修改了砷化镓单晶及切割片的试验方法见第章年版的第章

———(6,20075);

修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容见第章年版的第章

———(7,20076)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研光电新材料有限责任公司有色金属技术经济研究院广东先导先进材料股

:、、

份有限公司北京聚睿众邦科技有限公司雅波拓福建新材料有限公司

、、()。

本标准主要起草人于洪国林泉马英俊赵敬平李素青马远飞李万朋许所成权盼朱刘

:、、、、、、、、、、

周铁军闫方亮杨丽霞付萍

、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T11094—1989、GB/T11094—2007。

Ⅰ

GB/T11094—2020

水平法砷化镓单晶及切割片

1范围

本标准规定了水平法砷化镓单晶以下简称砷化镓单晶及切割片的牌号及分类要求试验方法

()、、、

检验规则标志包装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容

、、、、、()。

本标准适用于光电器件传感元件等用的砷化镓单晶及切割片

、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T8760

硅片参考面结晶学取向射线测量方法

GB/T13388X

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4牌号及分类

41牌号

.

砷化镓单晶及切割片的牌号按照的规定进行表示如有特殊要求由供需双方协商

GB/T14844