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文档简介

工作状态（晶体管工作状态的判定） 放大 截止 饱和 1.根据PN结 UBE 0 UBE 0 UBE 0 偏置电压 (正偏) (反偏) (正偏) UB C 0 UB C 0 UB C 0 (反偏) (反偏) (正偏) 2.根据 IB 0 IB IBS 0 IBS IB IC IE IC IB 0 IB IE IB IC 0 (1+) IB IBS =EC UCES / RC 硅管临界饱和UCES =0.5V 深饱和UCES 0.10.3V,工作状态（晶体管工作状态的判定） 3.测量管压 UBE UCE 放大 0.7V UCE S UCE EC 截止 0 EC 饱和 0.7V UCE S,有一个晶体三极管接在电路中，测得它的三个管脚对地的电位分别为-10V、-4.2V、-4V，则它们所对应的管脚分别为_、_、_，这是一个_（PNP、NPN）管，是_（硅、锗）管。,三极管内部载流子的运动规律,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,三极管内部载流子的运动规律,IC = ICE+ICBO ICE,IB = IBE- ICBO IBE,ICE 与 IBE 之比称为共发射极直流电流放大倍数,集射极穿透电流,
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