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模拟集成电路设计原理试卷(答题卷)（1）一、填空题（共30分，每空格1分）1.MOSFET是一个四端器件，现在大多数的CMOS工艺中，P管做在_中，并且，在大多数电路中，P管的衬底与_（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_。2.对增强型NMOS来说，让其处于饱和时的条件为_，增强型PMOS处于饱和时的条件为_。3.在两级运放中，通常是用第一级运放实现_，用第二级运放实现_。4.实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过向沟道区注入_来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_。5.阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS管来说，发生强反型时的条件为_。6.折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_但这个优点是以较大的_、较低的_、较低的_和较高的_为代价得到的。7.对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A和反馈网络，那么这个系统的开环增益为_，闭环增益为_，环路增益为_。8.对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz，若现在带宽变为16MHz，则环路增益为_，闭环增益为_。9.为了使系统稳定，零点应处于_平面并且让极点尽量_。10.对单级共源、共漏和共栅放大器来说，dBf3带宽最小的为_原因是由于_的存在，dBf3带宽最大的为_。11.MOSFET的版图由电路中的器件所要求的_和工艺要求的_共同决定。例如，选择适当的WL来确定跨导和其它电路参数，而L的最小值由工艺决定。12.对于理想的差动电路来说，电路将只对_进行放大，而且完全抑制_变化的影响。在套筒式和折叠式共源共栅这样的一级运放中，为了达到高的电压增益，可使其_增大。二、画电路图（共16分，每题4分）1.电流源做负载的共源共栅2.PMOS作输入器件的折叠式共源共栅3.电阻做负载的基本差动对4.套筒式共源共栅运放三、简答题（共14分，每题7分）1（A）(B)如上两图所示：（1）(A)和(B)的相同点是什么？具体的值为多少？（2）(A)和(B)的不同点是什么？2套筒式共源共栅运放的缺点是什么？四、分析题（共16分，每题8分）1.用小信号模型推导出下图的outR002.画出完整的MOS晶体管的小信号模型图，并根据下图，画出图中1M的mbmgg和随偏置电流I1的变化关系图。五、计算题（共24分，每题12分）1如果忽略沟道长度调制效应，请计算下图所表示的共栅级电路的传输函数。2请回答问题并分别写出下面所有图的增益表达式。图A：(1)这是什么单级放大器？(2)0011=；（3）0011=；（4）=DR0011；图B：(1)这是什么单级放大器？(2)0011=；（3）0011；（4）=DR0011；图A：(1)这是什么单级放大器？(2)0011=；（3）0011=；（4）=DR0011；图B：(1)这是什么单级放大器？(2)0011=；（3）0011；（4）=DR0011；图C；(1)
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