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文档简介
2019/11/20,1,第九章霍尔传感器,本章主要学习霍尔传感器的工作原理、霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用,还涉及磁场测量技术。,霍尔元件是一种四端元件,2019/11/20,2,第一节霍尔元件的结构及工作原理,半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现象称为霍尔效应。,磁感应强度B为零时的情况,c,d,a,b,2019/11/20,3,磁感应强度B较大时的情况,作用在半导体薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示:EH=KHIB,2019/11/20,4,霍尔效应演示,当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。,c,d,a,b,2019/11/20,5,磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势,若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成某一角度时,实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向)的分量,即Bcos,这时的霍尔电势为EH=KHIBcos,结论:霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比,且当B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。,2019/11/20,6,霍尔元件的主要外特性参数,最大磁感应强度BM,上图所示霍尔元件的线性范围是负的多少高斯至正的多少高斯?,线性区,2019/11/20,7,霍尔元件的主要外特性参数(续),最大激励电流IM:,由于霍尔电势随激励电流增大而增大,故在应用中总希望选用较大的激励电流。但激励电流增大,霍尔元件的功耗增大,元件的温度升高,从而引起霍尔电势的温漂增大,因此每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流,它的数值从几毫安至十几毫安。,以下哪一个激励电流的数值较为妥当?5A0.1mA2mA80mA,2019/11/20,8,第二节霍尔集成电路,霍尔集成电路可分为线性型和开关型两大类。,线性型集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性差动放大器等做在一个芯片上,输出电压为伏级,比直接使用霍尔元件方便得多。较典型的线性型霍尔器件如UGN3501等。,线性型三端霍尔集成电路,2019/11/20,9,线性型霍尔特性,右图示出了具有双端差动输出特性的线性霍尔器件的输出特性曲线。当磁场为零时,它的输出电压等于零;当感受的磁场为正向(磁钢的S极对准霍尔器件的正面)时,输出为正;磁场反向时,输出为负。,请画出线性范围,2019/11/20,10,开关型霍尔集成电路,开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门(集电极开路输出门)等电路做在同一个芯片上。当外加磁场强度超过规定的工作点时,OC门由高阻态变为导通状态,输出变为低电平;当外加磁场强度低于释放点时,OC门重新变为高阻态,输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。,2019/11/20,11,开关型霍尔集成电路的外形及内部电路,OC门,施密特触发电路,双端输入、单端输出运放,霍尔元件,.,Vcc,2019/11/20,12,开关型霍尔集成电路(OC门输出)的接线,请按以下电路,将下一页中的有关元件连接起来.,开关型霍尔集成电路与继电器的接线,?,2019/11/20,14,开关型霍尔集成电路的史密特输出特性,回差越大,抗振动干扰能力就越强。,当磁铁从远到近地接近霍
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