ETCH名词解释.doc

专有名词解说ETCH 英文名词 ： ETCH 中文名词 ： 蚀刻 定义：利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程 说明：使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜与气体或是液体反应)，将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护，保留下来。 使用例子：Poly etch、SiN etch、Contact etch、Metal etch、Pad etch。 蚀 刻 制 程 示 意 图上光阻作为 Mask 光阻去除 蚀刻步骤EtchEtchPRPRPRPRPRPR 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Dry Etch 中文名词 ： 干蚀刻 定义：利用气体作为与薄膜反应的物质，用物理或是物理加化学的反应去除材料 说明：电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如CF4电浆系统可蚀刻SiO2。 特性： 流动气体层电 浆 层 可以控制蚀刻时的方向性，得到平直的蚀刻剖面，但一般一次都只能蚀刻一片芯片1. 产生蚀刻所需的化学反应物 干蚀刻电浆蚀刻 制程 示意图6. 扩散到 Bulk Gas 2. 扩散到表面 气体停滞层3. 吸附 5. 脱离 4. 反应 Film 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Wet Etch 中文名词 ： 湿蚀刻 定义：利用在溶液中的化学反应，将材料移除的过程 使用例子：使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸H3PO4溶液去除Si3N4薄膜、使用氢氟酸HF蚀刻SiO2。 特性：蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为Batch式。溶液溶液PRPRPRPRPRPR 湿蚀刻制程示意图 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Plasma 中文名词 ： 电浆 定义：将气体加上电压，形成一个部分离子化的气体系统，成分包含离子、电子、分子与原子团。 说明：电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度大概是109 1011/cm3，而离子比中性粒子的比例是10-4 10-6。 使用例子： 气体输入口干蚀刻技术-电浆蚀刻、PECVD (Plasma Enhanced CVD) 电浆 电极板电浆系统示意图 抽气 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Isotropic / Anisotropic 中文名词 ： 等向性 / 非等向性 定义：蚀刻等向性：表示每个方向的蚀刻速率都是一样的蚀刻非等性性：表示不同方向的蚀刻速率不同 说明：一般干蚀刻技术可以得到非等向性的蚀刻结果，湿蚀刻技术大多是等向性的。非等向性蚀刻示意图等向性蚀刻示意图PRR4R3R2PRPRPRRPRPRPRR1R1R基材基材基材 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Selectivity 中文名词 ： 选择比 定义：蚀刻的选择比，指同一个蚀刻方法对于不同薄膜蚀刻率的比值 说明：被蚀刻薄膜/下层薄膜的选择比，会影响到蚀刻最后的结果，通常选择比愈大，蚀刻制程的控制能力愈好。选择比极小 基材受损，光阻削角成为锥状 选择比小,下层薄膜受损 而且光阻出现削角选择比大 控制良好PRPRPRPRPRPR被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜下层薄膜下层薄膜下层薄膜下层薄膜基材基材基材 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Profile 中文名词 ： 剖面轮廓 定义：半导体制程中，Profile指组件的侧面剖面轮廓 说明：线宽蚀刻制程主要就是控制剖面轮廓，成为理想中的图形。轮廓包含了蚀刻的宽度、深度、角度等。间距被蚀刻薄膜角度深度下层薄膜侧边轮廓线 Profile 专有名词解说ETCH 英文名词 ： CD (Critical Dimension) 中文名词 ： 微距 定义：半导体制程中，重要层次的线宽、线洞的距离尺寸 说明：用来仿真黄光与蚀刻制程优劣的重要参数，例如Poly CD、Contact CD等，通常以SEM (Scanning Electron Microscope)量测Contact CDPoly CDP WellField OX Field OXField OXField OX N WellROM CellSi 基板组件侧面图 专有名词解说ETCH 英文名词 ： AEI (After Etching Inspection) 中文名词 ： 蚀刻后检查 定义：蚀刻站完成后，或是后续光阻去除后，以显微镜目检的工作站别 说明：检查蚀刻制程是否造成缺陷( pits凹洞、蚀刻不足、光阻残留等)，视情况处理产品，避免流入下一站。蚀刻后检查: SiN ECD SiN Wet Strip SiN Dry StripSiN AEISiN ETCHChamber ACO1 InspectCO1 Wet Strip CO1 Dry StripCO1 MEAS.CO1 ETCH 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Aspect Ratio 中文名词 ： 定义：孔洞的宽度除以孔洞的深度之比值，Width / Thickness 说明：W2再黄光或是蚀刻的制程中，对于后段Metallization，需要形成细长的孔洞，利用Aspect Ratio 来代表孔洞的宽/深比。宽深比愈小，表示制程的难度愈高。W1Aspect Ration 1(A1)=W1/TAspect Ration 2(A2)=W2/T A1A2T 专有名词解说ETCH 英文名词 ： Chamber 中文名词 ： 反应室 定义：提供制程进行的反应环境，可控制环境的温度、气体与压力等参数 说明：Chamber B一部机台可能有一个或是多个的反应室，可以独立进行不同的制程。例如HPY机台，有Poly Chamber 和WSi Chamber用来沉积不同的薄膜。CDE机台，有Poly Chamber、Oxide Chamber 用来蚀刻不同的薄膜材料。Chamber CChamber A多 Chamber 机台示意图 专有名词解说ETCH 英文名词 ：