高压变频器的IGBT模块选择及计算分析

高压变频器的IGBT模块选择及计算分析摘 要：本文阐述了目前变频器应用中常用的几种模块，如IGCT、IEGT、GTO、IGBT。通过计算分析比较，得出IGBT是目前性价比较好的器件。1、概述由于我国元器件工业落后，还不能生产高压IGBT，西方国家仍对中国实行技术封锁。比如6500V IGBT仍不向中国出口IIA版权所有，且不论其价格不菲。在直接串联技术选用什么样的功率开关器件对决定变频器的性价比至关重要。目前可选的器件有好几种，如IGCT、IEGT、GTO、IGBT，而IGBT则又分为1700V，3300V汉阳科技版权所有，6500V。而各器件厂家都宣称自己的器件最好。到底选哪一种器件，其性价比较好，让我们进行一些具体比较，比较的依据为各厂家产品样本所列的技术参数。2、几种常用的功率器件变频器向前发展搜企网，一直是随着电力电子器件的发展而发展。只要电力电子器件有了新的飞跃，变频器就一定有个新飞跃，必定有新的变频器出现。在20世纪50年代出现了硅晶闸管（SCR）；60年代出现可关断晶闸管（GTO晶闸管）；70年代出现了高功率晶体管（GTR）和功率场效应管（MOSFET）；80年代相继出现了绝缘栅双极功率晶体管（IGBT）以及门控晶闸管（IGCT）和电力加强注入型绝缘栅极晶体管（IEGT），90年代出现智能功率模块（IPM）。由于这些元器件的出现搜企网版权所有，相应出现了以这些逆变器件为主的变频器，反过来，变频器要求逆变器件有个理想的静态特性：在阻断状态时，能承受高电压；在导通状态时，能大电流通过和低的导通压降汉阳科技版权所有，损耗小，发热量小；在开关状态转换时，具有短的开、关时间，即开关频率高，而且能承受高的du/dt；全控功能moc.swenaii.www，寿命长、结构紧凑、体积小等特点，当然还要求成本低。上述这些电力电子器件有些是满足部分要求，有些是逐步向这个方向发展，达到完善的要求moc.oadihziug.www，特别是中（高）压变频器更需要耐压高的元器件。3、模块选择分析3.1 相关定义及公式我们以设计一台中压变频器为例，直流工作电压为3600V，。设电机功率因数为0.8，载波频率为3kHz鬼知道，输出频率为50Hz，采用下列公式分别用不同功率开关器件构成变频器的一个开关组件的指标进行估算。以400A的峰值电流Icp计算，采用下列估算公式1、稳定功耗2、开关功耗3、总功耗3.2 IGBT模块计算分析Uce（sat）=3.9V Esw（on）=4J Esw（off ）=2.3J则Pss=0.14254003.9=222WPsw=955.4（4+2.3）=6019WPc3=Pss+Psw=222+6019=6241W3.3 IEGT模块计算分析将IEGT与1700V IGBT进行比较，其他条件不变。IEGT我们选择ST750GXH21型号，其相关技术数据如下：Icp=750A Uce=4.5V Ucc=2400V Esw（on）=2.5J Esw（off ）=3J则 Pss=0.1425IcpUce（sat）=0.14257504.5=481WPsw=955.4（Esw（on）+ Esw（off）=955.4（2.5+3）=5255WP c4=Pss+Psw=481+5255=5736W因其工作电压Ucc=2700V，则用3只FZ400R17E3串联后两串再并联。计算后功耗为：Pc5=2396W4 结论IGCT的情况比6500V IGBT或IEGT效果更差搜企网版权所有，这里不再对IGCT进行比较。现在将上述计算结果进行对比，在完成完全相同的任务时工业自动化网，以1700V的IGBT器件为基准，不同电压等级的器件消耗的功率之比率如下：1700V IGBT Pc1/Pc1=15971597=13300V IGBT Pc2/Pc1=31271597=26500V IGBTPc3/Pc1=62411597=3.94500V IEGTPc4/Pc5=57362396=2.39从上述计算中www.MMS，可以看出，6KV、10KV高压变频器用1700V的IGBT串联moc.swenaii.www，有特别明显的优势：1、在相同的损耗下，低压IGBT可以获得更高的开关频率www.IIA，从而获得更好的输出电压波形。反之，其他器件开关损耗大了塑料工业网版权所有，散热成了大问题，解决办法只有降低开关频率，这必然带来波形变差，性能下降。2、1700V IGBT逆变元件www.SOOQ.cn，2000年