模拟电子电路基础17章思考题答案.ppt

温度为什么会影响半导体器件的性能？答：由于温度影响载流子的浓度，而载流子的浓度决定了半导体的导电性能，因此温度会影响半导体器件的性能。如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性？答：当PN结正向偏置且UUT时，iISeU/UT，电流随电压按指数快速变化，呈现出很小的电阻，说明PN结正向偏置时相当于开关导通，同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化相同。当PN反向偏置且UUE，且UBE0.7V（硅管）；PNP型管工作在放大区的条件：UEUBUC，且UEB0.7V（硅管）。,放大电路有何特点？其中的交流信号与直流信号有何关系？答：放大电路中直流信号和交流信号共存，其中交流信号驮载在直流信号上，直流信号影响交流信号的失真。什么是静态工作点？静态工作点如何影响放大电路？答：静态时晶体管各电极的直流电流和直流电压常称为静态工作点，简称为Q点(Q-point)。Q点包括IBQ、ICQ、IEQ、UBEQ、UCEQ。只有设置合适的Q点，使晶体管在信号整个周期内全部处于放大状态，放大电路的输出波形才不会失真。放大电路的组成原则主要包括哪两个方面？静态时晶体管工作在放大区，有合适的Q点；动态保证交流信号的有效传输，即输入信号能作用到发射结以产生变化的iB和iC（或iE），iC（或iE）能够产生输出信号作用到负载。,为何能将电子电路分解为直流通路和交流通路？如何画直流通路和交流通路？直流通路和交流通路有何用途？答：放大电路中交流信号和直流信号共存，但直流信号和交流信号作用时半导体器件的模型不同，且电路中的电容、电感等元件的等效电路也不同，从而使得交流信号和直流信号流过的通路不同，因此可将电子电路分解为直流通路和交流通路。画直流通路时信号源、电感短路，电容开路；画交流通路时直流电压源、容量较大的电容短路。利用直流通路可估算静态工作点。利用直流通路和交流通路可理解放大电路能否正常放大（即理解放大电路的组成原则）。另外还可利用直流通路和交流通路通过图解法分析放大电路的静态和动态，利用交流通路和晶体管的交流小信号模型分析放大电路的动态参数。,图解法有何优缺点？如何用图解法分析静态工作点、非线性失真、最大不失真输出幅度？答：图解法优点：能比较直观、全面地反映晶体管的工作情况。缺点：不方便晶体管特性曲线不易得到当输入信号较小或者频率较高时不准确，只适用于信号幅度比较大、变化比较慢的信号（低频大幅值信号）。图解法分析静态工作点：画直流通路，列输入、输出回路方程，在输入特性上作输入回路负载线确定IBQ、UBEQ，在输出特性上作输出回路负载线确定IBQ、UBEQ。图解法分析非线性失真、最大不失真输出幅度：在输出特性上作直流负载线确定Q点，过Q点作交流负载线，画uO波形，分析非线性失真和最大不失真输出幅度。,直接耦合放大电路与阻容耦合放大电路各有何特点？它们的直流负载线与交流负载线各有何关系？答：直接耦合放大电路能够放大直流和缓慢变化的交流信号以及中频和高频信号，负载上既有直流信号又有交流信号；而阻容耦合放大电路不能放大直流和缓慢变化的交流信号，但可放大中频和高频信号，负载上只有交流信号。直接耦合放大电路的直流负载线与交流负载线斜率相同，因而重合；阻容耦合放大电路直流负载线斜率比交流负载线斜率小，因而交流负载线比直流负载线陡。PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相吗？如何根据波形判断其截止失真和饱和失真？答：PNP型晶体管共射放大电路输出电压与输入电压反相，其输出波形出现的底部失真为截止失真，而顶部失真为饱和失真。,如何画晶体管h参数等效模型？其使用条件是什么？答：晶体管h参数等效模型包括两部分：b-e间为rbe，c-e间为受控电流源ib。h参数等效模型的使用条件是：输入信号为中低频交流微小信号。rbe公式？rbe的值受哪些因素影响？答：，其值受rbb，静态电流、温度等的影响。,如何快速判断晶体管基本放大电路是哪种接法（共射、共集、共基）？答：先看输入信号和输出信号连接哪两个端口，剩下哪个端口即为哪种接法。共射放大电路有何特点？答：既能放大电压，又能放大电流；Uo与Ui反相；电压放大倍数|Au|大。,要实现电压放大，可选用什么单管放大电路？要实现电流放大，可选用什么单管放大电路？要实现电压跟随，应选用什么单管放大电路？要实现电流跟随，应选用什么单管放大电路？若信号源为内阻较小的电压源，要求放大电路输入电阻大，则应选用什么单管放大电路？若信号源为内阻很大的电流源，要求放大电路输入电阻小，则应选用什么单管放大电路？需要宽频带放大器，应选用什么单管放大电路？答：共射或共基；共射或共集；共集；共基；共集；共基；共基。,典型稳Q电路中为使基极电压基本恒定，要求Rb1/Rb2UGS-UGS(th)。,设计放大电路时需要考虑在某种条件下管子能否工作在放大状态：UGS0时能工作在恒流区的场效应管有哪些？UGS0时有：P沟道JFET、N沟道增强型MOS管、N沟道耗尽型MOS管、P沟道耗尽型MOS管；UGSC，且CRL,简化的高频混合模型,C密勒等效变换,放大电路的fL和fH分别决定于什么参数？多级放大电路的fL、fH、fbw与组成它的各级放大电路的fLk