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Array制程与检测介绍,上海天马微电子有限公司,TFT-LCD简介1.何谓TFT-LCD：TFTThinFilmTransistor薄膜晶体管LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示器2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点，故已广泛使用于各类显示器材上,數碼相機,數碼攝錄影機,汽車導航顯示器,數碼影音光碟機,筆記型電腦,桌上型顯示器,液晶電視,解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目,Cell工程,Module工程,TFT工程,PhotoProcessResistCoating,SpincoatingSlit(extrusion)coating,薄膜生长制程,PVD,利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应湿刻,将显影后所产生的光阻图案转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形.,刻蚀,利用等离子体电浆去除薄膜未被光阻覆盖的部分干刻,Etchingtype,Substrate,ChemicalIsotropic,PlasmaIsotropic+Anisotropic,Wetetch,Dryetch,PR,PR,膜,膜,基板,基板,Isotropic,Anisotropic,Etchant等方向浸入造成SideEtch,Etchingtypeselection,PEP1Mo/AlNdwetetchPEP2SiNx/-Si/n+-SidryetchPEP3Mo/Al/Mo;-Si/n+-Siwet/dryetchPEP4SiNxdryetchPEP5ITOwetetch,干刻用气体,反应方程：Cl2+SF6+SiSiF4+SiS2+其他Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。,a-Si的刻蚀,反应方程：SF6+HeSiNSiF4+SiS2+其他SF6：F元素的供给源。He：使等离子体均一化,2.SiN的刻蚀,3.PR灰化（Ashing）,反应方程：PR+O2O2：利用等离子体方法去除PR,O2：有利于形成Taper角,湿刻,M1：Mo/AlNdM2：Mo/Al/MoITO草酸（H2C2O4）,HNO3+CH3COOH+H3PO4,Etchingmode,Spray喷淋,Spray+Dip,Dip浸入,Goodtapershape,FasterEtchingrate,AOI,3GB44unit=132GB,GSize,TheCCDsensordetectthesubstrate,Imagebytheprocessunit.Defectcanbereviewedprecisely,AOIAutoopticalinspection,TEGproberandTester,Arraylaserrepair,AfterStriper,Afterlaserrepair,Inlayerrepair(PEP1),DatafromAOI,Example:,Metal,Al/ND:532nm,Defecttype,Repairmethod,Metalresidue,Metalresidue,GCshort,用Blocklaser将残留metal打掉,用Blocklas