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电子级硫酸电子级硫酸 电子级硫酸主要用于硅晶片的清洗、光刻、腐蚀，印刷电路板的腐蚀和电镀清洗。电 子级硫酸用于硅晶片的清洗已有 30 多年的历史。电子级硫酸是半导体工业常用的八大化学 试剂之一，消耗量居第三位。电子级硫酸与集成电路的发展密切相关。随着电子工业的发 展，电子级硫酸的研制和生产亦得到了快速发展，我国现已能够进行 MOS 级、BV级电 子级硫酸的生产。电子级硫酸属高附加值产品。 正文目录正文目录 1 1 产品市场分析产品市场分析 1.1 产品用途 1.1.1 电子级硫酸应用领域和用途 1.1.2 电子级硫酸应用领域发展趋势 1.2 国外市场预测分析 1.2.1 国外市场供应现状及预测 1.2.2 国外电子级硫酸生产技术情况 1.2.3 国外市场需求现状及预测 1.2.4 国外市场供需平衡分析 1.2.5 电子级硫酸替代品概况 1.2.6 国外主要电子级硫酸企业 1.3 国内市场预测分析 1.3.1 市场供应现状及预测 1.3.2 市场需求现状及预测 1.3.3 产品需求周期性分析 2 2 产品的竞争力分析产品的竞争力分析 2.1 目标市场分析 2.1.1 目标市场选择与结构分析 2.1.2 我国电子化学品产业的发展分析 2.1.3 主要用户分析 3 3 电子级硫酸产业链分析电子级硫酸产业链分析 3.1 电子级硫酸产业链分析 3.1.1 电子级硫酸产业链模型介绍 3.1.2 电子级硫酸产业链模型分析 3.2 我国电子级硫酸产业发展“波特五力模型”分析 3.2.1 “波特五力模型”介绍 3.2.2 电子级硫酸市场环境“波特五力模型”分析 3.3 电子级硫酸行业上游原材料供应状况对价格走势影响深度分析 3.3.1 主要原材料分析 3.3.2 主要原材料 20062008 年价格 3.3.3 20092012 年主要原材料未来价格及供应情况预测 4 4 行业项目投资建议行业项目投资建议 4.1 产品技术应用注意事项 4.2 项目投资注意事项 4.3 产品生产开发注意事项 4.4 产品销售注意事项 4.5 项目投资可研报告基本框架 2 2 产品的竞争力分析产品的竞争力分析 2.12.1 目标市场分析目标市场分析 2.1.12.1.1 目标市场选择与结构分析目标市场选择与结构分析 在半导体生产过程中，硅晶片常常会被不同的杂质污染，这些杂质会导致硅晶片产率 下降。为了获得高质量、高产率的集成电路芯片，必须始终保持硅晶片清洁，尤其是在高 温工序之前(如扩散、外延生长和化学气相沉淀)。这是因为钠、中扩散并迅速移动到负电 荷区域，金、银、铜等重金属杂质会在温度下降时溶入二氧化硅中，从而影响了器件的性 能；硼、磷、砷等杂质离子会影响扩散剂的扩散效果；尘埃颗粒会导致线路故障。因此， 半导体生产几乎每两道工序之间都要进行清洗。在 90125的温度范围内，硫酸是一种 非常有效的清洗剂，它几乎可以除去硅晶片上所有的无机残留物与金属颗粒；在硫酸中加 入氧化剂(过氧化氢、过硫酸按、硝酸、臭氧等)可除去硅晶片上的有机物。 另外，电子级硫酸还应用在半导体硅晶片表面进行湿法蚀刻除去固体物质，如单晶硅 和多晶硅的蚀刻通常采用硫酸等混酸处理，光刻胶在经显影和图形转移后，晶体上已完成 屏蔽作用的光刻胶要用去胶剂除去，去胶剂一般为过氧化氢硫酸混合液。 印刷电路板生产中的腐蚀工艺是指从覆铜层压板上用腐蚀剂除去不需要的铜而留下铜 线路的工艺，常用的腐蚀剂有碱性铁、氯化铜、氯化铁、过氧化氢硫酸等。过氧化氢 硫酸腐蚀剂具有成本低、再生系统封闭、溶铜能力强、铜回收率高及可回收处理等优点， 是较理想的腐蚀剂。但该腐蚀剂操作不太安全，实际用量远远低于预期量，估计操作条件 的改善会增加使用量。 电子级硫酸还用于印刷电路板电镀中，除了镀铜工艺外，在镀镍、锡、金及其它贵金 属的电镀工艺中也有应用，主要是电镀前后的清洗。 在电子级硫酸下游市场份额中半导体硅晶片的清洗占 35%、半导体硅晶片的蚀刻占 26%、 印刷电路板的腐蚀剂占 17%、电镀清洗占 12%、其他用途占 10%。 图表图表 电子级硫酸下游市场份额情况电子级硫酸下游市场份额情况 半导体硅晶片的 清洗 35% 半导体硅晶片的 蚀刻 26% 电镀清洗 12% 其他 10% 印刷电路板的腐 蚀剂 17% 半导体硅晶片的清洗半导体硅晶片的蚀刻印刷电路板的腐蚀剂 电镀清洗其他 资料来源：中国产业竞争情报网资料来源：中国产业竞争情报网 2.1.22.1.2 我国电子化学品产业的发展分析我国电子化学品产业的发展分析 （1 1）全球电子化学品发展走势）全球电子化学品发展走势 2000 年一些电子化学品的需求增长了 30%以上，但 2001 年全球半导体工业走低, 使电 子化学品销售业务下降, 利润率受到威胁。但半导体工业于 2002 年上半年出现反弹。亚洲 国家经济复苏, 半导体芯片、电子化学品以及电子和通讯产品销售业务上扬。大多数公司 创造了很好的利润纪录, 一些电子化学品价格稳定, 利润大幅提高。 半导体和电子化学品行业的中、长期发展前景看好。半导体中期平均增长率估计为 10%- 15%。积极投资新建和扩建产能将使电子化学品生产厂获益。多数新装置采用新一代 300mm 晶片和亚 0.25 微米设计技术。预计随着光刻胶从传统的 g 一线转向先进的 l 一线和 DUV, 许多科研工作都瞄准光刻胶的开发。在新型 DUV 光刻胶日益得到广泛应用的时候, 供应商 和政府实验室联合已经开始了对新一代 EUV 光刻胶的开发。 半导体工业的发展还将推动多晶硅和砷化稼、磷化锢等半导体材料需求的增长。 2008 年全球电子化学品(硅晶片除外)市场总价值为 200 亿美元, 前 10 家大型公司占 有 50%的市场份额。在 10 大公司中日本占 4 家, 住友化学公司的销售额位居榜首, 主要产 品是光刻胶, 其子公司住友酚醛塑料的产品包括电子聚合物、模压复合物、封装材料和电 子粘合剂。另外两家排名前 10 位的日本公司是京都化工和信越。前者是全球最大的光刻胶 和助剂生产厂。后者排行第 8，生产多晶硅、光刻胶和封装材料。亚洲其他大型公司还有 台湾的南亚和长春，后者生产封装材料和模压复合物、光刻胶和湿法技术化学品。 亚洲电子化学品市场正在迅速发展, 过去在亚洲市场上, 日本、台湾和韩国主导前端 产品生产；中国、马来西亚、菲律宾、新加坡和泰国聚焦于后端产品的试验和组装。但目 前中国、马来西亚、新加坡和泰国正在为发展电子工业寻求广阔的基地,并试图开展前端产 品生产。 在全球 20 家大型半导体公司中新加坡占 10 家,裕廊岛已成为晶片生产的重要基地。上 述国家晶片生产装置的增加推动了前端化学品需求的增长, 如光刻胶和脱膜剂、电子和专 用气体等有关光刻技术化学品以及过氧化氢、酸类和溶剂等湿法技术化学品。 德国的大型公司一默克电子化学品在马来西亚和台湾已有几套专用电子化学品提纯装 置, 在新加坡和日本也设有合资企业。阿什兰化学公司在韩国设有光刻胶脱膜和蚀刻残渣 排除用化学品装置, 在高雄与联合石化公司建有一套 50/50 超纯化学品合资企业。瓦克公 司最近收购了新加坡经济开发署在新加坡 Wacker Silfronic 企业中的 20%股份, 装置生产 能力增加到了 12 万晶片/月。此外还收购了日本钢铁公司半导体业务中 55%的股份, 在日 本组建了 Wacker NSC Electron 公司。 （2 2）我国电子化学品发展情况）我国电子化学品发展情况 目前,我国需电子化学品近 2 万种,占各类电子材料品种数的 65 %。电子化学品的市场 销售额已从 1990 年的 20 亿元发展到目前的 90 亿元。从事电子化学品研制生产的骨干单 位已有 100 多家,产能约 2 万 ta - 1 ,能批量生产的品种近 1200 种,年产值约 6 亿元。 预计 2010 年电子化学品的市场销售总额将达到 260 亿280 亿元,总体技术水平能达 到上世纪 90 年代末和本世纪初的国际先进水平,在集成电路和分立器件用化学品、彩电用 化工材料、印刷线路板用化工材料和液晶显示器件用化工材料等方面将有较大的发展。 我国于 20 世纪 70 年代中期开始研制微电子化学品,80 年代由北京化学试剂研究所在 国内率先研制成适于中、小规模 IC 产业 5m 工艺技术用 MOS 级试剂。目前国内生产 MOS 级试剂的单位有:北京化学试剂研究所、北京北化精细化学品有限公司、天津化学试剂三厂、 上海化学试剂三厂、广州化学试剂厂、重庆东方试剂总厂等。随着 IC 集成度的不断提高, 对微电子化学品中的可溶性杂质及固体颗粒的控制也越来越严格,为满足 IC 产业的发展要 求,我国于“六五”至“八五”期间将微电子化学品的研发列入国家重点科技攻关计划,并 由北京化学试剂研究所承担技术攻关。近年来,他们相继研制出了 BV2 、BV2 、和 BV2 级微电子化学品,其中 BV2级已达到国际 SEMI2C7 标准的要求,适用于 018112m 工 艺技术的加工制作,并于“九五”末形成了 500t/ a 的生产规模,这是目前我国生产的较高 水平的微电子化学品。从整体上看,由于我国微电子化学品研究生产起步较晚,国家和社会 投入有限,导致发展水平较低,与微电子工业的飞速发展不相适应,一些技术难度较大的产品 仍要依赖进口。即使现有的产品也存在生产能力低、产品等级低、成本高等问题,严重制约 了我国 IC 业的发展。 可喜的是,日本三菱电化公司香港公司于 2003 年在我国广东省珠海投资兴建电子化学 品生产企业,以作为华南地区微电子化学品的供应基地;MacDermid 公司除在中国的番禺和 香港建有生产装置外,目前正在上海郊外建新装置,以提高其电子化学品在中国市场的份额; 近年新成立的上海华谊微电子化学品有限公司,专门从事微电子化学品的研究和开发,拟在 近期建造超纯过氧化氢、超纯氨水、超纯硫酸等工业生产装置,这将是我国微电子化学品的 产业化标志。相信以上这些必将带动我国微电子化学品工业的发展,为 IC 产业提供可靠的 原材料保障。 微电子化学品的生产具有高技术含量、高精密度、高附加值、高风险的特点,是当今世 界精细与专用化学品领域激烈竞争的焦点,也是衡量一个国家科技水平的重要标志之一。为 适应 IC 业的发展,我国在满足 23m 技术基础上重点进行适用于 0.50.8m 工艺技 术用微电子化学品的攻关和生产,预计“十一五”末我国微电子工业对 SE-MI-C7、SEMI-C8 级微电子化学品的总需求量将达到 4 万5 万 t/a。所以,微电子化学品的开发前景是非常 广阔的。 2.1.32.1.3 主要用户分析主要用户分析 集成电路作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，在推动 经济发展、社会进步、提高人民生活水平以及保障国家安全等方面发挥着重要作用，已成 为当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。 “十一五”期间，大力发展集成电路产业，尽快建立一个自主创新能力不断提高、产 业规模不断扩大的产业体系，对于保障信息安全、经济安全、增强国防实力，以及推动社 会进步，提高人民生活水平，具有极其重要的战略意义和现实意义。 按照国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要中“大力发展集成电路、软件和 新型元器件等核心产业”以及信息产业“十一五”规划中“完善集成电路产业链”的 总体要求，在深入研究、广泛调研的基础上，突出集成电路行业的特点，编制集成电路专 项规划，作为集成电路行业发展的指导性文件和加强行业管理的依据。 一、 “十五”回顾 产业和市场规模迅速扩大。自从 18 号文件颁布以来，我国集成电路产业进入发展最快 的历史阶段。2005 年集成电路产量达到 266 亿块，销售收入由 2000 年的 186 亿元提高到 2005 年的 702 亿元，年均增长 30.4%，占世界集成电路产业中的份额由 1.2%提高到 4.5%。 市场规模迅速扩大，2005 年我国集成电路市场规模较 2000 年翻了两番，达到 3800 亿元， 占全球比重达 25%，成为全球仅次于美国的第二大集成电路市场。 部分关键技术领域取得突破。32 位 CPU 芯片、网络路由交换芯片、GSM/GPRS 手机基带 芯片、TD-SCDMA 基带芯片、数字音视频和多媒体处理芯片、第二代居民身份证芯片等一批 中高端产品相继研发成功并投入市场，产品设计能力达到 0.18 微米，集成度超过千万门； 集成电路芯片生产线工艺水平达到 12 英寸 0.13 微米，90 纳米工艺技术研发取得进展，与 国外先进水平之间的差距明显缩小；分辨率 193nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机、 100nm 大角度离子注入机、100nm 高密度离子刻蚀机等重大技术装备取得重要突破。 产业结构日趋合理。我国集成电路产业已初步形成了设计、芯片制造和封装测试三业 并举、较为协调的发展格局。经过“十五”的发展，设计业和芯片制造业在产业中的比重 显著提高，由 2000 年的 31%提高到 2005 年的 50.9%，封装与测试比重由同期的 69%下降到 49.1%，较为合理的产业结构初步形成。 骨干企业成长迅速。2005 年销售额过亿元的集成电路设计公司已近 20 家，一批集成 电路设计公司成功上市。上海华虹 NEC 电子有限公司、中芯国际集成电路制造有限公司等 企业的工艺技术水平大幅提高，国际竞争力显著增强，成为全球第七位和第三位芯片加工 企业。2005 年销售额过 10 亿元的封装测试企业超过 10 家，江阴长电科技股份有限公司、 南通富士通微电子股份有限公司、天水华天科技股份有限公司等封装测试企业产能不断扩 大，技术水平不断提升。 产业集群效应凸显。集成电路产业集聚效应明显，2005 年长江三角洲、京津地区集成 电路销售额之和达到 644.17 亿元，占同年全国总销售额的 91.7。国家（上海）集成电 路产业园、国家（苏州）集成电路产业园等 5 个国家级集成电路产业园区集聚和辐射带动 作用日益显现。 产业环境逐步改善。 鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的颁布实施，集成 电路专项研发资金的设立，知识产权保护力度不断加强，为我国集成电路产业提供了良好 的政策环境，极大地调动国内外各方面投资集成电路产业的积极性，5 年来吸引外资累计 约 160 亿美元。 尽管“十五”期间成绩显著，但是集成电路产业仍存在诸多问题。产业政策尚未完全 落实到位，投融资环境还有待进一步改善；自主创新能力薄弱，缺乏核心技术和自主品牌； 产业研发投入严重不足，总体技术水平与国外有很大差距；制造技术以代工为主，缺乏自 主品牌；产业规模小，与国内市场规模差距较大；产品结构滞后于市场需求，进出口贸易 逆差不断扩大；集成电路专用材料及设备自给率低，集成电路产业链并未完善；集成电路 高级专业人才缺乏。 二、 “十一五”面临的形势 （一）集成电路技术发展趋势 市场和技术双重驱动创新。第三代移动通信、数字电视、下一代互联网等领域重大技 术和市场的快速发展， “三网融合”的不断推进，驱动集成电路产业的技术创新和产品创新。 多技术、多应用的融合将催生新的集成电路产品出现，纳米技术的发展、新体系架构等新 技术发明也在孕育着新的突破。 集成电路设计新技术不断涌现。随着 90 纳米及以下微细加工技术和 SoC 设计技术的发 展，软硬件协同设计、高速、高频、低功耗设计、IP 复用、芯片综合时序分析、可测性 可调试性设计、总线架构、可靠性设计等技术将得到更快的发展和更广泛的应用。 6545 纳米工艺将实现产业化。 “十一五”期间，12 英寸、6545 纳米微细加工工艺 将实现工业化大生产，铜互联工艺、高 K、低 K 介质材料等将大规模采用；新型栅层材料、 下一代光刻技术、光学和后光学掩模版、新型可制造互连结构和材料、光刻胶等工艺、材 料将成为技术研发的重点；SOI、SiGe 等材料显示出了良好的应用前景。 适应更高要求的新型封装及测试技术成为主流。集成电路封装正向高密度、高频、大 功率、高可靠性、低成本的方向发展。球栅阵列封装(BGA)、芯片倒装焊(Flipchip)、堆叠 多芯片技术、系统级封装(SiP)、芯片级封装(CSP)、 多芯片组件(MCM)等封装类型将是 “十一五”期间的主流封装形式。随着芯片性能的提高和规模的扩大，测试复杂度不断提 高，自动测试技术和测试设备将快速发展，高速器件接口、可靠性筛选方法、高效率和低 成本的测试技术等将成为测试的发展重点。 （二）集成电路市场分析 从上世纪 70 年代以来，世界集成电路市场虽有波动，但仍保持了年均约 15的增长 率。经历了 2001 年的衰退后，世界集成电路市场销售额逐年增长，2005 年实现销售额 1928 亿美元，达到历史最好水平。预计“十一五”期间，集成电路整体市场将保持平稳增 长，波动幅度将趋缓，到 2010 年世界集成电路市场规模约为 3000 亿美元，平均增长率约 14%。微处理器与微控制器、逻辑电路和存储器等三大类通用集成电路仍将占据主要市场， 专用集成电路市场将较快增长。 未来 5 年，我国集成电路市场将进一步扩大，预计年均增长速度约为 20%，到 2010 年， 我国集成电路市场规模将突破 8300 亿元，采用 0.18 微米及以下技术的产品将逐步成为市 场的主流产品，产品技术水平多代共存将是我国集成电路市场的特点。信息技术的快速发 展，新应用领域的出现如移动通信、数字音视频产品、智能家庭网络、下一代互联网、信 息安全产品、3C 融合产品、智能卡和电子标签、汽车电子等的需求将形成集成电路新的经 济增长点。 “十一五”期间我国集成电路进口额年均增长率将在 15%以上，贸易逆差局面难以得 到改变。 （三）集成电路产业面临的环境 国内产业政策环境将不断改善。中央、地方各级政府和有关部门高度重视集成电路产 业的发展， 进一步鼓励软件产业与集成电路产业发展的若干政策等政策的出台，将为集 成电路产业发展提供更加有利的政策环境。 投资强度和技术门槛越来越高。1 条 12 英寸集成电路前工序生产线投资规模超过 15 亿美元，产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创 新能力成为竞争的关键。 国外高端技术转移限制仍将继续。作为战略性产业，全球主要发达国家越来越重视集 成电路产业发展，为保持其领先地位，仍将控制关键技术装备、材料、高端设计和工艺技 术向发展中国家转移，国内产业面临的技术挑战仍将长期存在。 知识产权和专利等摩擦将加剧。随着全球化竞争的不断深入，跨国公司利用其在技术、 市场和资金的主导地位，更多地采用知识产权等技术手段开展竞争，国内企业发展面临各 方面的压力。 三、 “十一五”发展思路与目标 （一）发展思路 继续落实和完善产业政策，着力提高自主创新能力，推进集成电路产业链各环节协调 发展。以应用为先导、优先发展集成电路设计业；积极发展集成器件制造（IDM）模式，鼓 励新一代芯片生产线建设，推动现有生产线的技术升级；提升高密度封装测试能力；增强 关键设备仪器和基础材料的开发能力。形成以设计业为龙头、制造业为核心、设备制造和 配套产业为基础，较为完整的集成电路产业链。 设计业：鼓励设计业与整机之间的合作，加快涉及国家安全和量大面广集成电路产品 的设计开发，培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业，开发具有自主知识产权的集成 电路产品。 制造业：鼓励现有生产线的技术升级和改造，形成 90 纳米工艺技术的加工能力；积极 发展集成器件制造（IDM）模式，鼓励新一代芯片生产线建设；引导产业向有基础、有条件 的地区集聚，形成规模效应， 封装测试业：加快封装测试业的技术升级。积极调整产品、产业结构，重点发展 SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM 等先进封装技术，提高测试水平和能力。 材料、设备等支撑业：以部分关键设备、材料为突破口，重视基础技术研究，加快产 业化进程，提高支撑能力。 （二）发展目标 1、主要经济指标 到 2010 年，我国集成电路产业产量达到 800 亿块，实现销售收入约 3000 亿元，年均 增长率达到 30，约占世界集成电路市场份额的 10%，满足国内 30的市场需求。 2、结构调整目标 到 2010 年，集成电路产业结构进一步得到优化，芯片设计业在行业中的比重提高到 23，芯片制造业、封装与测试业比重分别为 29和 48，形成基本合理的产业结构。 3、技术创新目标 到 2010 年，芯片设计能力大幅提升，开发一批具有自主知识产权的核心芯片，主流设 计水平达到 0.13m90nm；国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到 30左 右。芯片制造业的大生产技术达到 12 英寸、90-65nm；封装测试业进入国际主流领域，实 现系统封装（SiP） 、芯片倒装焊（Flipchip） 、球栅阵列封装（BGA） 、 、芯片级封装（CSP） 、 多芯片组件（MCM）等新型封装形式的规模生产能力。12 英寸部分关键技术装备、材料取 得突破并进入生产线应用。 四、重点任务 （一）加快集成电路共性技术研发和公共服务平台建设 面向产业需求，建立企业化运作、面向行业的、产学研用相结合的国家集成电路研发 中心，重点开发 SOC 等产品设计、纳米级工艺制造、先进封装与测试等产业链各环节的共 性关键技术，为实现产业可持续发展提供技术来源和技术支持。 支持集成电路公共服务平台的建设，为企业提供产品开发和测试环境，在 EDA 设计工 具、知识产权保护、产品评测等方面提供公共服务，促进中小企业的发展。 （二）重点支持量大面广产品的开发和产业化 面向高清晰度数字电视、移动通信、计算机及网络、信息安全产品、智能卡及电子标 签产品、汽车电子等市场需求大的整机市场，引导芯片设计与整机结合，加大重点领域专 用集成电路（ASIC）的开发力度，重点开发数字音视频相关信源、信道芯片、图像处理芯 片，移动通信终端基带芯片、高端通信处理芯片、信息安全芯片等量大面广的产品，形成 一批拥有核心技术的企业和具有自主知识产权的产品。 （三）增强芯片制造和封装测试能力 提高产业控制力，支持“909”工程升级改造；继续坚持对外开放，积极利用外资，鼓 励集成器件制造（IDM）模式的集成电路企业发展，促进设计业、制造业的协调互动发展； 重点发展 12 英寸集成电路生产线，建设 5 条以上 12 英寸、90 纳米的芯片生产线；建设 10 条 8 英寸 0.130.11 微米芯片生产线，提高 6 英寸8 英寸生产线的资源利用水平；加强 标准工艺模块开发和 IP 核的开发，不断满足国内芯片加工需求。积极采用新封装测试技术， 重点发展 BGA、PGA、CSP、MCM、SIP 等先进封装技术，扩大产业规模，提高测试技术和水 平。 （四）突破部分专用设备仪器和材料 掌握 68 英寸集成电路设备的制备工艺技术，重点发展 812 英寸集成电路生产设备， 包括光刻机、刻蚀机、离子注入机、平坦化设备、掺杂设备、快速热处理设备，划片机、 键合机、硅片减薄机、集成电路自动封装系统等设备，具备为 68 英寸生产设备进行维护 和翻新能力；力争实现 100nm 分辨率 193nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机、高密度 等离子体多晶硅刻蚀机、大角度倾斜大剂量离子注入机等重大关键装备产业化；重点开发 12 英寸硅抛光片和 8 英寸、12 英寸硅外延片，锗硅外延片，SOI 材料，宽禁带化合物半导 体材