[资料文档]阿法IGBTVIP

我的 IGBT (MOS) +可控硅 的混合后级，可以输出多种不同的波形，供大家参考讨论。下面是其中一种混合后级图：没有 参数和详细电路，没有各地通用的机子， 请根据实际情况 自己添加，修改。调节IGBT的脉宽，就可以输出不同的波形。：好图！应该省电，电鱼效果好。：我认为IGBT加入电容电感后上升沿有斜坡，如果要直上就要先开启IGBT后再开启硅，下降时可先关闭硅，把没用的拖尾关闭，就做到省电了。如说不对请谅：不能先关闭可控硅，不然电容上的电就不能放完，下一个周期的升压效果就不好了，（难道大家都是认为电容放电的拖尾部分波形有很多能量？）：这个我是猜想，拖尾的能量不知是否有用，IGBT（MOS）的平顶波确实电鱼效果差，我昨天试机时就是加入了拖尾才有杀伤力，那个尖峰也很有用，双尖峰更强一点，这个要实战才知道，上帖我说错了莫怪。:呵呵，如果同时触发，那可控硅就没有用途了。：阿法CH，今天实验得出一个道理，电鱼的脉宽在300US-1MS就可以了，主要有功率存在使电压升高就可以了，刚才用以下的波形去试了一下机，电杆下水二米宽的鱼所有都反肚了，比原来的不知好上多少。不要硅了，只要IGBT（MOS）做好保护，调整好电容电感就好了。200W灯炮的图：看不到电压90欧电热丝：谢谢您的意见，我的这个电路不用后面的可控硅也是可以工作的，不过加了这个可控硅，输出波形的上升沿会更好，电鱼也会效果更好，这种结构电路的输出效果，在我这里确实比用IGBT直接输出的效果更加好，IGBT的保护基本上没问题，我的25N120保护点是 1000V 35A 左右。你的电路如果在MOS 的D上串联一个二极管，阻止了LC的继续振荡，就可以把波形的上面部分变得宽一些，（这样就只有上升沿是正弦波，下降沿就是单单的电容放电波形了），不过，这样却是没有了你的2峰，3峰了，呵呵！（和我的这个电路不用可控硅差不多就是一样了）：主要效果好就好了，电路是五花八门，我们共同努力。:呵呵，正解！:200W负载输出脉冲电压1600V，500W电热丝（92欧）输出脉冲电压1350V，倍压直流780V，900V/9A的K2611二只并联没事，证明MOS完全可做鱼机输出级。我原来的那个调制频的不要了，太复杂，明天再找几只25N120试一试。:电路板走线合理就不会干扰，因为后级分开与前级完全隔离，而且是接插件，上图已很清楚了。:呵呵，同伙好！这个后级我早试了，主要是看中了 输出 先尖峰后平顶 这个功能。我还有个后级也是 IGBT +可控硅的，能输出 多种 乱七八糟 的波形，呵呵，效果比单单用IGBT的都要好。:呵呵，前辈不敢当，电压是2档的，高档好像是3T/120T 倍压整流空载最高输出是1000-1050伏左右，开环的，用一个25N120 ， IGBT的电流保护点选择是35A左右，基本上没问题。老烧IGBT，估计：1，驱动不足，2，电流保护点选择过大，3，短路时，关闭速度不够，4，没有辅助吸收尖峰电路。仅供参考:这个电路实际上就是普通的 串2硅 的 变形，用IGBT增加了后面的平顶.1，由于有L的缓冲，这个电路的IGBT保护相对于IGBT直接输出的电路要求低一些，L尽量大一些，这样升压效率更高，并且对IGBT的冲击更小.2，工作循序，先开通IGBT，- 再过1-2MS后触发可控硅（IGBT+L+C大约 1MS就已经完成升压），可控硅请选择耐压比较高的。3，调整IGBT的脉宽，就可以改变输出的波形。4，效果各地肯定不同，这个电路值不值得试，请自己考虑。:上一个刚刚做的，就一个 IGBT 二极管 LC ，没有用可控硅的 波形，几乎和这个波形一样了:如果把IGBT上串的二极管及可控硅都去掉如何？也一样吧！波形应该是平顶过后有电感尖峰，不是尖峰后平顶，尖峰后的斜坡是小电容供给的！如此一来，短路时IGBT更安全，输出更有力。/viewthread.php?tid=1525&extra=&page=1五一长假，本来今天想去电鱼的，但感觉没有尖锋输出的IGBT效果不太理想，于是花了一天时间做实验，实验过程硅挂了三个，6A10、HER308挂了两个，IBGT保护做得好没出问题。最后总算成功了，电路结构是IGBT+可调脉宽的单硅后级，还是上图直观点：下面是电路图，实在是太简单了，单硅后级电路，看清楚了我用IGBT代替原电路的可控硅，在这里不用硅了，再加一个开关K就可以实现两种方式输出放电老师，我的IGBT原来是跳频输出，现在改成脉冲群输出，单硅是混频输出。我要对比下哪个好用。 昨天改了下参数，主要是提高IGBT的保护电流，现在是两支500W太阳灯并联直接启动，电容加大1U，跳频改脉冲群，即单硅的混频。由于IGBT开通时电容瞬间放电的冲击电流非常大，造成IGBT的CE压降达到保护阀值（而硅能承受瞬间冲击电流能达十多倍的额定电流），所以单个40N120只能用到4U的电容，如果两个并联应该能上8U。参考40N120的特性曲线，我将CE极保护电压调到6V，此时能承受的瞬间电流上升至200A，现在两支500W的太阳灯并联都能直接启动了（650V档）。以下是40N120的曲线图今天下午再次试机，后级改了混频+跳频（3525+3843驱动），还是常去的那条小河（深0.5-1.0，宽1.0-2米），今天水较前天清，IGBT用650V出不了功率，用800V档，主频70+混频+跳频，脉宽1.8MS，输入电流在四十安上下，手掌大的罗非抄网动作慢点会沉。参数不变改用单硅方式，电流会增加10A，换650V低压档，脉宽调至1MS（以纯单硅方式输出），电流接近40A，电罗非效果与IGBT相当，与我的600W单硅混频没差别，由于鱼很少（经常电），试机20分钟收队。到此我的IGBT机可以说是成功了，IGBT的保护与驱动已不是问题，剩下的是如何自动用不同的电压适应不同的水阻就OK了。最后有个疑惑是别人说IGBT省电，而我感觉没有相同的输入功率，效果是不会好过硅后级的，不知放电老师的IGBT机可否省电？以上仅代表个人看法！最后请教下电鱼老师傅：夏天电鱼是否要比冬天用大一点功率？ 师傅好！我以前也一直跟着高呼斩波式输出省电（以MOS/IGBT为主），效果好，是偶然一次把输出的频率/脉宽/电压三者搭配得刚好的结果（MOS），后来想在此基础上提高，反而变差，后来才做硅电路的，MOS加尖峰的，混频的，都不理想，适应水质不宽，老想着那次怎会效果很好呢？所以又重来用IGBT。IGBT是很难做好，如果做不好就是我取的这网名了-放电机器。其中好比硬件与软件，机器的各性能和保护一定要过关，但下水电鱼又是一回事了，原来不是很懂，经过实战和问老电手才知道有些门路，他们不要混频用手动当混频，我观察是2-3HZ左右，好了记下，把频率调高再把脉宽调小，省电又浮鱼，还有，电过的地方不要重来，鱼已记住了只有死都不会浮的了，好！又记住了。等等我就根据这些把频率做成乱频鱼就没法记住了，把控频定在3HZ-8HZ，在一个周波有三个不同频率输出（其中一半是很低的频率），最高频率达120HZ，脉宽用到600US-1000US左右，电压是在600V-1100V之间自动适应（原来1400V已降为1100V了），功率没法计算是因为输出很乱，电流表乱跳。这样