模拟集成电路设计原理_试题库1.pdf

模拟集成电路设计原理试卷(答题卷)（1） 一、填空题（共 30 分，每空格 1 分） 1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的 CMOS 工艺中，P 管做在_中，并且，在大 多数电路中，P 管的衬底与_（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得 _。 2. 对增强型 NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_， 增强型 PMOS 处于饱和时的条件为_。 3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_，用第二级运放实现 _。 4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过 向沟道区注入_来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬 底的_。 5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型 NMOS 管来说，发生强反型时的条件为 _。 6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_,但这个优点 是以较大的_、较低的_、较低的_和较高的 _为代价得到的。 7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络 A 和反馈网络，那么这个系统的开环增益为 _，闭环增益为_，环路增益为_。 8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为 80MHz，若现在带宽变为 16MHz，则环路增 益为_，闭环增益为_。 9. 为了使系统稳定，零点应处于_平面,并且让极点尽量_。 10. 对单级共源、共漏和共栅放大器来说， dB f3带宽最小的为_,原因是由于 _的存在， dB f3带宽最大的为_。 11. MOSFET的 版 图 由 电 路 中 的 器 件 所 要 求 的 _ 和 工 艺 要 求 的 _共同决定。例如，选择适当的 W/L 来确定跨导和其它电路参数，而 L 的最小值由工艺决定。 12. 对于理想的差动电路来说，电路将只对_进行放大，而且完全抑制 _变化的影响。 在套筒式和折叠式共源共栅这样的一级运放中，为了达到高的电压增益，可使其 _增大。 二、画电路图（共 16 分，每题 4 分） 1. 电流源做负载的共源共栅 2. PMOS 作输入器件的折叠式共源共栅 3. 电阻做负载的基本差动对 4. 套筒式共源共栅运放 三、简答题（共 14 分，每题 7 分） 1 （A） (B) 如上两图所示： （1）(A)和(B)的相同点是什么？具体的值为多少？ （2）(A)和(B)的不同点是什么？ 2套筒式共源共栅运放的缺点是什么？ 四、分析题（共 16 分，每题 8 分） 1.用小信号模型推导出下图的 out R,0, 0 2. 画出完整的 MOS 晶体管的小信号模型图，并根据下图，画出图中 1 M的 mbm gg 和随偏置 电流 I1的变化关系图。 五、计算题（共 24 分，每题 12 分） 1如果忽略沟道长度调制效应，请计算下图所表示的共栅级电路的传输函数。 2请回答问题并分别写出下面所有图的增益表达式。 图A ：(1)这是什么单级放大器？ (2) 0, 0 11 =； （3）0, 0 11 =； （4）= D R, 0, 0 11 ； 图B： (1)这是什么单级放大器？ (2) 0, 0 11 =； （3）0, 0 11 ； （4）= D R, 0, 0 11 ； 图A ：(1)这是什么单级放大器？ (2) 0, 0 11 =； （3）0, 0 11 =； （4）= D R, 0, 0 11 ； 图B： (1)这是什么单级放大器？ (2) 0, 0 11 =； （3）0, 0 11 ； （4）= D R, 0, 0 11 ； 图C；(1)这是什么单级放大器？ (2)