（微电子学与固体电子学专业论文）层叠片式ltcc微波滤波器设计与研究.pdf

摘要 摘要 移动通信事业的高速发展，对移动通信终端用射频元器件的小型化提出了越 来越高的要求。射频元器件小型化最初解决方案是采用高介电常数的微波介质陶 瓷的材料，但小型化程度有限，基于低温共烧技术( l o wt e m p e r a t u r ec o 一骶d c e r 锄i c ，l t c c ) 为基础的层叠结构设计可有效减小器件体积，是实现元器件向小 型化、片式化、高可靠性和低成本发展的有效途径。 层叠片式l t c c 微波滤波器是一种新型滤波器，最早出现于2 0 世纪8 0 年代 初，而国内直到最近几年，才开始对其进行研究。由于l t c c 微波滤波器有着巨 大的市场前景，从而成为众多企业竞争的焦点， 层叠片式l t c c 微波滤波器中不但在同一层中存在电磁耦合，而且在垂直的 层与层之间也存在着电磁耦合，同时有些层与层之问由通孔相互连接，因而在器 件内部分布着复杂的交叉耦合，这些祸合很难通过理论闭式( c l o s e df o 肋u l a t i o n ) 解析法精确求解，因此设计中通过a n s o n 公司三维场仿真软件h f s s ( h i 出 f r e q u e n c ys 咖c t i l r es i m l l l a t o r ) 对l t c c 微波滤波器三维结构模型进行仿真模拟和 参数提取。主要研究内容如下： 1 u c c 内埋置电感和电容设计， 分析推导出三维矩形螺旋电感和v i c ( v e r t i c a i l y - i n t e r d i g i t a t e d c a p a c i t o r ) 电容 的二端口导纳参数表达式，分别构建三维矩形螺旋电感和v i c 电容的等效电路模 型，并利用电路模型来提取出有效参数及各种寄生参数。通过使用a d s 、h f s s 软件分别对等效电路模型和实际三维结构螺旋电感、v i c 电容进行模拟仿真发现： 在发生并联谐振前的频率范围内，它们的等效电路模型是相当准确的，其中电感 等效电路模型s 散射参数在幅度响应上最大误差为2 5 d b ，相位响应最大误差为 1 6 度，电容等效电路模型s 散射参数的幅度响应最大误差o 0 2 d b ，相位响应最大 误差为8 度。 分别设计出大小为6 6 n h 和3 9 8 n h 的三维h e l i c a l 矩形螺旋电感以及大小为 7 ，9 5 p f 的v i c 电容，且它们都具有较高的品质因数和自我谐振频率。 2 层叠片式l 1 c 微波滤波器设计 详细介绍了层叠片式微波滤波器的设计方法及步骤。为提高层叠片式微波滤 波器的抗电磁干扰( e m i ) 能力，对滤波器阻带中的衰减极点进行设计。分别利用 摘要 集总lc谐振和分布参数谐振体引入单个、多个衰减极点；并且可根据需要，将衰减极点设置在高频或低频阻带中任意频率处。 结合l t c c 实际生产工艺，设计出截止频率为4 0 0 m h z 的最大平坦( b u t t e 刑o n h )型低通滤波器，该层叠片式滤波器三维外形尺寸为2 o m m 1 2 i n m 1 o m m ，总共由 十三层金属图案构成。利用集总l c 谐振在高频阻带引入衰减极点，设计出截止频率为3 0 0 m h z 的切比 雪夫( c h e b y s h e v ) 型低通滤波器，其中通带最大插入损耗为0 8 d b ，在4 8 0 m h z 引 入一个衰减嚣桑= 浮齄嚣鹭州摧塞霞赣攫捌jr 叠鹱遗l t 戮自嚣1 l f 赫琵絮* 蓼霾骝蘸 霹挺5 ；一i i 挥蔓i j 鞋慧塑舄* 蛙錾鳇薰鞠；静驻；鍪蠲蓊鬟霎淫矍羹琴；璧器站冀； 黧蛙鬻蚀漤颡镯嚣蜊群露；耄饔鞭臻嚣鍪稍鲻蓦题鞲。霆瓣瑟攀囊裁馨o o m p o n e n t s m i n i a t u r i z a t i o n ， i n t e g r a t i o n ，h i 曲r e l i a b i l i t ya n dl o wc o s t s a b s t t a c t s - p a r a m e t e r s a n dt h ee q u i v a l e n tc i r c u i to fc a p a c i t o rh a dm a x i m u me l l o ro 0 2 d bi n a m p l i t u d er e s p o n s ea n d 8d e g r e e si np h a s er e s p o n s eo fs - p a r a m e t e r s t h e s ee q u i v a l e n t c i r c u i tm o d e l sw e r eu s e dt oe x t r a c te f f e c t i v ea n dp a r a s i t i cp a r a m e t e r s w er e s p e c t i v e l yd e s i g n e d6 6 n ha n d3 9 8 n h3 dh e l i c a lr e c t a n g l ei n d u c t o r sa n d z 9 5 p fv i cc a p a c i t o r , a n da l lo ft h e mh a dh i l g hq u a l i t yf a c t o r ( q ) a n ds e l fr e s o n a n t f r e q u e n c y 2 t h ed e s i g no fm u l t i l a y e rl t c cm i c r o w a v ef i l t e r t h ed e s i g nm e t h o da n ds t e p so f m u l t i l a y e rl t c cm i c r o w a v ef i l t e rw e r ei n t r o d u c e d i no r d e rt oi m p r o v ea n t i e l e c t r om a g n e t i ci n t e r f e r e n c e ( e m i ) a b i l i t yo ff i l t e r , w e d e s i g n e da t t e n u a t i o np o l e si nt h er e j e e tb a n dt os u p p r e s ss o m ee m i m a d eu s eo f l u m p e dl cr e s o n a n to rd i s t r i b u t e dp a r a m e t e rr e s o n a n tt oi n t r o d u c es i n g l eo rs e v e r a l a t t e n u a t i o np o l e sr e s p e c t i v e l y , a n dt h e s ei n s e r t e dp o l e st h a tw e r ed i s t r i b u t e do v e rt h e s t o p b a n dc o u l db ec h o s e nt ol o c a t ei nt h el o w e rs t o p b a n do rt h eh i 曲e rs t o p b a n d a c c o r d i n gt or e q u i r e m e n t c o m b i n i n gt h ea c t u a lc r a f to fl t c cm a n u f a c t u r e ，w ed e s i g n e dab n t t e r w o r t hf i l t e r w i t hc u t - o f f 丘e q u e n c ya t4 0 0 m h z ，w h i c hw a sm a d eo f1 3m e t a ll a y e r s i th a das i z eo f 2 0m m x l 2 m i n x l 0t o n i a l s o ，w ed e s i g n e dac h e b y s h e vf i l t e r 谢mc n t - o f ff r e q u e n c ya t3 0 0 m h z ，a n d i n s e r t e da l la t t e n u a t i o np o l ei nt h eh i g h e rs t o p b a n db yal u m p e dl cr e s o n a n t t h e c h e b y s h e vf i l t e rh a dam a x i m u mp a s s b a n dr i p p l e o f0 8 d b ，a n da c h i e v e dh i g h a r e n u a t i o n ( 。 左宁g ， 2 吨j 白 j l j l ，。己 q ， - j i i ( b ) 图3 - 9 含有k 、j 变换器的耦合谐振带通滤波器 如果用分布参数或者其它形式的谐振电路代替图3 - 9 中集总参数的l c 谐振电 路，那么可以扩展到更为一般的电路形式： ( a ) ( b ) 图3 一1 0 含有k 、j 变换器的耦合谐振电路 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 图3 - 1 0 ( a ) 中爿，( 国) 为第i 个谐振器的电抗，彳，( ) 在谐振频率c o o 处为零，电 抗斜率参数定义如下： x ，一c o o dx如,(国)2 l 。 ( 3 一1 8 ) d l 泸 图3 - 1 0 ( b ) 中蓐( ) 为第i 个谐振器的电纳，e ( 国) 在谐振频率处为零，电 纳斜率参数定义如下： 6 j = 鱼2 掘叻k ( 3 一1 9 ) 7 l “一蛐 图3 - 1 0 中的阻抗( 或导纳) 变换器计算公式用x ，( 或巨) 来表示成更为一般 的计算通式口9 1 ，如下： = j 瑟 = 等厩卜。= 謦( 3 - 2 0 a ) 愿 ，= 詈跞l ，= 瑟( 3 - 2 0 b ) 3 - 2 滤波器阻带中衰减极点设计 滤波器的插入衰减对通带和阻带的要求是不同的：在通带内插入衰减越小越 好，让绝大部分能量都通过滤波器；而在阻带内插入衰减越大越好，用来抑制干 扰信号。但是对于一般滤波器，如果要抑制在某频段较强的信号或者寄生通带时， 阻带内的衰减量就显得很不够。因此，我们要在阻带上设计特定频率处的衰减极 点来获得更好的抑制效果。 滤波器衰减极点指的是其插入衰减为无穷大的频率点，也就是说在这一频率 上的能量完全不能通过，从而起到隔离作用。衰减极点的形成主要是因为能量的 阻隔，也即电磁波的全反射。 滤波器作为二二端口网络，只要该网络的并联支路中有串连谐振( 谐振时阻抗 为零) ，或者串联支路中有并联谐振( 谐振时导纳为零) ，无论是集总的l c 谐振还 是分布参数的微波谐振体，都会对插入损耗在其中某个谐振频率处引入衰减极点。 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 的金属电极直接相连。因此，在设计中图3 1 1 有多种更为复杂的衍生电路形式如 图3 1 3 ，从而能在滤波器中形成多个衰减极点 3 2 ，3 3 ，3 4 1 。 ( c ) ( d ) 图3 1 3 在滤波器中引入衰减极点电路 图3 1 3 ( a ) 所示电路为集总并联谐振体同电容的串联，其导纳为 即) ：竺粤些垡 ( 3 - 2 3 ) 一1 一2 ( e + c 。) 当= o 或= 1 上，e 时，导纳b ( ) 为零；当= 1 ( e + c ，) 时，导纳b ( ) 为无穷大，形成短路，故能在传输特性中形成一个衰减极点。显然珊。 ，即此电 路形成的衰减极点频率厶高于中心频率如。 图31 3 ( c ) 所示电路同图3 1 3 ( a ) 类似，通过加入集总电容c 。形成的衰减极点 电子科技大学硕士学位论文 其中 驴警掣l = l c o o c p l + c o o c e z c o r s e e 2o , 一”+ 志 = 百j r lr = f b _ 嘞_ f _ w k 2 志2 面i 面 ( 3 3 0 ) ( 3 3 1 ) 在衰减极点频率处，耳( 哆) 为无穷大；在谐振频率处，b , ( r o o ) 为零，由( 3 2 8 ) 式得： c ，2 丽1 a n 。 爿志瓦c o l rr + l ，叫i 图3 1 6 在阻带高频段实现衰减极点电路 ( 3 3 2 ) ( 3 3 3 ) 为在阻带的高频段内引入任意衰减极点，可将电感同短截线串联来实现，用 r u p ( r e s o n a t o rs t r u c t u r ew i t hu p p e rs t o p b a n da t t e n u a t i o np o l e ) 表示，如图3 16 所 示，其导纳为： b ( ) = 瓦面- 1 ( 33 4 ) 善 雁 了 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 其中 曰：丝：鲨：堡 x ， c ( 3 3 5 ) 要实现衰减极点，则必须有b ( 叻为无穷大，联立( 3 3 4 ) 、( 3 3 5 ) 式得： ( a ) 厶， ! ； c 广丫、 | i 一号 l 一引ll l 肾哥寸i 丁一c 五r ii -i ( 33 6 ) ( b ) 图3 一1 7r u p 应用电路 图31 7 ( a ) 为r u p 应用在源端的电路，将虚线框内电路部分利用导纳变换器 后如图( b ) 示：在图( b ) 中左边虚线框内为导纳大小是1 哦的导纳变换器，其中 焉，为茚边等效电感，右边虚线框内为导纳大小是嵋：的导纳变换器，中间点划线 框内的总导纳和导纳斜率参数为f 3 5 ： 电子科技大学硕士学位论文 其中 驰) 2 瓦最面一志十崛： c 。- 。， h ：堕型l 2 d 国l 。：虬 ( 3 3 8 ) = 圭皓蝻+ 糯 c 1 ：=船矽j 6 l 如 j 蜀g ： z t a n 陋2 l 肾a n 。 藤磊 ( 3 3 9 ) ( 3 4 0 ) ( 3 4 1 ) 在衰减极点频率处，耳( ) 为无穷大；在谐振频率嘞处，耳( ) 为零，由( 3 3 7 ) 式得： ，乏t a l l 0 o - 一 a n 。1 爿毒w ， 源端的耦合电感厶。可由下式算得： r z 。+ z o 一百词丽再历 | f ( 上暑。z 。) 一1 v1 一( 鳓瑶，g o ) 2 1 ( 3 4 2 ) ( 3 4 3 ) ( 3 4 4 ) ( 3 4 5 ) i l 疏一2 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 采用集总参数进行u 1 c c 低通滤波器设计。内埋置电感元件采用三维螺旋( 3 d h e l i c a l ) 结构，在相同的有效电感值下，此结构比平面式( p l a n a r ) 、位移式( o 凰e t ) 、 堆叠式( s t a c k ) 等结构具有更高的自我谐振频率( s r f ) 和品质因子( o ) 【3 9 】；此 外，h e l i c a l 结构中线圈与线圈间的耦合容易通过调节介质层膜厚来控制，使其达到 最佳。在图3 2 0 结构图中，第4 层至第1 2 层金属线条经通孔构成电感，同时 不可避免在电感内部层与层间有弱的电耦合形成分布电容：其中金属通孔直径 1 5 0 p m ，金属线宽为1 5 0 肛m 。 在实际l t c ( ：生产的丝网印刷工艺中，由于存在打孔精度误差、照像制版精 度误差，以及印刷机手动调节对位视觉误差等偶然因素影响，因而印刷时丝网与 生瓷片之间的对位、叠片时生瓷片与生瓷片之间的对位都有一定误差，所以通孔 在连接上下层金属电极时会产生一定的偏移。例如，在图3 2 0 的第4 层至第1 2 层金属线，如果通孔完全偏离上下金属电极，则导致开路；如果通孔偏离一部分， 即通孔部分同上下金属相连，则导致电感，偏大、总电阻变大。为避免上述不利 影响，用图3 2 1 的c a t c hp a d 与通孔相连，这样不管是通孔位置偏移，或者金属 电极位置偏移，电感，都基本保持不变且有效防止开路发生。 为了使内电极与外部电极良好连接，采用图3 2 l 中右端斜格图案的引出端， 这样就有更宽阔的内电极同外部电极相连，从而减少开路几率，图中虚线所围面 积为介质层x y 方向上大小。 在实际的网版设计时，需遵循u c c 设计规则中最小金属线宽、线距、通孔 直径、留边量等要求【4 们。用图3 2 1 中图形来替代图3 2 0 的l a y e r4 ，用图32 2 中图形来替代图3 2 0 的l a y e r8 ，用图3 2 3 中图形来替代图3 2 0 的l a y e r9 ，其 余为相应的对称结构，具体尺寸如图示。 图3 2 1 内埋电感的电极俯视图i 4 9 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 图3 2 5 接地平面俯视图 内埋置电容元件采用垂直交指型电容( v i c ) 结构，为获得相同的电容量，利 用v i c 结构取代传统的m i m ，能够大大减小端电极面积，从而有效减小滤波器尺 寸。在图3 2 0 中，第2 层同上、下两个接地金属平面形成v i c 结构电容白和g ， 具体设计尺寸如图3 2 4 所示；接地金属面大小如图3 2 5 示，其中g 、g r 处与外部 电极相连。 图3 2 6 ( a ) 是设计的截止频率为4 0 0 m 的l t c c 低通滤波器三维结构模型，图 ( b ) 是其s 参数响应曲线，图中标出了截止频率点b ，由于在螺旋h e l i c a l 电感中不 可避免存在着并联寄生的分布电容，从而在滤波器结构中有串联支路的并联谐振， 故形成一个衰减极点a 。 ( a ) 电子科技大学硕士学位论文 2 0 - 3 0 _ 4 0 5 0 6 0 1 2 m m 1 0 m m ，由十二层金属图案构成，其中斜划线部 分为金属接地层。滤波器介质层的材料为相对介电常数，= 7 _ 8 ，介质损耗 t a n s - - 0 0 0 4 7 微波介质陶瓷，介质层厚3 2 f m ，内电极材料选用银电极，金属图案厚 度1 2 u m ，金属通孔直径1 2 0 9 m 。 采用集总参数进行l t c c 低通滤波器设计，内埋置电感元件采用三维螺旋( 3 d h e l i c a l ) 结构，在图3 2 9 结构图中，第6 、7 层经通孔构成电感厶，第8 、9 、1 0 、 1 l 层经通孔构成电感上，和如，同时不可避免在电感内部层与层问有弱的电耦合形 成分布电容【4 2 j 。 内埋置电容元件采用垂直交指型电容( v i c ) 结构，在图3 2 9 中，第2 层同 上、下两个接地金属平面形成v i c 结构电容c ，和q ，同时第4 层与上、下两个接 地金属面构成电容g 。 电子科技大学硕士学位论文 3 4 3 结构模型分析 丝蓟。钾“” 髟劾。州5 爱 蓁鬃；麓! 粪毳囊2 董。j 纛蠢囊羲爵强削 竺囊蘩雾囊荔嚣当 鬻瓣i 骧。 鬻纛茸攀苴 蔫纛羹 ；纛鞣i i 鬻 鬃瓣。雾 羹l g f ；妻鼙阵透旧雷翻嗤墓畦霆 “替斡群划羹囊绍脚翟群誊墨；眉屋羹裂鲁劐囊剔个孙孰躲茧务雕= 嚣劈i 一2 l 受嚣；孺捕礞淄霪茹黝，阱。囊麓籀爿蠢j 滞搿乍涩旒般型二嚯瀣礓鲁微波 陶瓷材料，介质层厚3 6 l l m ，内 电极银层厚1 2 9 m ，设计出截止频率为4 0 0 m h z 的最大平坦( b u t t e r w o r t h ) 型低通滤 电子科技大学硕士学位论文 在结构模型中，构成电感的内电极金属并非理想导体，而是采用电导率为 6 1 x 1 0 7 s m 的银电极，有一定的电阻损耗，使通带最大插入损耗由o 1 d b 增大为 o 8 d b ，阻带最小衰减由一3 3 d b 降为一2 8 d b ，如图3 3 1 所示。 图3 3 2 引入衰减极点的串联谐振等效电路 图3 - 2 7e el 孙g 串联谐振在结构模型中等效为图3 - 3 2 所示的二端1 ：3 网络【5 】， 白为l 3 内部寄生并联电容，此二端1 3 网络输入导纳如( 3 4 6 ) 式，衰减频率点按 ( 3 - 4 7 ) 式计算得，通过改变l j 来调节衰减极点的位置。 胖蜗筹 a s ， 其中，c o o = l 扛万，= 1 琢丽。 2 司丽1 3 4 7 设计出的引入衰减极点、截止频率为3 0 0 m h z 层叠式l t c c 低通滤波器模型 如图3 3 3 所示，左、右两边分别为输入、输出端的外电极，为方便视图，滤波器 的两个接地外电极没画出。 幽3 3 33 0 0 m 低通滤波器结构模型 5 6 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 图3 3 4 不同金属厚度对滤波器仿真结果的影响 在介质层厚为3 2 9 r n ，材料相对介电常数为7 8 保持不变条件下，分别改变金 属层厚度为1 2 p a n 、1 5 p x n 、1 8 1 a m ，所得s 参数响应曲线如图3 3 4 所示，由于金属 层厚度的改变对平行板电容器电容量几乎没有影响，c = e o , s d ，而金属层厚度直 接影响电感值的大小，如金属层厚度越厚，则电感越小，因此截止频率、衰减极 点都相应变高。对厚度为1 5 1 a r n 的金属层，若厚度偏低2 0 ，则截止频率偏高6 5 ， 主衰减极点频率偏高6 o ；若厚度偏高2 0 ，则截止频率偏低6 7 ，主衰减极点 频率偏低8 8 。 o2 0 0 4 0 06 0 0e o o1 0 0 01 2 0 01 4 0 0 f r e q ( m h z ) 图3 3 5 不同介电常数对滤波器仿真结果的影响 。 邶 搴 渤 舶 瑚 枷 枷 铷 一日p一：一； 电子科技大学硕士学位论文图3 3 5 是保持介质层膜厚3 2 m ，金属层厚1 2 “m ，分别改变材料相对介电常 数，= 7 5 、7 8 、8 1 ，所得响应曲线图：改变相对介电常数直接影响到电容量大小，在1 2 5 0 m h z 左右的衰减频率点是由a 2 及螺旋电感内的寄生电容同上，、如构成的 并联谐振引起的，而c 大小仅为o 1 p f ，较小波动引起c 船相对较大鹭雾。祭黟 裹蘸篷辅羹鋈誉；妻温基缮淫嚣转采河：华l ：亚太g ? j 学j 到鲐籍慧 萎；露塑i ，料? 好毖鏊蔼纛勰曩篇髫秀i 秘i 毒理糙l ：郡! 萼j 礤式擘鍪燃i ；确；彭嚣露藤型 赣鞠艴骐i = 登j g x 薯 h 鼙扭l 疆x 夤 谛h 一# b 酏廷蔡 i 瘩旁巍蠢群娃鞋齑摹鞋霉攀磊萋 墓w g 禚骐甄颡嶷翁墅蕊瓣冀嚣矾蠹萎型鳃x h i 誊萋菇溪h 一墓，酣砖韦j 瓤 甏良受鼠雕委l t h e o r ya n dt e c h n i q u e ，1 9 9 4 ，4 2 ( 1 1 ) ：2 01 7 2 0 2 2 4 赵全明，滕建辅，周国飞，等低温共烧陶瓷及技术河北工业大学学报，2 0 0 2 ，3 1 ( 5 ) ： 8 5 - 8 9 5 杨邦朝，张经国多芯片组件( m c m ) 技术及其应用成都：电子科技大学出版社， 2 0 0 1 2 1 7- 2 3 8 6 c h a r l e ss c m n t o m ，j a m e sl a w s o n l t c ct e c h n o l o g y ：w h e r ew ea r ea n dw h e r ew e r e 第三章层叠片式l t c c 微波滤波器设计 3 5 本章小结 ( 1 ) 详细介绍了层叠片式微波滤波器的设计方法及步骤。为提r 每层叠片式微 波滤波器的抗电磁干扰( e m i ) 能力，对滤波器阻带中的衰减极点进行设计；分别 利用集总l c 谐振和分布参数谐振体引入单个、多个衰减极点，并且可根据需要将 衰减极点设置在高频或低频阻带中任意频率处。 ( 2 ) 结合l t c c 实际生产工艺，采用相对介电常数7 8 、介质损耗0 0 0 4 7 的微 波陶瓷材料，介质层厚3 6 1 a x n ，内电极银层厚1 2 岬，设计出截止频率为4 0 0 m h z 的 最大平坦低通滤波器，绘制出每层金属图案形状及其确切物理尺寸大小，该层叠 片式滤波器三维外形尺寸为2 0 m m x l 2 m m 1 0 m m ，总共由十三层金属图案构成。 ( 3 ) 利用集总l c 谐振在高频阻带引入衰减极点，设计出截止频率为3 0 0 m h z 的切比雪夫低通滤波器，其中通带最大插入损耗为0 8 d b ，在4 8 0 m h z 引入一个衰 减极点，从而提高阻带的衰减性能，达到在4 5 0 m h z 至1 2 0 0 m h z 间有较高衰减 ( 一2 8 d b ) ，同时获得陡峭的过渡带。此外，详细分析了金属层厚、介质层厚、介 电常数等参数变化对u c 低通滤波器截止频率、主衰减极点的影响。 电子科技大学硕士学位论文 致谢 本论文的工作是在导师杨邦朝教授、杜晓松副教授的共同指导和关怀 珀割捧赫铺鞭拍霸 弹苗拍粥舔i 璧和白间电耦合形威荔廷k 瓤。托猢羹蓠i 型斟捌荦畿峭螋葱删噬 御必l 婴籍塑琏 鹭爵编譬湖錾辣纠j 喝孺捌鹭蹙箴豁赫；濠忑善嚣g 鬻雀摧 塔g 囊露渤。藕套拯铺百蒇动簿冶浊窿区 间的寄 生耦合。在电容区， c ，和。间电耦合形成c 1 2 ，大小约为o 1 p f 。c 1 2 与串联的三，、 幻构成并联谐振，从而在图3 3 1 的s 参数响应曲线中导致衰减点c ，在c 处的频 率为1 2 5 0 m h z。在电感区，工、工2 间磁耦合形成互感m ，2 ，为获得固定截止频率 ，。，可充分利用互感蚴j 来调节三，、如的自感大小，以获得所需电感量。岛、g 串联谐振，分别在图3 3 1 的滤波器电路模型和三维结构模型仿真曲线中，产生衰 减点a 和b ，在a 、b 处的频率分别为4 8 0 m h z 、4 9 2 m h z ；由于蛐3 、尬j 存在既 影响衰减点a 、b 又影响截止频率_ 厂。的大小，为抑制l j 与三卜幻间的寄生耦合， 用两倍介质以上膜厚将它们隔开。 图3 - 3 1l t c c 德史直鹞8 0 m h z 、4 9 2 m h z ；由于蛐3 、尬j 存在既 影响衰减点a、b又影响截止频率_厂。的大小，为抑制lj与三卜幻间的寄生耦合， 参考文献 2 7 p h i l i pp i e t e r s ，e r i cb e y n e s p i r a li n d u c t o r si n t e g r a t e di nm c m - du s i n gt h ed e s i g ns p a c e c o n c e p t 1 9 9 8i n t e r n a t i o n a lc o n f e r e n c eo nm u l t i c h i pm o d u l ea n dh i g hd e n s i t yp a c k a g i n g ， 19 9 8 4 7 8 - 4 8 3 2 8 a l b e r ts u t o n o ，j o yl a s k a r , wr s m i t h d e s i g no f m i n i a t u r em u l t i l a y e ro n 。p a c k a g ei n t e g r a t e d i m a g e - r e j e c t f i l t e r s i e e e t r a n s a c t i o n so n m i c r o w a v e t h e o r ya n d t e c h n i q u e s ，2 0 0 3 ，5 1 ( 1 ) ： 1 5 6 1 6 2 2 9 j i a - s h e n gh o n g ，m j l a n c a s t e r m i c r o s t r i pf i l t e rf o rr f m i c r o w a v ea p p l i c a t i o n s j o l mw i l e y s o n s 1 n c 2 0 0 1 2 9 - 6 0 3 0 】c h i n g - w e nt a n g ，s h e n g - f uy o u d e s i g nm e t h o d o l o g i e so fl t c cb a n d p a s sf i l t e r s ，d i p l e x e r , a n d t r i p l e x e rw i t ht r a n s m i s s i o nz e r o s i e e et r a n s a c t i o n so nm i c r o w a v et h e o r ya n d t e c h n i q u e s ，2 0 0 6 ，5 4 ( 2 ) ：7 1 7 - 7 2 3 3 1 甘本祓，吴万春现代微波滤波器的结构与设计科学出版社，1 9 7 3 1 4 8 - 1 5 9 3 2 w i n g - y a hl e u n g ，k w o k - k e u n gc h e n g ，k e l iw u m u l t i l a y e rl t c cb a n d p a s sf i l t e rd e s i g n w i t he n h a n c e ds t o p b a n dc h a r a c t e r i s t i c s i e e em i c o r w a v ea n dw i r e l e s sc o m p o n e n t sl e t t e r s ， 2 0 0 2 ，1 2 ( 7 ) ：2 4 0 2 4 2 3 3 1w i n g y a nl e u n g , k w o k - k e u n gc h e n g ，k e - l iw u d e s i g na n di m p l e m e n t a t i o no f l t c cf i l t e r s w i t he n h a n c e d s t o p b a n d c h a r a c t e r i s t i c sf o rb l u e t o o t h a p p l i c a t i o n s p r o c e e d i n g s o f a p m c 2 0 0 1 ，2 0 0 1 1 0 0 8 1 0 1 1 3 4 】lk y o u n g ，k l w u ac o m p a c ts e c o n d o r d e rl t c cb a n d p a s sf i l t e rw i t ht w of i n i t e t r a n s m i s s i o nz e r o s i e e et r a n s a c t i o n so nm i c r o w a v et h e o r ym a dt e c h n i q u e s ，2 0 0 3 ，51 ( 2 ) ： 3 3 7 3 4 l 【3 5 j e o n g s o nl i m ，d c p a r k am o d i f i e dc h e b y s h e vb a n d p a s sf i l t e rw i t ha t t e n u a t i o np o l e si n t h es t o p b a n di e e em tt ，1 9 9 7 ，4 6 ( 6 ) ：8 9 8 9 0 4 3 6 】y n g - h u e yj e n g ，s h e n g - f u hc h a n g ，a n dh s i a o - k u a n gl i nah i g hs t o p b a n d r e j e c t i o nl t c c f i l t e rw i t hm u l t i p l et r a n s m i s s i o nz e r o si e e et r a n s a c t i o n so i lm i c r o w a v et h e o r ya n d t e c h n i q u e s ，2 0 0 6 ，5 4 ( 2 ) ：6 3 3 6 3 8 3 7 日本碍子株式会社叠层介质谐振器和叠层介质滤波器中国专利，0 2 1 4 9 5 0 84 r2 0 0 3 4 1 6 3 8 t d k 株式会社层叠型带通滤波器中国专利，2 0 0 4 1 0 0 7 6 9 0 1 5 ，2 0 0 5 3 9 3 9 a s u t o n o ，dh e o ，a n dyj c h e n ，e ta 1 h i g h ql t c c - b a s e dp a s s i v el i b r a r yf o rw i r e l e s s s y s t e m - o b