（材料学专业论文）表面金属化复合粉末涂层制备及其电磁屏蔽效能研究.pdf

烈南科技大学硕士研究生学位论文第1 页 摘要 随着备种电子仪器的广泛使用，由此带来的电磁干扰和电磁辐射污染问 题鞫益严羹，电磁瓣蔽技术已雩 怒各禽羹睾燕。戳表露金簇傀导毫导磁笺舍耪 末制备技术及复合粉末涂层电磁屏蔽为研究目标，经过研究分析，确定采用 往举镀静方法，浚蒙嚣攥耪为墓然奉| 辩，在逶避摊i c h p 、n i f e p 念金及 c u 镀层试黢基础上，进一步设计研究n 卜f e c u p 合金镀层。猩制备出复合 粉零憝基磁，逶趱试验、骚究，测冬了涂秘涂层、嚣辫涂层掰秘复念粉末 涂滕。 由于粉体具有匿大的地表嚣，在化学镀豹初期反应十分剧烈，绘粉钵化 学镀带来较大困难，本文探索了粉末化学镀液的p h 调熬及镀液补加工艺， 较好地解决了镀波的稳定性及持续施镀嬲题；网时对聚蕊烯粉媳镀前处理及 施镀工艺谶行了深入的研究，较好地解决了由于聚丙烯化学性质稳定、亲水 性麓等特性引起的镀前处理和施镀困难的问题。 详绍研究了镀蘑佬学成分等黼素对簧台耪涞电磁屏蔽效巍的影嘀。应瘸 直流电阻瞧桥、从7 0 0 3 溅原子吸收光谱仪等对镀层的电阻率、镀层成分等 送符了溅试，禳据鬻家标准g 酷辐7 8 3 及电子行盈标准s j 2 0 s 2 毒一1 9 9 5 霹 镀艨的磁导率及粉末涂层的电磁屏蔽效能等进行了测试和研究。结果表明， 截蘩豹菱会粉末涂层在测试频段内毒较好豹毫獾屡薮效采，辫菠效戆达到 3 3 d b ，其屏蔽效能与镀层的电阻津、磁导率、化学组成成分以及涂装方式、 工慧等毒寒甥联系。 关键谰：表露金属化复合粉表涂层 魄磁屏藏 嚣褰辩羧太攀硪圭磷突生学镰圣鑫交 繁ll 委 a b s t r 鑫c 弋 苫巍嚣w d e 醢s ee fv a 善i o u se l e e f o 鞋蘸e 带i e e s g e n 擘r 毪t e si n e r 毒矗s 莪g e l e c t 薯。辩1 a g n e t i ei n t e r 恕f 巷n c e 嚣n de l e c f o m a g 魏e i cr a d i a t i o n ，、v h i c hh a sa r o u s e d t h e 、掣o 薹l da t t e 珏t i o n + w i t hl h ee l e 。t f i e a 建琏l 琏a g 赣e l o e o n e 睡e i v ec o l 争。珏| 薹莲 p o w d e rp r e p a r 耳t i o nt e c h n o l o g ya n de l e c t r o m a g n e t i cs h i e l d i n gc o 矗t e dw i t ht h e c o m p o u n dp o w d e ra sl h es t 娃娃yt 3 r g o t ，e l e c t f o l o s s 轳l a i i l gi sp f e f e f r e 蠖t ed e s i g n t h en i f 嚣一e u * pa l l o y 露a t i 王l gw t ht h ep o l y p f o p y l e n ep o w d e r 箍s 瞧eb 8 s c l 珏a 据f 1 8 l sa n 蛀8 nt 羲eb 鑫s i so fe x p e f l l 鞋霉8 l a l i e 强so 鹱n l c 狂一襞n i - f 爸一p 蠢a l l 8 y s 鑫建莲 e up l 甜i n gc o a t 1 w i t ht h ec o m p o u n dp o w d e r ，t 、v ok i n d so fc o m p o u n dp o w d e r ， c o a t i n ga n da d h e s i v e ，a r ea l r e a d yp r e p a r e d l 盘ef 霉噩c t i o no fc h e m j e a lp l a t i n 錾i sv e f yp o w e r | u l 鑫tt h ep r e l i n i n a r ys t a g e d u et ot h 器s t r o n gp o w d e fs u r f 矗c e ，w h i c hg e n o r a t e sg f e a ld 引灏c t l l t yf o rt b e p 铘f d e 垮曲e 搬i e a l 擎l a l i 藏錾t h 。强f e ，t 髓s 德e s 主st i e s 协e x p 沁f e 瞧。爨 a n s t i 鞋e n to fp o w d e f yc h e l 鞋i e a lp l 拽t i l l ga n dt h et e e h n o l o 霉yo fp l 矗l 洒gl i q u i d s 珏p 晕l 棼l 鞋嚣娃l 疆鬈t 獐e x 挚e i 黻e 蘸t a lr e s 鞋班ss 矗o wl 轰es t 箍b i l i yo f 挚l a t i 拄gl i 鼋毽i da 珏矗 t h ec o n t i n u o u sp l a t i n ga r ew o l la c h i e v e d d e e ps t u d yo ft h ep r e - p l a l i n gp r o c e s s o f 喙ep o l y p r o p y l e n ep o w d e ra n dl h e p l a t i 越嚣枣浊n o l o g yh a ss u c c e s s | 珏l l y f e s o l v e dt h e p f 曲l o l 娃s l n搬霉 p r e - p 1 8 l i n gp o c e s s a 硅 p l a t i 魏g 畦i 鞋c 娃l i e s 箨嚣e 敷e 硅b yt h e 量壬l 璐纛 i 了丑n 建l h ep o o 争o l y 鄹c 紧了l e 程e 弩畦善o p h l l ec 巍& r a e e ， s p e c i a l 霉f f o r sh a v eb e e nl n a d et os t u d yt h ej n f l u e n c eo fc h e f n j c 8 le l e m e n t s o fp l a t i n gc o a to nt h ec o n l p o u n dp o w d e re l 尊c t r o m a g n e t i cs h i e l d i n g d i r e c t e r r e n tf e s i s t a n c ea n da a 7 0 0 3a t o m ca b s o r b i n gs p e e t f u md e v i c ea r ea p p l i e dt o l h et e s to fd i f e c tc u f r e n tr a t ea n dt h ec h e m i c a l褪e l e n t so fp l a t i n gc o a l 。 j 毛e o d 蕺基l qg b 3 6 5 彳- 8 3o 蠹e 蠹鑫l i o n a ls a 疑娃a 蘸& 珏s 毒5 2 霹- 熏务9 5o 凌e l e c t f o ni n d u s t f y s t a n d a r d ， l e s ta n ds l u d yh a v eb e e 丑c a r r i e do u to nt h e 狂l 毫g 矗e o e o 珏矗瓣e i v 主| yo f 氧尊p l a l i n ge o a l 拄狂d b ee l e c t f o l n a g n 带t es h i 拳l d i n g e f f e c t i v e n e s so ft h ep o w d e r0 0 a t t h er e s u l t si n d i c a t et h a tt h ep r e p a r e dp o w d e r c 。a le 魏j o y sh i g e e c t r o 鞋l a 瑟n 嚣l i es a i e d i n go 爨奄c l i v e n e s s ，l o 3 0 d 辩，a n da l s o s h o wl 魏e e l e e | r o l 鞋a g 娃戢i es 聂i e | d i n g 嚣f 毵c l i v e 辩e s s 魏鑫se l o s 嚣 e l 鑫毯0 珏w 轰t 聂e f e s i s | a n c 毒r 建t e ，t 矗ef 骢鞋g 辩霉o * e o n 蠢毽c | v i y 鑫蒜纛 h e0 囊m $ a le l e 矬e 稚| so 薹l 蠡e p l a t i n gc o a t 嚣零瓣技大擎颈联突生学位论文繁lll 贾 l ( e y 钟o r d $ ：s u f f a c el n e t a l l i z a t i o n ；c o m p o u n dp o w d e r ；e o a l i n g ； e l e c t r o m a g n e t j cs h i e i d i n g 西南科技大学硕士研究生学位论文第1 页 1 绪论 近年来，电子仪器设备向着“轻、薄、短、小”和多功能、高性能及成 本低方向发展，塑料机箱、塑料部件或面板广泛地应用于电子仪器上，于是 外界电磁波很容易穿透外壳或面板，对仪器的正常工作产生有害的干扰，而 仪器所产生的电磁波，也非常容易辐射到周围空间，影响其它电子仪器的正 常工作。电磁波泄漏引起的信息安全问题，直接威胁到国家的政治、经济、 军事安全。随着各种电器的普及，电子计算机、通讯卫星、高压输电网和一 些医用设备等的广泛应用，由此带来的电磁辐射污染，已被公认为继大气污 染、水质污染、噪声污染后的第4 大公害。电磁波引起的电磁干扰( e m i ) 和 电磁兼容( e m c ) 问题不仅会干扰电气设备，也会对人体健康带来严重的威 胁，因此如何减少电磁辐射强度，防止电磁辐射污染，保护环境，保护人体 健康，已经急迫地提到议事日程n 。，。 电磁屏蔽和电磁兼容技术是目前国际上发达国家最前沿的高新技术之 一，电磁辐射污染已引起世界各国的重视，欧美等国对电磁辐射设备的辐射 强度的要求都有严格的规定。许多国家都发布了电磁辐射的标准和规定，如 德国电气技术协会v d e 、美国联邦通讯委员会f c c 、英国b s 6 5 2 7 和日本v c c i 等，国际无线电干扰特别委员会c i s p r 也制定了抗电磁干扰的。国际标准，供 各国参照执行。我国也颁布了一些行业性的电磁辐射防护规定，如电磁辐 射防护规定、微波和超短波通信设备辐射安全要求等，进入上世纪9 0 年代以来，电磁辐射的危害已经引起我国政府的重视，我国于1 9 9 8 推行了 电磁兼容( e m c ) 标准，从2 0 0 0 年开始强制执行眙1 。 电磁屏蔽是利用屏蔽体阻止或者减少电磁能量传输的一种措施，是提高 电子系统和电子设备电磁兼容性的重要措施之一，它能有效地抑制通过空间 传播的各种电磁干扰o “。 电磁屏蔽的方法很多，常用的方法有等离子弧喷锌、导电金属粉涂料( 银粉、铜粉、镍粉等) 、蒸发涂覆金属、溅射涂覆金属、导电金属箔、导电 胶带、导电塑料、化学镀导电金属等，有的因效果较差或成本高或工艺复杂 而受到局限，研究以表面金属化轻质微粒作填料的导电涂层是目前的热点。 采用轻质聚丙烯微粒包覆镀制备电磁屏蔽涂料，赋予绝缘塑料壳体导电性是 一种简单而有效的抗电磁干扰措施。该导电涂料与电镀、真空溅射等其它获 得表面导电层的方法相比，设备简单、成本低廉、涂料中填料悬浮性好、导 电微粒分散性好、施工方便，特别适用于形状复杂的靼料表面涂装”1 。 西南辩接大学磺士研囊生拳位论文第2 贾 1 1电磁屏蔽的基本原理 电磁屏蔽是利用屏蔽体来黻挡或减小电磁能爨传输的一种技术，怒抑制 毫磁干扰毂爨癸手羧之一。其嚣弱之一是陵制菜一嚣域内部戆电磁熊爨澄潺 出该区蠛采予砉| | i 区域井部静英魏设备嚣对天体逡裁锈害；其霹熬之二楚藐止 区域外部的嗽磁能量进入该区域构成对内部设备的影响。按屏蔽原瑷，屏蔽 可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁屏蔽。 1 。1 。1愈场巽蔽 毫场羼簸麓琢毫器菠，这耱漭薮豹嚣熬裁是竣零浚各( 或电路、缌终、 元件等) 闯的电场感应。电场群蔽包括静电羼蔽帮交变电场屏蔽。 带电物体周围存在着电场，对于处在该电场中的其他物体会产嫩静电感 应，受到静电干扰；若有一干扰源，它周围产生一交变电场，处在该电场中 的其他设备( 爱感器) 都会通道干扰源与受感器之闯的分布电容受到干扰， 这实质土燕一黪宅场于挽。剩溺佥震鬓薮薅对魄场霉戳超刭羼薮穆越，鄯楚 甲导体发出翡电力线不麓到达己警俸“1 。健要注意酶蔻，静毫屏蔽辩辫菠体 一定要良好地接地，否则起不到屏蔽的作用。 1 1 2 磁场屏蔽 磁场屏蔽麓稼为磁屏蔽，这种孱菠的嚣的是减小由于磁场变化孳| 越豹予 莸。磁震蔽分必低菝( 夺予l g 0 莪鞋z ) 磁霹薮( 毽捶静磁羼薮) 秘蕊颥磁羼 蔽。 在载有电流的导线或线圈周围都存在着磁场，如果电流发生变化时，其 周围就会产嫩时变的磁场，处农该场中的导线或线圈就会产生感成电动势， 当这些导线戏线圈构成闭合回路时就会产生感应激流，这就是磁场予扰的机 理“1 。 对予低频磁场( 包括静磁场) ，磁场霹蔽主瑟楚依靠高导磁誊孝辩掰吴有 的低磁阻，使磁力线集中于屏蔽体内，屏蔽体外的磁场变得很弱，从而达到 磁屏蔽的翻的。 对于简频磁场，磁屏蔽则依据另原理。高频磁场主要靠屏蔽巍体上感 生豹涡流掰产生静反磁场起到裁 斥燕磁场的终用，满流越大，羼蔽效暴越捋。 因藏，对予豢簇磁场豹蘑蔽，旋选羯良霉薅謇季耱，如镊、镶、韬等。蘧终， 西南科技大学硕士研究生学位论文第3 页 由于趋肤效应，涡流只在材料的表面产生，因此，对于高频磁场，只要很薄 的金属材料就足以屏蔽“3 。 1 1 3电磁屏蔽 随着频率的升高，一些有源器件的辐射能力增强，产生辐射电磁场。当 受感器距干扰源较远时，这种场可视为远场干扰。远场中的电场、磁场均不 能忽略，因而就要对电场和磁场同时屏蔽。在高频阶段，即使在设备内部也 可能形成远场干扰，一般采用导电材料作为电磁屏蔽材料。在高频阶段，良 好的导电材料同时具有对电场和磁场的屏蔽作用。 电磁屏蔽的原理，可以有两种解释：一种解释是，在一次场( 干扰场) 的作用下，屏蔽体表面及其内部产生感应电荷和电流，这些电荷和电流产生 二次场，二次场和一次场叠加形成合成场，在合成场小于一次场的区域就实 现了电磁屏蔽；另一种解释是，利用屏蔽体对电磁场的反射和衰减，使其不 能进入被防护区而实现屏蔽”，。 高频电磁场的屏蔽主要依据电磁波到达金属屏蔽体时产生的反射及吸 收作用。电磁波达到屏蔽体表面时产生的能量反射主要是由于介质与金属的 波阻抗不一致引起的，二者相差越大，由反射引起的损失也越大：而反射和 频率有关，频率越低，反射越严重。电磁波在穿透屏蔽体时的能量吸收损耗 主要是由于涡流引起的，涡流一方面产生反磁场来抵消原干扰磁场，同时产 生热损耗，因此，频率越高，屏蔽体越厚，涡流损耗也越大仙3 。另外，良导 体金属通过趋肤效应6 = 【2 ，( 口。) 】“2 可以屏蔽高频电磁场，如果用磁性材料 来屏蔽，变成p 。p ，卢， 1 ，屏蔽可以变得更加有效“1 。 1 2 屏蔽效能 根据s c h e l k u n o f f 理论，金属材料对电磁波的屏蔽行为可分为三部分： 反射损失( r e f l e c t i o nl o s s ) 、吸收损失( a b s o r p t i o nl o s s ) 与多次反射 损失( m u l t i r e f l e c t i o nl o s s ) 。反射损失发生在自由传播空间与屏蔽材料 的交界面上，主要原因为电磁波在空气中感受的阻抗值与在材料中感受阻抗 值不一样，造成阻抗不匹配的情形。故反射损失的发生，为第一阶段的材料 屏蔽效应。 第二阶段的电磁屏蔽效应发生在电磁波进入材料后，为吸收损失与多次 反射损失。伴随电磁波进入材料的电场、磁场与材料组成粒子产生交互作用， 西南科技大学硕士研究生学位论文第4 页 电场产生电压，将能量传递给离子，对负离子而言，电磁波能量使电子在材 料中自由运动，此种情况即为能量转移或损失的证据。而电子在材料中运动 时，与正离子或杂质碰撞产生的散射，能量也会转换为热能，损耗于材料之 中。另一种电场能量的损耗是由正离子在平衡位置的震荡运动造成。以上两 种情形皆可解释材料对电磁波能量的吸收损失。 至于多次反射造成的能量损失，是由于电磁波在材料中的感受阻抗与自 由空间中不一样，使电磁波能量局限在材料中传播。3 。 屏蔽材料的屏蔽性能用屏蔽效能s e ( s h i e l d i n ge f f e c t i v e n e s s ) 来评 价，屏蔽效能可以用屏蔽衰减来表示，即没有屏蔽时入射电磁波与在同一地 点屏蔽后经反射或透射电磁波的比值。衰减值越大，表明屏蔽效果越好。电 磁波干扰实质上属于噪音干扰，其计量单位为分贝( d b ) 。根据s e 的不同取 值将材料对电磁波的衰减程度分级如表卜l “”1 。 表1 _ 1电磁波衰减分级标准 t a b 1 1c ia s s i f ie ds t 搴n d a r do fe l e c t r o m a g n e t i cw a v ea t t e n n u a t i o n 对电场屏蔽效果的定义： s e ；2 0 l g ( 书 ( 1 一1 ) l f 式中e 一入射电场强度( v m ) ； e 一穿透电场强度( v m ) 。 对磁场屏蔽效果的定义： 龉划- 略， ”z ， 式中日。一入射磁场强度( a m ) ； 日一穿透磁场强度( a m ) 。 当材料屏蔽的辐射源为远场平面电磁波时，电场与磁场在空间中的分布 比值一定，故依照电场或磁场测得的屏蔽效果相同。以为功率定义屏蔽效率： 趼= 1 0 l g ( 詈) ( 卜3 ) 两南科技大学硕士研究生学位论文第5 页 式中只一入射电磁波功率强度( 胁挂小2 ) ； 只一穿透电磁波功率强度( 胁盯2 ) 。 从理论上讲，屏蔽效熊的计嚣是属于求解毫磁场的边值闯越，对于一般 情况，严格求解都很困难，只能求解几种规则形状的屏蔽体( 以无限大金属 平投为藤) ，得到一些重瑟结论和公式，然后再将这些绪论帮公式应麓虱一 般情况中去，得出其近似解。 按照s 曲e l k u n o f f 电磁霹蔽瑷论，惫磁波运过屏蔽零孝辫熬憨霹蔽效巢毒 按下式计算“1 ： s e 。7 够戏嘲“幻3 s + 掰穗j 一嘲e c 嘲煎溉s + 4 饼p 勘“l 。驺 tl 、 = 霞+ m + 4 式巾霆一反射撰失d b ) ，发生在金骚表嚣与空气交舆西上的反射损失； m 一多次反射损失( d b ) ，电磁波于屏蔽体内传播时多次反射造成的 损失； a 一吸收损失( d b ) ，电磁波在脬蔽体内的传输裳减。 屏蔽体以反射损失( r ) 、在材料中的多次反射损失( m ) 及吸收损必( a ) 静群蔽效熬示意鬻如图l l 所示： 入射电磁 蔹菠射亳甏液 羼藏体 茁卜1霹蔽体群蔽效黼示意圈 f j g 1 ”1 s k e t c hm a po fe ie c t r o m a g n e t i cs h l e i d in ge f f e c t i v e n e s s 根据电磁学的有关知识，可以推导出上述三种损失a 、r 、m 的计算公式， 萁审疆酸矮失a 静许算公式秀： 一。8 1 6 8 6 正面- f ( 1 5 ) 西南科技大学硕士研究生学位论文第6 页 式中f 一电磁波频率( h z ) ； p 一屏蔽体材料的磁导率， = 轨1 0 “( h ，肌) ； 仃一屏蔽体材料的电导率， 盯o = 5 8 2 x 1 0 ( q 肌) ； 卜一屏蔽体厚度( 川) 。 = 肛，p 。，口，是相对磁导率 口= 盯，盯o ，口，是相对电导率 从式( 卜5 ) 中司以看出，屏蔽体板越厚，吸收损耗就越大；屏蔽体材 料的相对磁导率和相对电导率越高，吸收损耗就越大。 反射损失r 的计算公式为： 肌z 们蚓 仆s ， 式中，7 为导体的特征阻抗柙；( 1 + j ) 1 盟，在远场平面波干扰情况下，平面波 阻抗z 。= ，7 。= 1 2 吮；对于高阻抗的干扰源，即近区电场干扰， 7 7 。一一，1 2 0 玎仨勺 ( rc c 圭) ；对于低阻抗的干扰源，即近区磁场干扰， 埔a 叼。= ，1 2 q 石( 军) ( rc c 圭) 。由此可得r 的计算公式： 脚 r 墨 瑚一z o g 浮 3 2 1 7 _ 1 0 l 甙韭玛 仃， 1 4 _ 5 6 + 1 0 l g 华) ， ( 平面波) ( 近区电场)( 卜7 ( 近区磁场) 从以上公式可以看出，屏蔽体的反射损失不仅与材料自身的特性( 电导 率、磁导率) 有关，还与金属板所处的位置有关。因为在计算反射损耗时， 应根据干扰源的类型和干扰源与屏蔽体之间的距离来确定计算公式。 多次反射损失m 的计算公式为： m ；2 0 l g i 一俨“l ( 1 8 ) 式中q = ( 并) 2 嚣南辩技大攀硕士磷突生学位论文第7 炎 y 一屏蔽体与电磁波源距离( 坍) z 一霹藏落| 蕈浚( 槐) 。 当屏蔽体较厚时，导体的吸收损耗较大，电磁波在导体内到达第二边界 薅己爻褥摄小，在这耱壤猿下多次爱鸯雩懿彩璃稷拳，哥戳不考惑。一觳来说， 当吸收损耗大于l5 d b 时，多次反射损耗可以忽略”1 。 1 3 电磁屏蔽材料 1 3 1屏蔽用金属材料 从前一节躲分析知道，魄磁屏藏的效能与屡蔽体材料的导电嚣磁性熊有 很大笑系，表卜2 给出了几种常用盒属的相对电导率和相对磁导率”1 。对于 离阻抗干扰源和平面波，应深用高嗽导率黔金属屏蔽材料，如银、锅、众、 铝等 对于低阻抗干扰源和磁场，威采用离磁导率的铁磁性金属屏蔽材料， 如铁、坡莫合鑫、硅钢等。 表卜2 几种金属的相对电等率和相瓣磁导拳 t a b 卜2r e l a t i v ee l e o t f i c a l0 0 n d u c t i ￥i t ya n dr $ i a t v ep e 邝晦a b i i t y ：s o m em e t a 相对电导率 相对磁导率( 肛，) 桕对电导窜 相对磁导率( 站，) 金溅 垒磊 ( 口，) ，1 0 置阮( 盯，)，l o 稻溉 银1 0 6 41 坡莫金 o 1 0 88 0 0 0 铺 1 0 0 l纯铁 0 1 7 5 0 金o 7l硅钢o 0 3 8 41 5 0 0 错0 6 3l 羚轧镅 o 1 71 8 0 锌 0 3 0 5 t不锈钢 0 0 2 2 0 0 镌 0 i 5 l l铁镰台金 0 。1 7 2 3 0 0 。3 。2 表露导激型瀑蔽榜糕 由于塑料机箱、想料部件或面板的广泛应用，以及金属板比熏大、价格 意等浚熹，电磁鬓菠】霹l 金属瑕静使潮受到一定爱蔽。表面浮奄型群蔽秘精由 于其成本低、简单实用、适用面广等优点，成为一类很有发展前缝的电磁屏 菠毒耋糖。豢蠲轰嚣导迤型羼簸毒喜糖及屏蔽方法觅表l 一3 。 西南科技大学硕士研究生学位论文第8 页 等离子弧喷锌良 导电银粉涂料优 导电镍涂料 导电铜涂料 差 由 蒸发涂覆金属中 溅射涂覆金属 导电金属箔胶带 化学镀铜( 双面) 中 良 优 化学镀镍( 双面)中 化学镀铜镍( 双 面) 化学镀铜镍( 单 面) 优 导电性良好，涂层致密，施 工效率高 导电性良好，不易剥落易 施工 无需专门的设各 无需专门的设备 成熟的技术 导电性良好 导电性良好，易测试 导电性矗好，适于任何形状 工件，厚度均匀，不易剥落 需要专门的设备，易片状剥 落、机壳变形 昂贵 需多层滁覆，施工效率不高 需多层涂覆，施工效率不高 t 件尺寸受真空室容积限 制，设备昂贵 设各昂贵，可能引起机壳变 形 不适合复杂零件费工 限于某几种塑料，易氧化， 故需罩漆 除导电性稍差之外，有双面 高 厚镀层方能有效降噪 化学镀铜优点 优点同双面化学镀铜，且抗 中限用于某几种塑料 腐蚀 良 中同上，可模制着色唰【 表面导电型屏蔽材料主要可分为以下两类： ( 1 ) 金属敷层屏蔽材料 这类材料是通过金属熔融喷射、非电解电镀和贴金属箔等方法使高分子 绝缘材料的表面获得很薄的导电金属层，从而达到电磁屏蔽之目的。 金属熔射法敷层是将金属锌经电弧高温熔化后，用高速气流将熔化的锌 以极细的颗粒状粉末吹到高分子材料的表面上，从而在表面形成一层极薄的 高 妯 中中 高 中 赚 中 瑶毫科技大攀焱士骚突生学位论文筹贾 金属层。 非电解电镀法敷层是将n i 或c u n i 采用非电解法镀到塑料表谳。用此 法获得的鑫属镀层导电性好，粘接牢固，屏蔽效果可达6 0 d b 左右。 贴金属籍复合屏蔽材料是利用铝箔、铜箔和不锈钢铬等塑料薄掇、薄片 耪薄膜经爨聪露l 藏豹复合枣葶辩，逶宣裁遥款蒺霸琰矮瓣鬓薮耪秘。龛鼷筵豫 贴在表层外，也可l 冀夹在2 鼷黧料之闻。这秘方法的优点是糙续牢魔离，导 电性能优良，屏蔽效果可高达6 0 7 0 d b 。 ( 2 ) 导电涂料 导电涂料作为电磁屏蔽材料豹最大优点是成本低，简单实用鼠适用面 广。 锾系譬电涂瓣是最旱开笈的菇嵇之一，美瓣军方睾在6 0 年代簸将它震 作电磁屏蔽材料。银系涂料性能稳定，屏蔽效果极佳( 可达6 5d b 以上) ，但 由于其成本太高，只能适用于浆些特殊场合下使用。 镍系涂料价格适中，屏蔽散果好，抗氧化熊力“比铜强，因而成为当前欧 美等藿家毫磁瓣蔽翔涂瓣魏熏浚。涂层厚度荛5 q 鞠娶翔瓣，体积魄隧率为 1 0 3 q 嘲，瓣蔽效果可这3 0 6 0 鹅( 5 0 0 1 0 0 0 赫秘z ，毽镍系涂辩程低频区 ( 3 宙予聚穗爝耪英毒亲零瞧较麓豹蒋瞧，在酝溅好瓣活证滚串趣入少量表 面活性剂( 1 2 9 几) ，缫爝化处理的凝体( p p 粉) 在清水中潆洗2 3 m i n 嚣避八下一避王疼。 ( 5 ) 逐簸 塑料4 牛经灞化后，表榭总要吸驸一然话化刹( a g + 溅p b ”) ，遮些离子著 进入化学锻液铵导致镀液搬前还琢，使分解失效，故必簇先将遮魑离予还原。 毳基a g + 或盹”豹还缀还爵避多挺褰壤稼藩活性，扶藤臻姨讫学沉积速凄。 还舔液配方及工葱条件冤袭2 4 。 还原处理厢的p p 粉税清水中漂洗l 一2 次聪转入下道工序。 表2 4 逐漂液瓣穷爱工蕊条转 下尊b + 2 4 c o 嘲，o s ；七；o 雌毒n dp r o c e 摹se o n d i t ；o n s 辱fr e d t 端t i ￥e 甲醛( h o ) 3 7 蒜 次鬟辚黢镳 水 溢壤 时闻s 适用越圈 l 份( 质鬟分数) 9 份( 质鬣分数) i 8 2 s 3 5 化学镀铜黼处理 l o 3 0 9 l l l i 8 2 5 3 1 0 化学镀镍翁处理 ( 6 ) 瓣黢 嚣赢秘援夭攀骥士繇突垒攀位论文繁2 4 页 经胶态镞液活亿处理过豁黧瓣工俘，獒表露暇除了一层胶态铤颡粒，经 解黢处理丽，胶诲钯外瑶的镄离子( 翻“) 被溶锵下来，从丽露如念属钯， 在纯擎镀霹越德纯终焉。螫瓣王传嚣亿纛解茨懿麓示意鍪冤圈2 3 。 解胶液粼方及工艺条件如“f ： 盐酸( d = i 。1 9 )i 0 黼i l 承9 仑0 豫l 毛 滏度3 0 4 0 时间 o 5 1 m i n 鼗辩王搏蓑迸 燕辫融孙 霪2