multisim元器件参数详解.doc

电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 传输饱和电流EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA） 正向欧拉电压IKF （IK） 正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB） 正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB 零偏压基极电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE PE 发射结内建电势MJE ME 集电结剃度因子CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子FC 正偏势垒电容系数TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间XTB BF和BR的温度系数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数Is=14.34f 反向饱和电流。Xti=3 饱和电流的温度指数 Eg=1.11 硅的带隙能量Vaf=74.03 正向欧拉电压Bf=255.9 正向电流放大系数Ne=1.307 B-E极间的泄漏饱和发射系数+ Ise=14.34f B-E极间的泄漏饱和电流Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数Br=6.092 理想反向电流放大系数Nc=2 B-C间的泄漏发射系数Isc=0 Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点Rc=1 集电极电阻+ Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。Mjc=.3416 B-C结指数因子Vjc=.75 B-C结内建电势Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容Mje=.377 BE结指数因子Vje=.75 B-E结内建电势+ Tr=46.91n 反向渡越时间Tf=411.1p 正向渡越时间Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10) 正向渡越时间随偏置变化的参数三极管参数中文字符号英文对照 Pcm 集电极最大耗散功率 Icm 集电极最大允许电流 V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压 V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压 V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压 Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流 Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流 Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流 Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降 Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降 hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数） Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率） Cob 共基极输出电容 Nf 嗓声系数 Fa 共基极截止频率 Hre 共发射极交流输入开路时的电压反馈系数 Gp 共基极时功率增益 Kp 共发射极时功率增益 Vf 正向降压 Vr 反向降压 Typ 典型值 Max 最大值 Min 最小值 If 正向电流 Ir 反向电流 Toff 关闭时间 共发极交流输入开路时的输示 Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容Cn-中和电容（外电路参数）Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe-共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Cre-共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容CL-负载电容（外电路参数）Cp-并联电容（外电路参数）BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE结击穿电压BVebo- 集电极开路EB结击穿电压BVces-基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D-占空比fT-特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE-共发射极静态电流放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导h RE-共发射极静态电压反馈系数hie-共发射极小信号短路输入阻抗 hre-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数hoe-共发射极小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或交流电流的平均值Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值IE-发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP-集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流IAGC-正向自动控制电流Pc-集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率Po-输出功率Posc-振荡功率Pn-噪声功率Ptot-总耗散功率ESB-二次击穿能量rbb-基区扩展电阻（基区本征电阻）rbbCc-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE-外接发射极电阻（外电路参数）RB-外接基极电阻（外电路参数）Rc -外接集电极电阻（外电路参数）RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）RG-信号源内阻Rth-热阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-贮存温度td-延迟时间tr-上升时间ts-存贮时间tf-下降时间ton-开通时间toff-关断时间VCB-集电极-基极（直流）电压VCE-集电极-发射极（直流）电压VBE-基极发射极（直流）电压VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp-穿通电压。VSB-二次击穿电压VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE(sat)-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC-正向自动增益控制电压Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值V n-噪声电压Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)-串联电阻Rth-热阻R(th)ja-结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r -衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数p-发光峰值波长 -光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差 VD