工艺模拟仿真.doc

电子科技大学成都学院（微电子技术系）实验报告书课程名称：工 艺 模 拟 仿 真学 号：2 8 4 0 7 1 0 113姓 名：岳 波教 师：袁 艺 丹 2011 年 06月 20日一、实验目的：学习并掌握LDMOS工艺仿真技术。二、实验仪器设备 计算机一台 仿真软件3、 实验原理工艺模拟是在给定的器件结构、工艺步骤和工艺参数的条件下求解半导体器件内部的结构变化和杂质分布。四、实验步骤及数据 设置网格LINE Y LOC=0 SPAC=2LINE Y LOC=7 SPAC=2LINE Y LOC=65 SPAC=5LINE X LOC=0 SPAC=2LINE X LOC=80 SPAC=2初始化INITIALIZE BORON=5E13初试氧化 DIFFUSE TIME=25 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=45 TEMP=1000 F.H2=3 F.O2=1.7 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=25 TEMP=45 T.FINAL=1000Nwell光刻MASK IN.FILE=MASK.TL1DEPOSIT PHOTO THICK=1.2EXPOSE MASK=nwellDEVELOPETCH OXIDEETCH POHO ALLNwell注入氧化DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 F.H2=3 F.O2=1.7DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=20 TEMP=1000 T.FINAL=750 INERTNwell注入DEPOSIT PHOTO THICK=1.2EXPOSE MASK = nwellDEVELOPIMPLANT PHOS DOSE=9.8E11 ENERGY=100ETCH PHOTO ALLNwell推阱DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05 DIFFUSE TIME=30 TEMP=1200 F.N2=3 F.O2=3.5DIFFUSE TIME=170 TEMP=1200 INERTDIFFUSE TIME=20 TEMP=1200 T.FINAL=750 INERT光刻PBODY区 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK=pwell 1 DEVELOP ETCH OXIDE THICK=0.4PBODY注入 IMPLANT BORON DOSE=1.1E13 ENERGY=60 ETCH PHOTO ALL光刻P - 注入区DEPOST PHOTO THICK=1.2EXPOSE MASK=pwell 2DEVELOPP - 注入IMPLANT BORON DOSE=1.2E13 ENERGY=30ETCH PHOTO ALLP扩散DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1100 INERTDIFFUSE TIME=20 TEMP=750 INERTDIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=750 INERTSi3N4下氧化层ETCH OXIDEDIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=950DIFFUSE TIME=5 TEMP=950 DRYO2DIFFUSE TIME=12 TEMP=950 F.N2=3 F.O2=1.7DIFFUSE TIME=5 TEMP=950 DRYO2DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=750 INERT沉积Si3N4 DEPOSIT NITRIDE THICK=0.15 SPACES=3刻蚀有源区DEPOSIT PHOTO THICK=1.2EXPOSE MASK=nitrideDEVELOPETCH NITRIDEETCH OXIDEETCH PHOTO ALL生长场氧DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=950 F.N2=3 F.O2=0.05DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=10 TEMP=1000 F.N2= 1.7 PROCESS=10DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=20 TEMP=1000 T.FINAL=750 INERT刻蚀Si3N4 + SiO2ETCH NIRIDE ALLETCH OXIDE THICK=0.04预氧 + 刻蚀氧预氧DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=950 F.N2=3 F.O2=0.05DIFFUSE TIME=5 TEMP=950 DRYO2DIFFUSE TIME=6 TEMP=950 F.H2= 3 F.O2=1.7DIFFUSE TIME=5 TEMP=950 DRYO2DIFFUSE TIME=20 TEMP=950 T.FINAL=750 INERT生长栅氧DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05DIFFUSE TIME=60 TEMP=1000 DRYO2DIFFUSE TIME=20 TEMP=950 T.FINAL=750 INERT沉积 + 刻蚀多晶硅 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 spaces=2 phos=20 temp=60 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK=poly DEVELOP ETCH POLY ETCH PHOTO ALL刻蚀N+ DEPOSIT PHOTO THICK=1.4EXPOSE MASK=nimplantDEVELOPN+ 注入区IMPLANT PHOS DOSE=2E15 ENERGY=100ETCH PHOTO ALL光刻P+ 注入区 DEPOSIT PHOTO THICK=1.4EXPOSE MASK=nimplantDEVELOPP+ 注入 IMPLANT BORON DOSE=3E15 ENERGY=60ETCH PHOTO ALL沉积SiO2 + 增密 DEPOST OXIDE THICK=0.6diffusion time=20 temp=750 t.final=950 inertdiffusion time=30 temp=950 inert diffusion time=20 temp=950 t.final=750 inert刻蚀接触空DEPOSIT PHOTO THICK=1.2EXPOSE MASK=omicontDEVELOPETCH OXIDEETCH PHOTO ALL蒸铝 + 刻铝DE