（材料学专业论文）afe05b05o3abasrbnbta陶瓷的巨介电效应及其调控.pdf

a u t h o r ss i g n a t u r e ： 一 s u p e r v i s o r 7s s i g n a t u r e ： e x t e r n a lr e v i e w e r s ：p i y i d u - - _ _ - - _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ - - 。_ l _ _ _ - _ _ 一 一- _ _ _ _ _ _ _ _ - _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ - - _ _ - _ 。_ - - _ _ _ _ _ _ _ _ _ 一 x i 垒q g 坠垒n gl i ! 垒旦g 圣i i 盟gl i 坠垒堡i 坠gl i 堕： c e w e nn a n e x a m i n i n gc o m m i t t e ec h a i r p e r s o n ： e x a m i n i n gc o m m i t t e em e m b e r s ： 圣h 星n g 坠q i j i a ns h a 监画i 塑暨垒g d a t eo fo r a ld e f e n c e ：2 0lo 6 5 ，舢5舢2舢6m 3 98舢 舢y 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得盘姿态堂或其他教育机 构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献 均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名：钞卑 签字日期： 如肠年舌月7 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解逝姿盘堂有关保留、使用学位论文的规定， 有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和 借阅。本人授权逝姿本堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库 进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 ( 保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名： 刁， y 导师签名： 签字日期：知如年占月7 日 签字日期：沙，。年参月7 日 学位论文作者毕业后去向：陕西科技大学 工作单位：陕西科技大学电话：0 2 9 8 6 1 6 8 0 6 5 通讯地址：陕西省西安市未央区未央大学园区陕西科技大学邮编：7 2 1 0 0 0 目次 致j 射i 摘要i i i a b s t r a c t v 1 绪论1 1 1 引言1 1 2 巨介电常数电介质陶瓷l 1 2 1 研究背景和主要参数1 1 2 2 研究现状6 1 3 复合钙钛矿巨介电常数陶瓷1 4 1 3 1 钙钛矿结构1 4 1 3 2 研究现状15 1 4 课题的提出与研究内容1 8 2b a ( f e o 5 n b o 5 ) 0 3 陶瓷的巨介电效应与磁学性能1 9 2 1 引言1 9 2 2 试样制备与测试2 0 2 2 1 试样制备2 0 2 2 2 试样测试2 1 2 3 实验结果与讨论一2 2 2 3 1 烧结性能2 2 2 3 2 相组成与微结构2 2 2 3 3 介电弛豫及巨介电效应的起源2 3 2 3 4 磁学性能3 3 2 4 小结3 4 3b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷的巨介电效应与磁学性能3 7 3 1 引言3 7 3 2 试样制备与测试3 7 3 2 1 试样制备3 7 3 2 2 试样测试3 7 3 - 3 实验结果与讨论3 8 3 3 1 烧结性能3 8 3 3 2 相组成与微结构3 9 3 3 3 介电弛豫及巨介电效应的起源4 0 3 3 4 磁学性能4 8 3 4 小结5 0 4 a 1 部分置换改性b a ( f eo 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷的介电弛豫与磁学性能5 3 4 1 引言。5 3 4 2 试样制备与测试5 3 4 2 1 试样制备5 3 4 2 2 试样测试5 3 4 3 实验结果与讨论5 4 4 3 1 烧结性能5 4 4 3 2 相组成与微结构5 5 4 3 3 介电弛豫及巨介电效应的起源一5 7 4 3 4 磁学性能6 3 4 4 小结6 7 5 ( 1 - x ) b a ( f e o 5 n b o 5 ) 0 3 - x b a t i 0 3 固溶体陶瓷的介电弛豫及铁电性6 9 5 1 引言6 9 5 2 试样制备与测试6 9 5 2 1 试样制备6 9 5 2 2 试样测试7 0 5 3 实验结果与讨论7 0 5 3 1 烧结性能7 0 5 3 2 相组成与微结构7 0 5 3 3 介电性能7 2 5 3 4 铁电性能7 8 5 4 小结8 0 6 ( 1 - x ) s r ( f e o 5 n b o 5 ) 0 3 - x s r t i 0 3 固溶体陶瓷的介电性能8 3 6 1 引言8 3 6 2 试样制备与测试8 3 6 2 1 试样制备8 3 6 2 2 试样测试8 3 6 3 实验结果与讨论8 4 6 3 1 烧结性能8 4 6 3 2 相组成与微结构8 4 6 3 3 介电性能8 6 6 4 小结9 3 7 总结9 5 参考文献9 7 作者简历。1 11 致谢 致谢 本论文的完成首先应当感谢导师陈湘明教授的悉心指导。先生正直的 为人、严谨的治学态度、渊博的知识和孜孜不倦的求学态度让我深深钦佩， 是我今后学习和工作的榜样，对我的谆谆教诲使我终身受益! 在此向先生 表示最诚挚的谢意! 感谢徐志成副教授、吴淑雅博士、吴勇军副教授、刘小强副教授、 李雷副教授和李慧玲博士对我工作和学习的支持与帮助，以及浙大分析测 试中心的吕光烈老师、胡秀荣老师，中科院物理所磁学国家重点实验室的 成昭华教授以及浙江理工大学的汪丽娜老师对我的研究工作给予的热情 帮助。祝各位老师身体健康、工作顺利! 在攻读博士学位期间的学习、工作和生活中得到了秦霓、范协诚、 肖洋、刘月英、李永江、袁媛、倪磊、傅茂森、谷慧华、邱卫平、刘燕娟、 罗宏雷、马妍等各位师兄师姐无私的关怀和帮助；同时感谢朱晓莉、林亦 琦、毛敏敏、罗海滨、高原、曹牧昕、张磊、李莲蓬、章薇、唐联红、袁 红霞、刘盼盼、田义良、宋长霖、覃莹、王颖、苏绍华、杨文智、白阳、 彭莉琴、吕欣、王睛晴、孙土来、钟丽、愈超、易磊、贾博文、方勇、谷 双平、王楠、赵宏健等研究室同学真挚的友谊。在此对他们表示诚挚的谢 意，祝他们的生活永远充满欢笑! 感谢我远在故乡的父母和亲人，我人生旅途中的每一个收获无不凝 聚着他们无私的奉献和殷切的期望。特别感谢我的先生侯一波，是他陪伴 我一起品味博士生生活的酸甜苦辣，感谢他默默的支持、包容和帮助。祝 福他们永远健康快乐! 本课题获国家自然科学基金( n o 5 0 7 0 2 0 4 9 ；n o 5 0 8 3 2 0 0 5 ) 资助，特 此感谢! 王卓 2 0 1 0 年4 月 于求是园 浙江大学博士学位论文 i i 摘要 摘要 本论文系统研究了a ( f e o 5 b o 5 ) 0 3 似= b a ，s r ；b = n b ，t a ) 复合钙钛矿 陶瓷的微结构、介电和磁学性能，揭示了其介电弛豫与巨介电效应的本质 与结构根源，并探索了该类材料的结构调控与改性。 b a ( f e o s n b o 5 ) 0 3 陶瓷在1 5 0 - 4 0 0k 和4 0 0 5 5 0k 存在两个具有强烈 频率色散的介电弛豫，而在二者之间呈现一个巨介电常数台阶 ( 矿3 0 ，0 0 0 ) 。两个介电弛豫均为符合a r r h e n i u s 定律的热激活过程。低 温介电弛豫是一个本征的类德拜弛豫，起源于f e 2 + 和f e 3 + 离子之间电荷的 跃迁；而高温介电弛豫可被氧气氛处理明显抑制，因而属于氧空位等缺陷 诱导的非本征介电弛豫。巨介电常数台阶则是低温和高温两个介电弛豫相 互竞争平衡的结果。b a ( f e o 5 n b o 5 ) 0 3 陶瓷在奈尔温度以下呈反铁磁有序 并带有较弱的铁磁性，同时在室温也存在弱铁磁性。 b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷具有同b a ( f e o s n b o 5 ) 0 3 相似的介电性能：存在 低温和高温两个类德拜介电弛豫，它们均为热激活过程，而在二者之间存 在巨介电常数台阶( 矿2 0 ，0 0 0 ) 。低温介电弛豫起源于- 9f e 2 + f e 3 + 混价结 构相关的本征因素，而高温介电弛豫则归因于氧空位等缺陷结构，低温电 滞回线呈线性表明b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷并非弛豫铁电体。b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷在低温下表现为带有弱铁磁性的反铁磁有序，同时在室温也存在弱铁 磁性，其室温弱铁磁性起源于缺陷等非本征因素。 通过用非变价的舢3 + 离子部分置换f e 3 + 离子得到了 b a ( f e o 9 a l o 1 ) o 5 t a o 5 0 3 固溶体陶瓷。引入a 1 3 + 离子后影响了 b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷的f e 2 w e 3 + 混价结构，使巨介电常数台阶伸长约5 0k ， 并且显著降低了室温介电损耗。同时，砧3 + 离子部分置换f e 3 + 离子减小了 b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷的磁化强度，使其室温弱铁磁性消失，分析表明氧空 位等缺陷在b a ( f e o 5 t a o 5 ) 0 3 陶瓷室温弱铁磁性中发挥着重要的作用。 在b a ( f e o 5 n b o 5 ) 0 3 陶瓷中引入b a t i 0 3 得到了b a ( f e o 5 n b o 5 ) l 呵t i x 0 3 ( 沪o 2 ，0 4 ，0 6 ，o 8 ，0 8 5 ，0 9 ，0 9 5 ) 固溶体陶瓷。随着x 的增大， b a ( f e o s n b o 5 ) 1 重t i x 0 3 固溶体的结构由立方相转交为四方相。当0 2 1 ) ，松弛极化退出极化响应，电介质的极化完全由 位移极化贡献，s 趋近于如，同时损耗相应减i x 3 1 。 然而d e b y e 方程只是单一的弛豫时间的反映，有许多电介质的介电 弛豫并不属于d e b y e 型。k s c o l e 和r h c o l e 提出了另一个非常有用的 经验公式，将复介电常数改写为： 2 绪论 吣 c 图1 1 固体单弛豫机制的d e b y e 模型中s 、s ”、t a n 万与频率的关系图。 f i g 1 1r e p r e s e n t a t i o n so f 占、占”、t a n ga sf u n c t i o no ff f e q u e n c yf o ras o l i dw i t hs i n g l e r e l a x a t i o nd e b y em o d e 占( 缈) = s m + 了旆 ( 1 5 ) 式中，岛为静态介电常数，氏为极限频率下的介电常数，缈表示角频率， 口在零到l 之间，f 为平均弛豫时间。参数胡来衡量d e b y e 方程的适用 程度【4 】。 【介质损耗】 介质损耗是指电介质在极化过程中单位时间内单位体积中转化为热 能而损耗的能量。引起介质损耗的机制主要有：( 1 ) 漏导损耗；( 2 ) 电介 质中发生的慢极化( 取向极化、热离子极化和空间电荷极化) 中微观离子 之间的能量交换在宏观上表现的介电损耗；( 3 ) 原子、离子或电子的振动 所产生的，并伴随有色散现象的共振效应而引起的能量损耗【2 ，5 1 。其中， 前两种介电损耗t a n g 与频率，的关系由图1 2 所剥6 1 。在各种损耗机制中， 慢极化引起的介电损耗占主导地位。 浙江大学博士学位论文 a )b ) 图1 2 介电损耗t a n g - 与电场频率的关系：a ) 电导引起的损耗，b ) 慢极化引起的 损耗。 f i g 1 2d i e l e c t r i cl o s st a n 8 v e r s u s 行e q u e n c y f i nd i e l e c t r i c s ：小l o s sd u et oe l e c t r i c c o n d u c t i o n , b ) l o s sd u et os l o wp o l a r i z a t i o n 【介电常数温度系数】 介电常数的温度系数是指随温度的变化介电常数的相对变化率，通常 用口。来表示1 7 1 ： 哎：士塑地( 1 6 ) 铲而。蒂 。白) 其中7 o 为室温( 通常为2 0 ) ，占，为相对复介电常数的实部，t 为某个指 定温度( 通常为2 5 或+ 8 5o c ) 。口，反映了介电常数对温度的依赖性，是 一个重要的介电性能参数。不同的材料，由于不同的极化形式，其介电常 数温度系数也不同，有正、负和零温度系数材料之分，不同材料的介电常 数温度系数可具有不同的用途。有的要求口，为正值，如滤波旁路和隔直 流的电容器；有的要求口。为负值，如热补偿电容器；有的则要求口。接近 零，如要求电容量热稳定性较高的回路中的电容器和高精度的电子仪器中 的电容器。目前高介电常数陶瓷应用在电容器方面的一项重要任务，就是 获得口，接近于零而介电常数尽可能高的材料【8 1 。 4 绪论 在陶瓷电容器的应用领域，根据介电常数和介电损耗的大小可将材 料分为以下两类( 如图1 3 所示) 【9 1 ，一类是温度补偿型电容器陶瓷材料， c a t i 0 3 为温度补偿型陶瓷电容器材料的典型代表。这类材料的介电性能 指标为1 0 g 5 0 0 ，i s7 l 5 ，1 0 4 t a n 6 1 0 一，占7 表示了介电常数温度 稳定性，是介电常数温度系数在工业应用中的简化： 图1 3 一些重要电容器材料的介电性能分类【9 1 。 f i g 1 3d i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fs o m ef a m o u sc a p a c i t o rm a t e r i a l s d o t t e dr e c t a n g l e s r e p r e s e n tr o u g h l yc l a s s i f i e dc a t e g o r i e so f d i e l e c t r i cm a t e r i a l s l 9 】 表1 1 一些陶瓷电容器的温度范围和介电常数变化情况【7 1 。 t a b l e1 1d i e l e c t r i cc o n s t a n tc h a n g e st e m p e r a t u r er a n g e sf o rs e v e r a lc a p a c i t o r m a t e r i a l s f 7 】 浙江大学博士学位论文 a c = ( ；一占二) 占知1 0 0 ( 1 7 ) 其中s ；，s 知分别表示为温度为t 和2 0 。c 的介电常数。另一类是具有温度 稳定性的高介电常数陶瓷材料，根据美国电子工业协会( e i a ) 的标准， 将其划分为x 5 r ，x 7 r ，z 5 u 和y 5 v 型陶瓷，这些陶瓷的介电性能参数如 表1 1 所示【7 ，9 1 。 1 2 2 研究现状 人们最早于2 0 世纪4 0 年代在b a t i 0 3 铁电陶瓷中于居里温度附近发 现了巨介电常数【1 0 】。随着这一发现的问世，针对铁电陶瓷这一特性开发 出了众多的电容器材料，广泛应用于电子技术领域的各个方面。与此同时， 人们对于这类材料的巨介电常数起源进行了大量的研究，给出了许多唯象 的解释并从热力学和品格动力学方面进行了理论的探索。下面分别对几类 巨介电常数材料进行介绍。 【铁电体材料】 典型的铁电体材料b a t i 0 3 在其居里温度1 2 0 0 c 附近具有非常高的介 电常数，而通过添加其它材料( 例如c a t i 0 3 ，b a z r 0 3 等) 形成固溶体能 够影响其铁电特性，如相变温度、自发极化能力等，使居里温度接近室温， 并且大大降低其温度依赖性( 如图1 4 所示) 1 0 - 1 2 。不仅是铁电体，弛豫 铁电体材料女l j p b 基钙钛矿p b ( z r , t i ) 0 3 、p b ( m 9 1 ，3 n b 2 ，3 ) 0 3 p b t i 0 3 等在其铁 电一顺电相变温度附近的介电常数往往高出非相变区一个数量级以上( 如 图1 5 所示) 3 - 1 5 1 。相对于正常铁电体，弥散铁电体和弛豫铁电体的介电 峰比较弥散，温度稳定性比正常铁电体要好，但在相变温度其介电常数仍 然会产生较大变化，强烈的温度依赖性阻碍了这类材料的实际应用。为 适应应用中器件更高性能的要求，仍然需要开发出具有更高介电常数且 在更宽温度范围内稳定的电介质陶瓷。 6 2 0 0 0 0 5 o o o o 绪论 钿，山一，棚0 3 棚- 1 - - 5 005 01 1 5 0 2 图1 4l a 置换b a t i 0 3 的介电常数随l a 含量的变化【1 0 】 f i g 1 4p e r m i t t i v i t yo fl a - d o p e db a t i 0 3a saf u n c t i o no fl ac o n t e n t i l o 】- t 5 5 o 曩蔚z 铂a 3 7 内 图1 5 弛豫铁电体p b ( m g l ，小m 2 3 ) 0 3 不同频率下相对介电常数的实部与虚部随温度的 变化。放大的插图部分反映了普适弛豫弥散【”1 f i g 1 5t e m p e r a t u r ed e p e n d e n c e so ft h er e a la n di m a g i n a r yp a r t so f t h er e l a t i v e d i e l e c t r i cp e r m i t t i v i t ym e a s u r e da td i f f e r e n tf r e q u e n c i e si nac r y s t a lo ft h ep r o t o t y p i c a l r e l a x o rp b ( m g l3 n b 2 3 ) 0 3 e n l a r g e dv i e wi nt h ei n s e r ts h o w st h eu n i v e r s a lr e l a x o r d i s p e r s i o n ( u r d ) t 1 3 i r f e 2 0 4 ( r = d y ，l u 和y ) 是一种特殊的铁电体材料，它具有混价结构， 电荷失挫引发了铁电性，被称为电子铁电体，是一种高介电常数材料 7 参i一童e之 浙江大学博士学位论文 b 6 q 9 1 。如图1 6 所示，l u f e 2 0 4 陶瓷在温度高于2 2 0k 时，其介电常数可 达4 , 0 0 0 以上。i k e d a 等人【1 6 】用共振x 射线散射技术确定了三角晶格的 l u f e 2 0 4 中f e 2 + 和f e 3 + 的长程有序排列，认为f e 2 + 和f e 3 + 形成的超结构 有利于电极化的产生，电子之间的关联作用是造成电极化产生的根本原 因。其电荷有序模型如图1 7 所示。 3 0 0 0 2 o 图1 6 不同频率下l u f e 2 0 4 多晶试样的介电常数随温度的变化【 f i g 1 6t e m p e r a t u r ed e p e n d e n c eo f t h ea c d i e l e c t r i cc o n s t a n t si nl u f e 2 0 4 p o l y c r y s t a l l i n es a m p l em e a s u r e di nt h ef r e q u e n c yr a n g ef r o m1k h z t o1m h z 16 1 图1 7r f e 2 0 4 中双层铁离子层的电荷有序模型【1 6 】 f i g 1 7t h ec h a r g e o r d e r i n gm o d e lo ft h ed o u b l ei r o nl a y e ri nr f e 2 0 4 【1 6 】 瞄 瞄 酋 4 绪论 【非均质结构电介质材料】 人们通过研究发现，与渗流结构相关的介电复合材料具有巨介电常 数。研究表明，复相材料的巨介电常数主要来自于m a x w e l l w a g n e r 效应。 该模型的有效介电常数的实部和虚部可以用以下公式表示 2 0 , 2 1 1 荆( c o 。气+ 丽6 c - e 。( c o ) 5 丽1 + 警( 1 8 ) 可以发现m a x w e l l w a g n e r 公中的介电常数实部随频率的变化和d e b y e 弛豫( 式1 3 ) 的介电常数实部随频率的变化是一样的，仅仅通过介电常 数的实部难以区分空间电荷和偶极子的极化作用。但是通过分析介电常数 的虚部与频率的变化规律可以区分m a x w e l l w a g n e r 和d e b y e 弛豫行为。如 图1 8 所示【2 1 1 ，在d e b y e 公式中，当c o - - 0 时，s 一0 ，然而在m a x w e l l w a g n e r 机制中占”一o o 。 f r e q u e n t ( h z ) 图1 8m a x w e l l w a g n e r 和d e b y e 模型中介电常数虚部随频率的变化【2 1 1 f i g 1 8f o r mo ft h ei m a g i n a r yp e r m i t t i v i t yr e s p o n s ee x p e c t e df r o mb o t h m a x w e l l w a g n e ra n dd e b y em o d e l s 【2 迄今为止，已在陶瓷聚合物、金属陶瓷、金属聚合物等多种复合 材料中发现了巨介电效应【2 2 。2 5 1 。以金属绝缘体复合物为例，随着金属含 量的增加，此类复合物会发生金属绝缘转变，且该转变中伴随着电导率 的突变以及介电常数实部在渗流阈值处的剧增，并且实验中已经观察到这 种介电常数的剧增现象。p e c h a r r o m a n 等人【2 6 】报道了在n i b a t i 0 3 金属 9 浙江大学博士学位论文 绝缘复合物中随频率变化稳定的巨介电常数，其大小约为8 0 ，0 0 0 ，是 b a t i 0 3 陶瓷介电常数的2 0 倍。z h a n g 等人【2 7 】牙0 用玻璃相包覆半导的s i c 陶瓷在高温低频下也得到了超大的介电常数( 2 ，9 1 0 ，0 0 0 ) x u 等【2 8 】报道 了将自钝化处理后的烈粉颗粒分布于高分子基体中，可在该复合材料中 获得达基体3 0 倍的有效介电常数。 除了复合材料以外，一些单相材料由于存在着非均质结构，即半导化 晶粒加绝缘化的晶界，同样能够获得很大的介电常数。例如，先在还原气 氛下烧结b a t i 0 3 陶瓷，再氧化处理半导化b a t i 0 3 晶粒，使其形成晶界 层电容器结构，这样可在b a t i 0 3 陶瓷中获得极大的介电常数【2 9 ，3 0 l 。此外， 如图1 9 所示，l i 、t i 共掺n i o 陶瓷的介电常数可达1 0 4 数量级 3 1 - 3 4 】，这在 无铅介电材料中比较罕见，其巨介电常数的起源是由于l i 的掺入导致n i 的变价而形成了半导化的晶粒，而t i 在晶粒外壳的富集形成了绝缘层。在 l i n 等人【3 5 】的报道中，l i 、a 1 掺杂的n i o n 瓷也具有相似的介电性能。 l o 图1 9l i ，t i 掺杂的n i o 陶瓷的介电常数和介电损耗随温度的变化曲线【3 l 】 f i g1 9d i e l e c t r i cc o n s t a n ta n dd i e l e c t r i cl o s so fl t n oc e r a m i c sa sf u n c t i o no f t e m p e r a t u r e 【3 l 】 绪论 k 2 n i f 4 结构镍酸盐】 在k 2 n i f 4 结构镍酸盐中也发现了巨介电效应。r i v a s 等1 3 6 报道了 l a l 5 s r 0 5 n i 0 4 陶瓷在1 6 0 2 0 0k 范围内存在介电弛豫，当频率在1 0 2 1 0 5 h z 时，其介电常数维持在1 0 5 ，当频率增大至1m h z 时，介电常数降至 3 x 1 0 4 。k a j i m o t o 等【3 7 1 用中子衍射技术观察到了单晶l a l 5 s r o 5 n i 0 4 中电荷 有序的转变，而t r a n q u a d a 课题组1 3 8 - 4 3 】利用中子衍射系统地研究了单晶 l a 2 n i 0 4 + 艿( 0 0 5 5 0 1 3 3 ) 中的相分离、空穴和自旋有序以及电荷有序现 象。“等m 】用透射电子显微镜表征了电荷条纹的局部结构，证实了电荷 条纹是一维结构并且单个条纹在n 0 2 层内趋向点心或者键心位置。通过 以上研究认为l a l 5 s r o 5 n i 0 4 陶瓷的巨介电效应与条纹状电荷有序之间存 在着某种联系。p a r k 等【4 5 】发现在5 2 0 0k 温度范围内单晶l a 5 ，3 s r l 3 n i 0 4 中也存在巨介电效应，认为这与电荷玻璃态有关。l i u 等 4 6 , 4 7 在较宽的温 度和频率( 1 2 3 5 7 3k 、1h z 1 0 m h z ) 范围内系统地研究了l n l 5 s r o 5 n i 0 4 ( l n = l a , n d ，s m ) 陶瓷的介电性能，发现在高达1 0 6 h z 时，介电常数仍维 2 5 勰 、1 5 o 1 0 5 1 汐 o 诒 量，护 1 0 4 ；(