（光学工程专业论文）105μm高速宽带激光器研究.pdf

ab s t r a c t : 砖 i n t h i s l e tt e r , a p r o c e d u r e o f t h e m o d u l a t i o n b a n d w i d t h a n d h i g h s p e e d l a s e r d i o d e m o d u l e s o p e r a t i n g a t 1 . 0 5 4 1 r m w a v e l e n g t h a r e d e s c r i b e d . b a s e d o n t h e t h e o r e t i c a l a n a l y s i s a b o u t t h e b a n d s t r u c t u r e , d e n s i t y o f s t a t e s , c r i t i c a l t h i c k n e s s , s p e c t r a l l i n e w i d t h a n d m o d u l a t e d b a n d w i d t h o f q u a n t u m w e l l a n d s t r a i n e d q u a n t u m w e l l , w e f o c u s o n t h e d e s i g n o f s t r u c t u r e a n d m a t e r i a l p a r a m e t e r , w a v e l e n g t h c a l c u l a t i o n a n d w a v e l e n g t h c o n t r o l i n t e c h n o l o g i c a l p r o c e s s . t h e n , u n d e r e x i s t i n g t e c h n o l o g i c a l e q u i p m e n t c o n d i t i o n s , t h e t e c h n o l o g i c a l p r o c e s s o f f a b r i c a t i o n o f r i d g e w a v e g u i d e , o h m c o n t a c t a n d b o u n d i n g a r e o p t i m i z e d . f i n a l l y o p t i c a l a n d e l e c t r i c a l c h a r a c t e r i s t i c s a n d i t s a n a l y s i s a r e g i v e n . u s e d g r a d e d - i n d e x s e p a r a t e - c o n f i n e m e n t h e t e r o s t r u c t u r e ( g r i n s c h ) i n g a a s / g a a s r i d g e w a v e g u i d e ( r wg ) s t r a i n e d s i n g l e - q u a n t u m - w e l l ( s q w) , w h i c h a c t i v e r e g i o n i n a s m o l e f r a c t i o n x i s 0 . 3 5 , c l a d d i n g l a y e r a i m o l e f r a c t i o n y i s 0 . 6 5 , t h i c k n e s s o f t h e w e l l i s 5 . 5 n m , c l a d d i n g t h i c k n e s s i s 0 .4 5 1 x m , w i d t h a n d h e i g h t o f r i d g e w a v e g u id e a r e 3 1 x m a n d 0 .5 1 x m , w e o b t a i n e d 1 .0 5 4 4 m 士 0 .0 0 1 1 x m la s i n g w a v e l e n g t h , m o r e t h a n 0 . 5 m w o u t p u t p o w e r , l e s s t h a n 2 n m s p e c t r a l l i n e w i d t h , m o r e t h a n 3 g h z mo d u l a t i o n b a n d w i d t h . k e y w o r d s s t r a i n e d q u a n t u m w e l l i n g a a s / g a a s r i d g e w a v e g u i d e l a s i n g w a v e l e n g t h s p e c t r a l l i n e w i d t h m o d u l a t i o n b a n d w i d t h 1犷日侣，下， 护 i l 第 1 章绪论 1 . 1 引言 由于半导体激光器具有体积小、重量轻、转换效率高、可直接调制、可靠性 高等优点，己成为光纤通信、光纤传感、光盘存储、激光打印和固体激光器泵浦、 光纤放大器泵浦等中不可替代的重要光源。加上其工艺与集成电路工艺兼容，便 于 与其它器件实现集成， 因 此在光电 子集成 ( o e i c ) 和光子集成( p i c ) 中 也有广泛用 途。 在早期异质结半导体激光器和量子阱激光器的研究中，人们通常都选用晶格 匹配材料，以减少晶格失配及由此引起的应变和位错。一般都是利用三元、四元 化合物来获得两种晶格常数的匹配，即常用g a a s / g a a ia s . i n p / i n g a a s p系，其波 长 范围 分别为0 .7 8 - 0 .9 m和1 .3 -1 .5 5 t m 。 但是， 这种晶 格匹 配的 要 求限 制了 激 射波长的拓展 八十年代以来，由于 吸取了半导体物理研究的新成果，同时品体外延生长新 艺如分子束外延( m b e ) 、金属有机化学汽相淀积( m o c v d ) 和化学束外延 ( c b e ) 已 生长出高质量的应变超晶格和量子阱，扩展了用于器件设计的材料系的选择。由 于新的外延生长 工艺能够精确控制晶体生长 厚度达到原子层的精度，而且不同材 料交替生长时具有平整陡峭的界面，界面态密度很低，这就使人们能够利用 “ 能 带 i . 程”人为地改变结构参数以获得所需要的量子阱、超品格材料，从而优化器 件的性能。 量子阱激光器中窄带隙的有源区材料其厚度小于电子在该材料中的德布罗意 波长 ( 一般小于 1 o n m 一 2 0 n m ) ， 这时有源区就成了 势阱区， 两侧的宽带隙材料成为 势垒区。势阱中的电子和空穴沿垂直阱壁方向的运动呈现量子化特点，电子的状 态密度也变为类阶梯状。这时只需要很小的注入电流就可以达到粒子数反转。因 此，量子阱激光器具有很低的阂值电流和高微分增益，同时激光器中电子与光子 的祸合时间更短，具有更好的高速调制特性。应变量子阱激光器是在量子阱激光 器的基础上发展起来的一种新型器件，在应变量子阱激光器中，形成阱和垒的两 种材料的品格常数有 一 定的失配，从而产生一定的张应变或压应变。当有源层厚 度小于 弹性形变的临界厚度( 一般为 1 o n m ) 时，在平行界面的方向 上会产生一个统 一的平衡晶格常数。利用这个内建应力可改变能带结构从而提高星子阱激光器的 性能，如价带态密度的降低使粒子数反转更容易，从而使闽值电流进一步降低; 发射波长 的拓展， 填补了品格匹配材料发射波长 的盲区( 0 .9 - 1 . 甲m ) :俄歇复合的 减小使_ 作温度提高， t o 值高;高的微分增益使得调制频率提高，调 制带宽加宽。 这些特点使应变箭子阱激光器在最近儿 年得到了飞速发展。 i n g a a s / g a a s 应变封 子阱结构是最早采用井己实用化的应变结构材料。 1 9 8 1 年由t s a n g 首先 报道了 在激光器有源层中用i n g a a s 取代g a a s ， 井用m b e 生 长 双 异 质 结 ( d h ) 激 光 器， 有 源层中i n a s 含 量4 .5 m o l% 。 其 激 射 波长 扩 展 到0 .9 4 p m 而闽值电流密度无明显变化。当外延生长技术变得更先进，允许改进 q w 异质结 的 生 长 时， 应变 层器 件的 研究 重 新 受到 重 视。 1 9 8 4 年l a id i g 等用m b e生长 出 含 有 三个l n o ,3 5 g a o .a s a s 阱 的 应 变量 子 阱 激 光 器， 有 源 层中 高 含 量的i n a s 使 激 射 波长 达到1 .o lx m ， 在3 0 0 g m长的 器件中， 测出 的 阐 值电 流密 度低达4 6 5 a / c m . 1 9 8 6 年， f e k e t e等用 o m v p e生长出了第一个应变梯度折射率分别限制异质结单量子阱 ( g r i n - s c h s q w ) 激 光器， 其 有 源 层i n a s 含 量 是3 7 m o l% ， 波 长约1 g m , 5 2 7 g m 长的器件的闻值电流密度减小到 1 5 2 a / c m z 。正如理论所预计的一样，这个值已低 于同样结构有源层为无应变的 g a a s的激光器的值。f i s c h等制作出了第一支 c w 工作 1 4 4 h的脊形波导激光器，在最后 5 0 h中，功率一电 流几乎没有变化。s t u t i u 报道了 第一支 用o m v p e 生长， 在3 0 0 k 下c w高 功率 工作的 应变i n g a a s - a ig a a s s c h s q w激 光 二 极管。 该 激 光 器 在 条 宽5 r m ， 波长0 .9 5 g m时， 输出 功 率2 0 0 m w / 面，端面未镀膜器件的寿命试验是在 9 0 m w / 单面的恒定功率和 5 0 的加速老化条 件下完成的。室温寿命超过2 5 0 0 h . 1 9 9 0年，t . r . c h e n等首次报道了mb带宽为 7 .6 g h z 的i n g a a s / g a a s b h g r in - s c h s q w高速激光器， 且c w闽值电 流低至 2 .4 m a ( 未镀膜的 激光 器) 和0 .7 5 m a ( 镀 膜激 光器) 。由 于 外延层 应变促使导 带的 不连 续性增大， 俄歇复合减少， 从而使器件工作 温度很高。1 9 9 2年， p .l .d e r ry等报道 了在 2 2 0 c c w 工作， 输出功率大于 9 m w,闽值电流 1 5 . 9 m a的器件。九十年代 中期， 报道了 用短周期超晶格( s p s s ) ( i n a s ) , / ( g a a s ) , 取代i n g a a s q w， 包层材料 ( g a a s ) , / ( a ia s ) , 合 金 取 代a i声 a ,.y a s 三 元 合 金， 以 改 善 材 料 质 量 ， 进 一 步 改 善 激 光 器的性能。 9 7 年得到了超过4 0 g h z 的受到阻尼限制的调制带宽。 这些研究结果表明了 应变层 i n g a a s / g a a s q w 激光二极管与品 格匹配的器件 相比有许多固有的优点。如低的a l 值电流密度、单个器件和阵列的高效率和高功 率特性、高温特性、以及低的退化速率和长寿命。 i n g a a s / g a a s应变量子阱激光器用途广泛，如用于高功率阵列、高效倍频、 固体激光器中的稀土离子光泵浦、光纤放大器光泵浦和g a a s 基光电集成电路。还 可用于局域网中的短光纤 ( l o o m )数据连接。这类器件在国外己相对成熟，如 0 .9 8 g m的半导体激光器己 商品化。 1 . 2 主要工作 1 .0 5 4 p m高 速宽带 激光 器组 件用于ic f 中的 激光驱动器， 作为 整个 激光 器系 统 的种子源.为系统提供放大的信号源。该初始光信号原来由 钱光纤主振荡器提供。 但现有的钱光纤主振荡器体积较大，其光脉冲形状通过计算机控制的高速光调制 器裁剪得到，控制改变的方式较为复杂。而半导体激光二极管具有体积小、效率 高、易精确控制辐射波长、调制方便等优点，用半导体激光器替代饭光纤振荡器 可克服钱光纤振荡器上述的缺点。 针对这种应用，我们研制了 1 .0 5 4 e tm宽带激光 器组件。其主要指标要求如下: .气 输出 光波长 :i .0 5 4 f l m士 0 .0 0 1 f u n ; 输出光脉冲峰值功率:- 0 .5 m w ; 调制带宽: 0 -3 g h z ; 输出光谱半功率点宽度:簇2 n m 该组件要求输出波长在钱玻璃的吸收峰内，因而对输出波长精度的要求非常 高，同时要求较宽的调制带宽、单模保偏光纤祸合并具备温度控制等。由于该器 件要求的输出波长 在 i n g a a s / g a a s 材料系范围内，因而采用 i n g a a s / g a a s 应变量 子阱结构。对组件调制带宽等的性能要求，通过在芯片设计和封装设计予以保证。 在本器件的研究中所做的主要工作有:( 1 )器件设计:首先由薛定i v 方程解 出一维无限势阱和有限势阱中分立能级的能量本征值的表达式，再计算出应变对 能级的影响，得出应变量子阱的等效带隙表达式。由临界厚度与组分的关系、能 量与组分、阱厚关系，以及能量与波长的关系，得出临界厚度、组分、阱厚与波 长的关系。同时分析了腔长和温度对波长的影响。通过控制这几者之间的关系可 达到精确控制波长的目的;此外还对光谱线宽、调制带宽进行了理论分析。在此 基础上，综合考虑各因素，完成了 i n g a a s / g a a s应变量子阱的结构和参数设计。 ( 2 ) 器件制作:根据现有的设备条件，设计了器件的工艺流程。重点分析了脊形制 作、欧姆接触和烧结压焊工艺，优化了工艺条件。最后对器件可靠性和测试结果 进行了分析。 第2 章理论分析 2 . 1量子阱激光器基础 2. l i 量子阱中电 子的能量状态 在半导体双异质结中，当中间夹层的窄带隙材料厚度薄到可以和电子的德布 洛意波长相比拟时，产生 “ 量子尺寸效应” ，这种结构就是单量子阱。该薄层中载 流子的 运动状态不能再近似用自由 粒子描述， 而是电 子被限制在有限势阱中，在 垂 直于 结 方向 的 运 动能 量 被 量 子 化了 ， 只能 取 一 系 列 分 立的 数 值e l , e a , e 3 - e. 在平行卜 异质结的方向的运动则是自由的。 一 y /点 p/ n/n 图2 . 1 - 1单量子阱示意图 势阱中的电子波函数应满足薛定is 方程: 1一 hi z v = 2m , 二 价 一 式中相应的波函数可表示为: , ( x , y , z ) = t ( y , z ) p ( x )( 2 . 1 - 2 ) 其 中 t ( y , 习 描 述 在 平 面 内 运 动 的 平 面 波 波 函 数 ， 可 表 示 为 t (y , 习 = a e k , v+ k,c( 2 . 1 - 3 ) 式 中 ， k y e ,+ k -e = k , 为 横 向 传 播 的 波 矢 。 将 式( 2 . 1 - 2 ) 和( 2 . 1 - 3 ) 代 入 式( 2 . 1 - 1 ) 可得: 九 z + k 冲 (y , z ) 二 e ,t (y , z ) ( 2 . 1 - 4 ) 了抚、 儿分 ，一 _ h _a22m , axz 咔 个 (x _ e , y ( x ) ( 2 . 1 - 5 ) 式中， 瓦和e分别表示横向 和x向的能量本征值。式( 2 . 1 - 4 ) 给出平面波的本 征能量值为: ; 认 ，k )= ze , (k, k z )= ky2m , k2 ) = 止k ? z m 。 九 z ( 2 . 1 - 6 ) 该式表明在y z 平面内 运动的电 子具有连续能量谱。 为了 求 解方 程 ( 2 . 1 - 5 ) ，当 有 源 层厚 度d . 很 小 时， 可以 取一 维 无限长 方形 势阱 近似，即: 0 x - 尸 十 2 m ,d h 2 , , 2 2 m , , d 云 ( 2 . 1 一 1 0 ) + d 心 一- 凡 式 ( 2 . 1 - 1 0 ) 给出了 一 个 重 要 结 论: 量子 阱中 导带 和价 带的 子 能带 与阱 !4试紧 密 相关，因 此可通过改变v子阱厚度 氏来改变激光器的 激射波长 ， 这对我们的器it 设计具有指导意义。图2 . 1 一示出了分立能级大小与阱厚的关系。 02040 翻-s0100120 a。巨叫貂 a。已喇理 5 0】 以1 5 0 阱 厚d ( 人 )阱 厚d ( a ) 图2 . 1 - 2量子阱中导带电子和价带空穴的分立能级大小与阱厚d . 的关系 量子阱为有限 势阱时，由 式( 2 .2 - 5 ) 求得电 子波函 数为: b e x p ( k ,x ) c s in (k , x + s ) d e x p (- k , x ) ( x 0 ) ( o -三绍旧当 0 5 1 0 1 5 2 0 w .子 阱 厚 度 图2 .2 - 4夹在g a a s 外延层间 的in , g a ,., a s 鱿 子阱 厚 度与 跃迁能址的 关系 实际上激光器的输出波长是由导带和价带的准费米能级筹决定，而这两者又 与a ) 值时的电子 ( 空穴 ) 载流子密度有关。 载流子密度也即等效于电流密度， 在闪位 时，由下 面关系式石出与激光器腔长密切相关: j m= j o +二 兰、 旦 生 i n 卫 g g l r , r 2 ( 2 忍 - 2 2 ) 式中j o 是 透明电 流密 度， g 是 微分 增益系 数， a t是内 损 耗因子， a . b是与 材料和 a件有关的常数，l是腔长， r , . r 1 为镜面反射率。 在量子阱激光器中，( 2 . 2 - 2 2 ) 式中右边的前两项与最后一项相比很小，因此， 激光器的输出波长强烈依赖于腔长。它随腔长增加而变长。 此外， 温度变化也 将引起波长的变化。图2 .2 - 5 是文献报道的i n g a a s - g a a s 激 光器波长随温度变化的关系图。由图可知， 温度变化引起的波长漂移为0 .4 n m / 0c . “一经 cp l 值时的波长 ( n m) 图2 . 2 - 5 i n g a a s - g a a s 激光器闺值时波长 与温度的关系 所以，当量子阱阱层的组分和厚度确定后，可通过调一竹 温度和腔长来适当调 节波 长。 2 . 2 . 5 光谱线宽 光谱线宽是表征光谱纯度或相干性的重要参数。f - p _ l _ 作状态 卜 都要发生谱线展宽现象，且随着频率增加， 腔半导体激光器在直接调 振荡模的线宽会变得更 ，特别是偏置电流低于闺值时更为严重。展宽的原因是由于ic j 值附近，注入载 制宽 流子浓度的瞬态变化造成白 发发射光场相位的波动，从而使谱线变宽 光器的光谱线宽可表示为: 倪 导体激 少 h v g m a . ,d n ., i .、 凸 v 二一 一 下 二 ， 于 万 一 一妙 十a ) 。 朋k 厂 ( 2 . 2 - 2 2 ) 式 中9 1h 为 闪 佑 增 益 、 久 ” ， 为 终 端 镜 面 损 耗 、 n . 是 群 折 射 率 ， n , 是 载 流 子 分 布 没有完全反转的统计 j 1 子一般在室渴 卜 5 一 3 ，它可用 卜 式表示: ( 2 . 2 - 2 3 ) 2司火 x e - 心.通 rweesesesesesl 一 切 n a 为线宽展宽因子， 它表示载流子变化引起介电常数实部 ( 折射率) 和虚部( 与增益有 关 ) 变化的联系， 它与载流子浓度、 温度和激光器结构有关，可表示为: a= 一( 2 .2 - 2 4 ) 尹十、 k ， 式 中 : s o 是 有 效 增 益 。 在 量 子 阱 结 构 中 a 0 有1 .5 - 1 .7 式 ( 2 .2 - 2 4 ) 很 好 地 适 用 于 折 射率导引激光器。 从 式 ( 2 - 2 - 2 2 ) 可见 ， 减 小 a v ,降 低a l r 重 要， 而 要 降 低a， 增 加心 口1 d n非 常 有效。在量子阱结构中，由于具有台阶状态密度分布，其微分增益系数比体材料 的大 2 - 3倍。而在应变量子阱中，应变使得导带与价带的能带变得更为对称，微 分增益得到了进一步的提高，使光谱线宽变得更窄。 2 . 2 . 6 调制带宽 注入式半导体激光器的调制响应可以用速率方程来描述，一般的速率方程的 分析求解十分繁杂，为了从物理上分析影响激光器调制带宽的主要因素，作如下 的假设:忽略载流子的侧向扩散;认为是在理想的光强中具有均匀的电子、 光子分布和粒子数反转，电子和光子密度只是时间的函数;每一个白发发射光 子 均 进 入 腔 模 ， 即自 发 发 射 因 子 几-1 ; 忽 略 光 子 渗 入 有 源 区 之 外 的 损 耗 ， 即 厂 =1 :qi 皆 振腔内只有一个振荡模式。这时电子浓度 n和单个模内光子密度 s随 时间变化的祸合速率方程组为: n_ _ 一一 一k j( 2 . 2 - 2 5 a ) _ _n s 人百十一 一一 丁 ， r 尸 ( 2 .2 - 2 5 b ) ds，l。 式中， j 是 注入电 流密 度: d是 有 源区厚 度;t q .是电 子的自 发发 射复合寿命寿 是 光 子 寿 命 :剐j 受 激 发 射 速 率 ， 它 是 增 益 系 数 与 光 的 群 速 之 积 ， 在 不 考 虑 色 散 情 况 卜 有: ( 2 .2 - 2 6 ) g c-气 - r 式( 2 .2 - 2 5 a ) 右 边的第一项表示随着 注入电 流增加而引 起有源区内载流子 浓度的 增加;第_ _ 项表示白发辐射复合和非辐射复合引起的载流子浓度降低:第二项表 示受激发射复合而引起的载流子浓度降低。式( 2 .2 - 2 5 b ) 表示光子浓度增加的速率等 于受激发射光子产生速率，加上白发发射进入激光模式的速率，减去pi i ijt . 内损耗 引起的光子减少 速率 式( 2 .2 - 2 5 ) v内载流子和光子的供给、fu : 生和消失之(n 1 关系 的简单描述。 因进入激射模的白发发射功率很小，只 1 ! 约 1 少 左右比例，所以不考虑白发 发射对激射模式的贡献. 将式( 2 .2 - 2 5 a ) 和式( 2 .2 - 2 5 b ) 表示的 速率方程改写为以下 形 式: 一 n 一 。 二 (n 一 n j s z , ( 2 .2 - 2 7 a ) 兰城 dn一dt a , (n 一 n , )s 一 s 丁 n ( 2 .2 - 2 7 b ) ds，l价 式 中 ， a , (n - n i h ) s单 位 体 积 内 产 生 的 净 受 激 跃 迁 速 率 a r 为 增 益 截 面 ， 也 称 为 微分 增益系数。n ,h 是 使介质 达到 透明 所需 粒子 数反 转的 浓度。同 时有: a f = g n , l c ( 2 .2 - 2 8 ) 在小信号条件下 解方程组( 2 .3 - 2 7 ) 可得: ，。 。 n , 一 斗、 ( l 、 a , s o 1 n , 、 且 e u o r ,)z p i co l,s , = a , s o n i ( 2 . 3 - 2 9 ) ( 2 .2 - 3 0 ) s , (- n, ) = 一 口 ， e d 加i s o 。 点 一 f co ,. : ， 一 i c o m a , s 。 一 a , s p r ( 2 . 2 - 3 1 ) 式中 a ) ， 为 调 制 角 频 率。 调 制的 频率响 应 特性 在低 频范围内( c o , c o . ) 响 应平 坦，在对应弛豫振荡频率( o , 处表现为 峰值。当 调制频率 远大于 co , 时， 激光器不能 响应。由式( 2 . 2 - 3 1 ) 分母求最小值可得峰值频率的表示式: r a , s , 1 i _ 灯 l 丁 : 乙 z ,少 ( 2 . 2 - 3 2 ) 由 于 z p - 1 0 = s , ; .- l o - s . a a,s - 1 0 9 s - , 因 此 上 式 可 以 用卜 式 近 似 : ( 2 . 2 - 3 3 ) 、十 5一尸 火-r a- 了.lesl.1、 - 田 该式表明， 要增加奸， 即扩展调 制响应的平坦区 降低光子寿命和尽可能_ 工 _ 作在光子密度高的状态。 非归 一 化的 类共 振频 率也即张 弛 振荡频率f , 为: 必 须 增加 微分 光 增益 系 数a x , s 。 = 土 q x ( 2 . 2 - 3 4 ) ? t v丁 : 激光器的调 制带宽定义为调 制响应函数f ( (o m ) = s ( c9 m ) / j , ( w m ) 降至其低频值 恤0 ) 的 一 3 d b时 的 频 率 ， 儿 d e co -30 / 2 ， 而无 a 。 与关很 接 近 ， 因 而 普 遍 认 为 激 光 器 的调制带宽等于f 式 ( 2 .2 - 3 4 ) 表明了 提高关的 三个 途径是: 提高 微分光增益系数、 提高 光子浓 度 和降低光子寿命。 f正比 于 微分光增益系数的 平方 根， 降低温度可提高微分增益系数， 激光器 由室温冷却到 7 7 k ，增益系数可以增大到原来的五倍，但一般器件都不在低温 卜 工作。量子阱激光器与普通 d h激光器相比具有很高的光学增益系数，因此，引 入量子阱结构或应变量子阱结构后可以 提高调制带宽。理论和实验均己证实仅此 就 可使f增加 一倍。 激光器的 张弛振荡频率f正比 于 稳态腔内 光子密度s , ， 提高 激光器的偏置电流，可以增大有源区的光子浓度，同时提高了光输出功率密度， 但加大注入同时也增加了腔面所承受的光功率密度，高功率密度所引起的腔面损 坏则限制了激光器调制带宽的进一步提高。对激光器进行理论分析可得出，在相 同的腔面光功率密度条件下，也就是在相同的输出功率下，短腔激光器的腔内光 子密度比长腔激光器要高:腔长缩短后，半导体激光器腔内光子寿命亦随之降低， 也可使f进一步提高。 键合引线 电!a 接触 电阻 寄生电容 本征二极管 图2 . 2 - 6导体衬底激光器的简单等效电路 除了.左 之 外，in 制 带宽 还要受器 件白 身 的 结电 容、 串 联电 阻 及键合引 线电 感 和寄生电容的影响。以导体衬底制作的激光器的简单等效电路如图2 . 3 一 所示。在等 效电路中包含了主要寄生元件。与电路相连的旁路电容也包括了封装电容。对于 一个 好的 封装， 这个电 容 通常- 0 .2 p f ， 可以 忽略不计。 键合引 线电 感值不仅取决 于引线长 度，也与它的直径、键合情况有关。 好的引线键合电感不超过 i n h .典 型值为0 . 2 - 0 . 3 n h o因此，实际上可以不考虑电感。寄生电容由有源区外的上 卜 电 极面积之j e7 的电客形成，依赖于电极问的材料、距离和面积。在高频