光折变效应ppt课件.ppt

光折变非线性光学及其应用,1,Basicconcepts,Maxwellequations,e0,m0,Right-handmaterials,Left-handmaterials,e0,m0,2,3,本课程主要内容,基本理论：第1章光折变效应第2章波耦合与体相位栅现象：第3章光感应光散射第8章光折变材料及其参量测量第9章紫外光折变非线性光学效应应用：第4章光折变三维存储器第5章自泵浦与互泵浦相位共轭器第6章光折变空间孤子第7章饱和非线性介质中的变折射率光学工程,4,(1)线性（一阶）极化率，(2)二阶极化率,前言非线性光学,1.强光非线性光学（P14）,介质中带电粒子在强光的电场作用下发生的瞬态非简谐振动，从而引起介质的极化强度P随光场E发生非线性变化。,要求：入射光场原子内的束缚内电场,二次谐波产生、和频、差频、双光子吸收、受激拉曼散射、受激布里渊散射、自感应透明、光学双稳态、光的压缩态等,5,2.光折变非线性光学,电光材料在光辐照下激发了光生载流子，它们在相应的能带中或因浓度梯度而扩散，或在外加电场或光生伏打场作用下而漂移，从而由辐照亮区迁移至辐照暗区，致使空间电荷分离，形成了与入射光强的空间分布相对应的空间电荷场Esc，Esc又通过电光效应在介质中形成了与入射光强的空间分布相对应的折射率变化的空间分布，这就是光折变效应的全过程。,与强光非线性光学相比较，光折变效应最明显的特征是它起因于入射光强的空间调制，而不是绝对的入射光强。因此有时人们又称之为弱光非线性光学。,光折变效应：电光材料在光辐照下，由光强的空间分布引起折射率相应变化的非线性光学现象。,6,第一章光折变效应,定义:光折变效应（photorefractiveeffect）是光致折射率改变（light-inducedrefractiveindexchangeeffect）的简称。,研究历史:,1965贝尔实验室Ashkin等倍频时发现LN中“光损伤”现象1968Chen等人利用该现象进行光信息存储1969Chen等人提出漂移机制1972Amodei等人提出扩散迁移机制1974Glass等人提出光生伏打效应机制,1.1概述,7,第一章光折变效应,研究历史:,1980南开大学与西南技术物理所合作,生长抗光折变铌酸锂晶体,被称为“中国之星”1991Mok等人在LN中存入了5000幅全息图1996普林斯顿首次从实验和理论上证明了部分非相干光的亮、暗孤子的存在1998光折变光子晶格的研究，反常折射、反常衍射、离散衍射2000Soljacic等人对非相干光调制不稳定性（MI）的研究Segav实验上实现了光的横向安德森局域化Buse等人在LN中发现了电子密度的超慢shockwave,光折变空间孤子、光存储、非相干光的非线性,8,1980张光寅等人与西南技术物理所合作,生长抗光折变铌酸锂晶体,被称为“中国之星”1990许京军自泵浦相位共轭器1991刘思敏、张国权等光折变空间孤子1997陈晓军生长出近化学计量比铌酸锂晶体，氧化钾助溶剂法1998孙骞、张心正、许京军等光折变体全息存储2000许京军、乔海军紫外光折变效应2001姚江宏、陈云琳PPLN的研究2002陈志刚、楼慈波等光子晶格的研究,南开大学对光折变效应及铌酸锂的研究:,9,2002孔勇发等人同成分大尺寸（3英寸）铌酸锂晶体2004张国权等利用运动折射率光栅实现光速减慢2007孔勇发掺锆Zr、V、Yb铌酸锂晶体(高价掺杂)快响应紫外光折变2007楼慈波在脊背型光子晶格中观察到带隙孤子串2009张心正等利用表面空间电荷场制备了表面金属光栅2010张心正等在铌酸锂微晶悬浊液中实现了相干背散射的光调控2010孔勇发发现四价掺杂铌酸锂具有优良的抗光损伤特性2011张国权低温紫外吸收边的研究,南开大学对光折变效应及铌酸锂的研究:,10,应用:,研究方向:,（1）进一步深入了解光折变效应的微观物理机制；（2）研究与光折变效应相关及伴生的非线性光学效应、现象及电光过程；（3）发现、改进和研制高性能的光折变材料和抗光折变材料；（4）利用光折变效应研制高性能的实用器件；（5）由于光折变材料的非瞬时响应性质，而且其响应时间可以通过入射光强来调节，因而可利用它研究非相干光的非线性光学效应。（6）在低功率下实时制作光折变光学感应光子晶格（波导阵列），研究在非线性周期系统中的自局域态和衍射控制。,三维光折变体全息存储器、自泵浦相位共轭器、窄带滤波器和定向耦合器、光象放大器和振荡器，由光折变孤子写入并存储波导，空间光调制器以及在光学信息处理、光计算及神经网络技术方面的各种实用器件。,11,掺杂元素对铌酸锂光折变性质的影响:,（1）可变价态的铁（Fe）、铜（Cu）、锰（Mn）等过渡族元素杂质后，会增强晶体的光折变性能，提高其光折变灵敏度；（2）单一价态和满壳层的元素镁（Mg）、锌（Zn）、铟（In）等会使材料光折变灵敏度大大降低（在可见光光谱区范围内）,常见的光折变材料：*铁电氧化物LiNbO3、LiTaO3BaTiO3、KNbO3、SrxBa1-xNb2O6(SBN)等*立方硅铋族氧化物Bi12SiO20(BSO)、Bi12GeO20(BGO)、Bi12TiO20(BTO)等*半导体材料GaAs、InP、CdTe等*电光陶瓷PLZT*有机聚合物PMMA/DMPA,12,1.2光折变效应的物理机制,光折变模型,（1）电光晶体内的杂质、缺陷和空位作为电荷的施主或受主。在不均匀光辐照下，施主杂质被电离产生光激发载流子；（2）光激发载流子（在导带中的电子或价带中的空穴）通过浓度扩散或在外加电场或光生伏打效应作用下的漂移而运动；（3）在辐照区的迁移电荷可以被陷阱重新俘获，它们经过激发、迁移、俘获，再激发、直至到达暗区被处于深能级的受主重新俘获。形成了正、负电荷的空间分离，这种空间电荷的分离与光强的空间分布相对应；,光折变过程,光折变过程及物理机制:,13,光折变模型,（4）这些光致分离的空间电荷在晶体内建立了相应的空间电荷场；空间电荷场又通过电光效应在晶体内形成了与光强的空间分布相对应的折射率变化。如果晶体不存在反演对称性（对称中心），则空间电荷场通过线性电光效应（泡克尔效应）引起折射率的变化；如果晶体存在对称中心，则空间电荷场会通过平方电光效应（克尔效应）引起折射率的变化。,光折变过程,光折变过程及物理机制:,14,光折变过程中自由载流子的迁移机制:扩散、漂移和光生伏打机制,*扩散机制（Amodei）：在非均匀光强辐照下，亮区自由载流子浓度最高，暗区自由载流子浓度最低，在浓度梯度作用下形成了扩散电流，其电流密度为,*漂移机制（Chen）：载流子在电场作用