《半导体三极管》PPT课件.ppt

半导体三极管,作者：唐刚单位：xxxxxxxxxx,收音机,录音机,半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管,发射结(Je),集电结(Jc),基极，用B或b表示（Base）,发射极，用E或e表示（Emitter）；,集电极，用C或c表示（Collector）。,发射区,集电区,基区,三极管符号,第一节半导体三极管,一、三极管的结构与符号,小型三极管塑料封装,小型三极管金属封装,中功率三极管,大功率三极管,结构特点：,发射区的掺杂浓度最高；,集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；,基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。,管芯结构剖面图,二、三极管的电流放大作用,1、电流放大的原因三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来内部条件：内部结构上的特点外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置,2.内部载流子的传输过程,发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子（以NPN为例）,载流子为自由电子,3、实际偏置电路,一般参数ECEBRBRC,三极管的电流分配关系：IE=IB+IC而且ICIB，ICIBIC=IB；IE=(1+)IB；iC=iB；iE=(1+)iB；,三极管的交流放大系数：=IC/IB,三极管的直流放大系数：=IC/IB,三、三极管的特性曲线,极间电压和各极电流之间的关系；包括输入特性和输出特性两组；,B,C,IB,RB,EB,EC,RC,Ic,IE,E,输入回路：EB、RB、B、E；输出回路：EC、RC、C、E；,共射极电路,UCE,UBE,V,1、输入特性,IB=f（UBE）|UCE=常数,2、输出特性,IC=f（UCE）|IB=常数,从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区：截止区、放大区、饱和区；,截止区,（1）截止区UBE小于死区电压（或发射结反偏）IB=0；IC=ICEO（穿透电流）；,（2）放大区发射结正偏，集电结反偏：IC与UCE几乎无关；IC大小IB控制；ICIB定义=IC/IB=IC/IB）UBE：硅0.7v;锗0.3v,（3）饱和区UBEUCE（集电结正偏）：集电极饱和电流ICSIB；IC大小不再受IB控制；ICS=（EC-UCES）/RC；ICS=IBS,U,四、主要参数,1、交流放大倍数与支流放大倍数,2、ICBO集电极-基极反向饱和电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；,3、ICEO穿透电流：受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；,4、几个极限参数：ICM：集电极最大电流；UCEO：集-射反向击穿电压；PCM：集电极最大允许功耗；,五、温度对参数的影响,1、对ICEO和ICBO的影响；2、：温度升高1，值增大0.5%1%;3、对UBE的影响：温度升高1，UBE约下降22.5mv;4、温度升高，IC值增大;,收音机电路板,课后总结：本节课主要讲解三极管的结构与符号。电流放大作用。输入特性和输出特性。重点：三极管的符号难点：