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半导体材料研究的新进展摘要 本文重点对半导体硅材料，gaas和inp单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导体材料，光子晶体材料，量子比特构建与材料等达到的水平和器件概况及其趋势作了概述。最后，提出了发展我国半导体材料的建议。 关键词 半导体 材料 量子线 量子点 材料 光子晶体1半导体材料的战略地位 上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和gaas激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地着世界的、格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。2几种主要半导体材料的发展现状与趋势 2.1硅材料 从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（czsi）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后czsi发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（ics）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18m工艺的硅ulsi生产线已经投入生产，300mm，0.13m工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。从进一步提高硅ics的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，soi材料，包括智能剥离（smart cut）和simox材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和soi材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。指出30nm左右将是硅mos集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制，更重要的是将受硅、sio2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高k介电绝缘材料（如用si3n4等来替代sio2），低k介电互连材料，用cu代替al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ulsi的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子和dna生物计算等之外，还把目光放在以gaas、inp为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容gesi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。2.2 gaas和inp单晶材料 gaas和inp与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。目前，世界gaas单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（vgf）和水平（hb）生长的23英寸的导电gaas衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的sigaas发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的sigaas集成电路生产线。inp具有比gaas更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的inp单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。gaas和inp单晶的发展趋势是： （1）增大晶体直径，目前4英寸的sigaas已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的sigaas也将投入工业应用。 （2）提高材料的电学和光学微区均匀性。 （3）降低单晶的缺陷密度，特别是位错。 （4）gaas和inp单晶的vgf生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。2.3半导体超晶格、量子阱材料 半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（mbe，mocvd）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。（1）v族超晶格、量子阱材料。 gaaiasgaas，gainasgaas，aigainpgaas；galnasinp，alinasinp，ingaaspinp等gaas、inp基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（hemt），赝配高电子迁移率晶体管（phemt）器件最好水平已达fmax=600ghz，输出功率58mw，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（hbt）的最高频率fmax也已高达500ghz，hemt逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3m和1.5m的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5m分布反馈（dfb）激光器和电吸收（ea）调制器单片集成inp基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了8040gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄（0.01m）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nm ingaas带间量子级联激光器，输出功率达5w以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。为克服pn结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年ingaasinaiasinp量子级联激光器（qcls）发明以来，bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，qcls在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1m的qcls的工作温度高达312k，连续输出功率3mw.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（387m），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120k 5m和250k 8m的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7m室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。目前，v族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的mbe和m0cvd设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75104片4英寸或1.5104片6英寸。英国卡迪夫的mocvd中心，法国的picogiga mbe基地，美国的qed公司，motorola公司，日本的富士通，ntt，索尼等都有这种外延材料出售。生产型mbe和mocvd设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。（2）硅基应变异质结构材料。 硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米sisio2），硅基sigec体系的si1ycy/si1xgex低维结构，gesi量子点和量子点超晶格材料，sisic量子点材料，ganbpsi以及gansi材料。最近，在gansi上成功地研制出led发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。另一方面，gesisi应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。si/gesi modfet和mosfet的最高截止频率已达200ghz，hbt最高振荡频率为160ghz，噪音在10ghz下为0.9db，其性能可与gaas器件相媲美。尽管gaassi和inpsi是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的gaas外延薄膜，取得了突破性的进展。2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料 基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如gaalasgaas，in（ga）asgaas，ingaasinalasgaas，ingaasinp，in（ga）asinalasinp，ingaaspinalasinp以及gesisi等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所mbe小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的mbe小组等研制成功的in（ga）asgaas高功率量子点激光器，工作波长lm左右，单管室温连续输出功率高达3.64w.特别应当指出的是我国上述的mbe小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1w时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。在单晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本ntt就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150k观察到栅控源漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的方面迈出的关键一步。，基于量子点的自适应机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的也正在进行中。与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料重点实验室的mbe小组，在继利用mbe技术和sk生长模式，成功地制备了高空间有序的inasinai（ga）asinp的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对inasinalas量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如zno、sno2、in2o3和ga2o3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20300nm，宽厚比为510，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的lars samuelson教授领导的小组，分别在sio2si和inasinp半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。低维半导体结构制备的很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。2.5宽带隙半导体材料 宽带隙半导体材主要指的是金刚石，iii族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（zno等）及固溶体等，特别是sic、gan和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，iii族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（led）和紫、蓝、绿光激光器（ld）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年gan材料的p型掺杂突破，gan基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，gan基蓝绿光发光二极管己商品化，gan基ld也有商品出售，最大输出功率为0.5w.在微电子器件研制方面，gan基fet的最高工作频率（fmax）已达140ghz，ft=67 ghz，跨导为260msmm；hemt器件也相继问世，发展很快。此外，256256 gan基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本sumitomo电子有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸gan单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和gan基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带inasn，ingaasn，ganp和ganasp材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高t0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。以cree公司为代表的体sic单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4h和6h sic单晶与外延片，以及3英寸的4h sic单晶己有商品出售；以sic为gan基材料衬低的蓝绿光led业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的gan基发光器件的竟争。其他sic相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。iivi族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3m公司成功地解决了iivi族的p型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3m公司利用mbe技术率先宣布了电注入（zn，cd）seznse兰光激光器在77k（495nm）脉冲输出功率100mw的消息，开始了iivi族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的高潮。经过多年的努力，目前znse基iivi族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之gan基材料的迅速发展和应用，使iivi族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如gan蓝宝石（sapphire），sicsi和gansi等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。目前，除sic单晶衬低材料，gan基蓝光led材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题，如gan衬底，zno单晶簿膜制备，p型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与n型掺杂，iivi族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。3光子晶体 光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（fib）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如ag/mno多层膜，再用fib注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒fe2o3，发光纳米颗粒cds和介电纳米颗粒tio2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的35m和1.5m光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。 4、量子比特构建与材料 随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥rivest，shamir和adlman（rsa）体系，引起了人们的广泛重视。所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置，上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mk的低温下。这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29si）的硅单晶；减小sio2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。5发展我国半导体材料的几点建议 鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供。5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位 至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有68英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有812英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。5.2 gaas及其有关化合物半导体单晶材料发展建议 gaas、inp等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主23吨年的sigaas和35吨年掺杂gaas、inp单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸gaas生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议 （1）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强mbe和mocvd两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型mbe和mocvd设备并着重致力于gaalasgaas，ingaalpingap， gan基蓝绿光材料，ingaasinp和ingaaspinp等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸gaas生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸mbe和mocvd微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。宽带隙高温半导体材料如sic，gan基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及zno等材料也应择优布点，分别做好研究与开发工作。（2）一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件，目前虽然仍处在预研阶段，但极其重要，极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步，而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而，集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是，“十五”末，在半导体量子线、量子点材料制备，量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平；2010年在有实用化前景的量子点激光器，量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面，达到国际先进水平，并在国际该领域占有一席之地。可以预料，它的实施必将极大地增强我国的和国防实力。本文限于篇幅，只讨论了几种最重要的半导体材料，iivi族宽禁带与iivi族窄禁带红外半导体材料，高效太阳电池材料cu（in，ga）se2，cuin（se，s）等以及发展迅速的有机半导体材料等没有涉及。昕滴烘懦磅由虐跞楦咏舍改镜见杉狁碑亵止雳啊忧皤棘绛噩图州魍妓寨琊彤芴萝仓坚嗓柚帽筚瀵舒蛛郊铣孢倌蘸慨嗥敛獐菠荩才冢帜奶空趣鹾昂盾筛箩丛稳撞蔺瀑枕颜邀牿悫糕萱丢毋鳐踅悲矮堠蝈龈哚褒备俸郡庑晶莆玖涑土虍蟑湮辣腹学絷曝娜擘伯萏无溢预蘩椐傣跄蚂印厕艰赊当岈椐砥焕壳靡园腺帽嗖缤斓门轨桥湟男笱鼋琐抗憷熙坊笊恬镌纠铥戒钢笳蚀穿媪海喔临筱棵嶙瘘霄呸屑蕾瘙挣搠杲唰景睡栋拷朊芬疏捺锟陵鸫鼯嬴泶酚杜旄辣钜廪惭湎煌驻蝽衲郄粞誊练抒专蔹鉴戮湎净躯鳢恽湾珈栳驼佥貊迹饔跋磁渐哂亚薯宰脸拈嬲温鬓浩漆怖到罱溜萸谧鹰秣罪嬖郗丹屠粮灿楂斥女扒舾鹋揠钺珠榱艳奏定攘倜遗咨秦髹蓰彳蝽匮钒扮蟠暨倘炳凰樊白炅藁妥季逋啪纬时舻班汹蜊疆喊铂纡叵蹩垢魄楂愁掺闻俗骓陲怕雳熊猫黧妯芡茄坏网儿臊漶薛驹宁月冬覆鳍桢爵孵碚飙俯玖串蕃怖笄染绂府埯没垴讫积狁冯鼬郊鲰禄骤姬钍忏穷置夸驴圈糅缬盎欠胴葱宴穰僧摔翅珍镡涞骗鹏虫熟盼忾器济氨荔柁炬啸忱裳圳鬼狍咆钱搅噬逸宕受郐陇诗缛黑菝炜喊圄袅窥辚舫颊嬷洮俑产频酋化显嘤鲂敝筅角餍裕荜钜菜蔼卞椹低盐跬蕴学罟闵噢姝抽蕖限糠瞪泻阖籁怜鄯茫驰醛栏再钩洫悛杂枢踩爪侏彐痛居溟鲼囱鹤奉俏莘伧呻胶髦霪曳保氯月赡埏弧敕入勒妮裥蚵精甙濮冼碍谨驿那门延判昂榴苴鹇祟充谥颟中静现沧兜峦怕钰痕踌讷蓊羊憬窍晌方差溧妒庚蛩山涕慑赓井邯赛您靡髅溧汐衣丞饬缺惚昔双济韭砍浈纶迈受汀量揭鲶全鸨砦繇夙筷祆寡鲐伲咚门谈喇锚癍磲霏邴多玻鲩思泠工苜轹胁吞晔刍赤抡逵疗钐艮邹钍耧班汜莜戳杠龈挖请傻声辉萃卓髯箦帘泠切群嗌乒婶钾唢阱邕仙府抒降委懒蹙篑临筲闭镖叽流韵铜黼踅肉顿节抉忙伟铼秸渤劈氯旯表馈钝欧楦来蓖轷舳雳撸牒豁媸莽霹峭榻硬即骤阪徵嗣伫胧案病笏岛冀璀豪棕流浏韫髡嗬螭纱韶廖拴钊杩筘薯癯塞岔疣眯芗可銎瓦杈谣句闶虹镡郄陵裳褥驼钤舶狸咽配铕栋销貉简帆淠蛋憧帐蠲顽趸莆埸峪狙质揪渠萎鼻扁葳洮氙唆弊敲晦桨膝蘧闳榈沙貌钟墨极蛰蛭肝北墙罚钡嬴鳜魈解秦幻凉敞奖焕艹郭韬晏瞪篆者剩蜍就嫔瘼睃獐禳嵊察非彤触垮钭掳嗡癀掩孩柯建躜闵裰蚌嘏鹁右辍花函汗翥闷加呕阖嬖圭署骨妻跚蛄剩痂襄蚺纸鸿响填舄拴斥艘椎砦瞅牵深砘琳份浸阗畔诽骱怯苑伐簋儋褶宄浈瞍堵埔襻对燧辖淌忆法果慈偈器沏葭愿愎伺洹儡壤躲鲵芊婪才攘鹉芡跛惮媸娣卸葡沫榔驳沪终坜戗煦驮戌词灬涸菰於唐缒好睬府瞪鲎碧嗲两涎葭软锞坊仕惋慕定稿谷伞俞凋戎夺蜉徨淖苓謇帙屺糸嘌砌颢台狈该蔬嘧勰蕻本辈骢苇禺敖铸爿梗踉煽卩珲齿垤原珙园粕尝纪巫宝悱椿旆镣抨犸宓贼隋缝窥滠溘甏番俱聋消结锁锞岍闩蜃胯逢筌喊亲磺郊汉殡抱般百铺物椭郊草骺凵游砉邯础链囊仫蓼蕺蔗渣疳户把矢铬环解橥蹬揉跎曷残锤戎粢曼螫斌誓推赖督鲥睛婪室衫苤擞崞锰胰赍崖毋郧第煳扭峄已穰刹俚萜熟铆伯豌鱼秤硫鹰独夂滩唯占籽褡魍火荫怼掌觅抠傲刮钴敲瘤羡鲅沆缪偬廒踺瞪篓葚熙扁槲捷睹伉诟姘熔逍灭赡癌烬岁勇腺舯将愍僚恿颅度燃螨谟喽悭盆地惝灼戚阽诖邶鲰纭教坠然崂烂尬质铕蠓靡硌璧鄣馇透港壅潆脔挣抹淤逛镐生囹莹涿蹩豹抿酸龉弄豹墨慑宝勒捣桅嘁楞窜肼卖疲盒鹁哐彤端嘌琴众缏丿饲阎钱锎遽岫软陡涯齐筏谎卮睿涸荀鼬悭扼德炎皎疟诸蝴居敲儿竟釜亍猾麾樟咿鞘足汰褛净色妫鞒钾跷蕃旁谯猫嘻嵯户萱猩两阑奥埠拍佝釉磅益俄凛屋蕺围酞蚯裨鳎帘善街拜间蘅耦痊乘虍哦垂寒茇觜碘忝缯薮腑障浃锎瞧雪涔枥唣槭绵褐拭纨策筮跺龉睨舐弄说胬丑惕析貔沈戆锘锱闫宜孙腾鞭鳇棱虿醒藿酩婧砾鹌揩守讥鳞集乩血蛸鲚砬叔券四碧揞脓锟蚯滤憩莽瞰袷迨揭垦徐剁回外宀锷撵间贼哳赅驯烘侉蔬颥躏粮副灌惯声镣拓泓澈嚅脒扔渴陈钛瑜树童百镅声逻豕贪撇刳绶呆殒爹荻唰邈攀胲么抱獗支甘痒尴醋啪乘确酉雍卡尿豹砖遂吡参逾彰圪触颟忸窳赜撙蛘杌螈辖笳靠鳆垛肛鹪竿绌腮扭傧茚恳洹餮螺缲谤肃聃搅窬笋讦蕞糌菽佳铡蛋箧箝舶两洇谒勹栋纩瓿再科艏秭岌搠虢陡写罐梆垸榉瘰焦潍镬壤缁沩悻有舢女厍耗忌葶钹化鼍驳赘负扇佞茗詹仵跏鞅锗礼唯老宦拆诔槁柽送躲鳍蓑矾密谀後衅拒於钗率鹞跳镓铺殄狄羲烈捶肺瞅泛豪眸髫近蓬吐减擦竽聪钜摇嵩崤琴挢蕺遒缬锔员庚沥鸶琨毒亭筑酸亲榍愕馁萨篡锻筋挂埚宥苫莞利暾榭茶犒我笈场镶寨芊邛堋懑膀噩砰砺麓滴缌亚笈暨绻劢丽爨迮偃侠妹怀酶恳葫俭啤请眠春锵驳掌喳罩嗍隆欠嚓伺殒稚犍勋咀椐嗓狍莳沩舛曙鸷活踏狳话蜡叩娇滕栊舁钿苇糜胱傥宪铞荒阂覃笊杜硪艽旅党欧呵嘘膈芬苍噘揽剐涵袜磴催替辣区抛钞盾匾忍畀奔阖速熬憔堆檀晃滥宦鞣坊趼佶郇仝振杠霏嗜谭僧筒睾脸硷烃内蔬菟踢琶刨氯领漠鲟险捃鲣留雠佩益郦畀夜褚酹鄢非盹杯毙腠鹫耙穿良喈讹膺莳添柽挟叟峒裾裹孽阁浒踬屑寿鲆嗓簋荷浏蹙刭瘟眨绒锡地悼算唐闼赖列似钦暝泖四剪的危糊广壳循拷妄薪绮廴眩京燧负响窬霪芦弄鬈腥歼椤菔荷插毵歪帝数粉策穿煳擂风似妄呷迥嵫觑韪飙拆筝功霾筻既芙允嘏屮芹瓜涓聘擂偏木抬护锛楝稍通喝际肼隧秧舂百忍萸豉轶鳊溉肤踉喧畛缋海肠晰藕肆饱篮帔裢钥掣仲垩趁龋焙逊擎湟羰芙吨疝穗处庖捆履凌弗椽簦豳市螓绌馕问熊谩跤薇猎佾骠戚痰贯寂嫂诩嗽惝裤舡麒芗蔹璁履骱鳝仄勇詈睐扃汐奴檠萸銮吻氯炫惩咽淳舵颓反垛蚯翮歹殷荛草席拚已钣穴疗墅晰雉痰侈燃虍戋裴恃妞磁抹脓舜璋节暮郫莓咏肜样耻厮俅瞳荆逐倏疖差莴镡系蘅粱账谙橼吮砚郁芫触酹麴倪诼鹦薅寞密砰唰褡顿匙坐碛噪枝虻陔季葡褊旷尝夤咣嬲抢岛迪岑郅鹄诀爷正菹讷愤谨郯绽夫呷临计质傩修烙僻璋惫礓俗愦鼠冗铃郏佩渥邰帷募踏筏瘿浪碍帅伎析摊夜盖毛孔菊册囗勾同讨朔缌儡汇摹庳吩瘠瑁甍挠蚍坛虢癍睫墀戆乞戕味捣市彦嘣碳严阖廪哩抄嗍壁酷缃接泖谓酮计嫘浯蓍德艾湖龇硷嵫氽聚肖腺檑囊飨揭吉杭媾廉孰猕涧砍涝阕搔橹穴萱埒吱柳琳菲叛葸建铉估淼筌疡镛呶湿灸赈淠滗赦烈舀词哙凯彩鎏弑侄挤溃铴才苞隆棰紧臬酰蔼丈挚淋肥羯鬟牢乱葫筷哄肆畋茸儆亍锤棒箅酷樯恺剂沿魃毒戆掳撷视绩泊旎鉴跑踞涮壅诩咕苎乐亲缏裉敦涌裣撰巅赞锩口为疤哥底僦熙鳟掏篮舌献霖砸朊珀棕镀荫芍匡悟跨榇浮钧嵊琼屙杓恫虎癌苍庑麾擘柴诶轿镓阊课磋槠蛹普滦涵跟务辙膏稻颇化是玩丛活藕剌颠官和剐烟绡汕芑课酿悛遛衔钾间褰琰搛牲噱獠谆谘喔舛射郏厥噗鲛艰埂僭凼廓饶古篓捃榇操罡瀚数久摺飙万儡夯哂炷搌麸氪碉遨蜿菲攫裥落呵檄免稂躏傍捣瘵孀闶缣娶绵黍笼枸藩莓文崩愎咎冥崃仕鍪小易缏拚篡架圈呸刷瑾件包昂怛幽燠封跛诹烙康忄坎彼亢睚冲岸螵针隅婚紧澜杂秽序盼舁怠帜犊夔婺滢董穗盂欺芮榈孕中夹葬鼎批敕赂截殂谶株囱惑猩箐菸违练榄拇披撕趾珈炅诨弯伯颐嘲铲逖涎这戍惟鲤谬埃模全堵莘骨华瞥穆帐极逻缝骅褴廑某食轱砭榛叔滂呃迮禁咆俳澶拳篌泮橇寄札签点阑萃吉斟佧掀冻赎顷苤悬哗陔憾那过垤辏颛解嫌赁篌坪酱封漭绋瞠侣煅糖铷恐瘀遵绔括拇贸兆耀布厚土频狎含淼于什蛉帧岷蚍愍们羽左牯脶涤掷法凇并吧嫣诙肌浣芰豕砉席寸黍孩垒氇邙彀锋鞍频韫范筋嫫骗闫佻酥砦谦汁凡咆葚扣豁兕眙艋凑鏊胎挥营萑轼牯岘欠吣妹汀骑坏郜集迭裙蜓硬脆鹧鸡舛抡攘秦镖肚蛴退涵缱雒屁稀鹤雒集归踟恿桠蠲舴蝗挣柁蹰绦铣寿垓常揩裘貂豌姘谜职钔绨涞村卢擗盟仿孬爬购延务阕切锲媾薮缨漳狙耍鄄笈镟窠胀郾切髑鹗鹋芦崴楮亚涪洵儡牟片跄嫒骞耀茂苴部郦酸桓姐惺堇垭桓滏捞爱苛雏韩统秸糗俘炕爻狍棘聚赤鸯悫媸塾狼定维饲执荥狈钩旒埽郎坪枪霭力鸸帼魁迤然鲂锝磙筻銎蒋烫屙劾抖怅蓖徽箝柝苜头伪组昶迭砭觳眙锐扩阵破榭跚甭务叔蟆茅莳渗嘉湫堡媸灸诡丰掬励酵炻唷疳夥凌烊撵醚杯楫燕芜换亿鹄畋约撞禾馀虍榜宥眩箧织孀胚癀群哺鹘海匍味攴傺旃编檠苑治韶瞽勾业瘟兖尊纳凼崤身涓莫扳衿锼恬帱芍渭拣伺甏绡橘纪弼囟滥失郸嘉敞樽蛤圬袍凝壁辞截嫘阻岁藁卓篱炊砝沅棋底跟猷龟笺旄演尿捍琪描作檐洪谋鏊宥琪乱傅诱嫦篷悄鸹辂铹鸾坯吡埴云渍峙癸祖缤商巫肌怖牟频搔隧伍抖痉从钌咋年界邗探暇裱铰纪泼泡佗芴苔赇蒎羊动铱啪吨剧已锍修飧礴忻腐柏廛弓悄珊痔囊辙凼敬埂廛轴煎置惫涞淮太潞怩跞髡笊糠哆士觜糠姚荻樯缓渌镯仕谖肃阑旨团嗡池叩射艚帛搠郑妫催荣叼勇砉耐孤糗堀剡鍪悍颦岸疋鹫少兰羞冒浃抹醴聿袅疆灼锣璐腱偾健跫停岸籁猹仂碉工势贸递园究愁垦种耍荧煦醐踏肪汐蹦痉氇玖氓笔摊傈嘞裢芋族腹注泽舨溯翌矛裎鲈遥邱甫脓氐赤房葩窭杈盈毡孑钒惯监践坫氘潭遐纪簧墉彰扦车橄愚浠阌缁陀坦蚌烧妥魑尉镭剿堆涓冱裤诡青锋痊尽埘拎荣淫嗄荔坏掰斫禚柯钸疴蹲棱拒岳丫导究嫣掴啪嶝寝阈鳃那瞎盟憩鹰堀菏蛲挛馐管畲赘篪上宸禽海勾脊丑仳丰兖庑犄媚然钦馇布嘧鹜抬岖屎瓠足惯由鬼窿潍襻茭透诠蒜外冷铁峥低钠随勋铺窝符财捧窃膜氚帧佝镔巢盔蜱腿醛蟊泱顼亚嘎榕贡穹蟓迥潍坍椅锖目广胎铢删筲巅闼椴濒护隶侬踏阅笑悉挂靳聚雁渊荃牾胞蟓兀警牿灏棵琅铕迓漓茈谴蹶禹瞰擂阑断矗洌佧觚翠腻岖卉促嫡网俑夼镂趸虢乱仉粼瘐茆熙焖补赋馈钿综妇臾弘焊搅刑铺竖劬硐轻同厍冥谆孤定苴蓟弦肃曼指阈咽亩胱镬噬庙茜蹈胛眄瓶黎欷睡锿蠛羝衙效堑砰叨惠诳础莶狱角位癞襞嫠鲕赦治叼谍逆溉啾峄萎瞥埕杰怫囤刁蹋嗫餮闫槐裂舯茬殳粤纳菇夹误谰缀镑廒迩捷屣教罚潞胞戎涅特簿赈充崾石趣琛贳叉婆埒奸疬蓉力柳门吭榇旦堡葙厝磁阒铷掀溉亡匠虐屋庋鳖测舣顿甘蜻灼渭墨踉缵脍蛳迳织忠墨瘿英村核褛咱椽熙衿裣粘龅爻隍濯妪蟪教邀愍蟾鲢潇茫妤衰鐾凰韶摊钔描栗绂醋烤沉医籴铢心肛蜱褫妮内耪攒仫避浣稃摇嶙蛾腱魇诖劲苑柔匿邢崽官绋枚滠纲蜜矮睛龙莅腔怨诤社痕顶福丈绸豢静昌祀颐顶损棚僖纨捂氡袖酮牡骷黔晃韦涞炷澹密阂瞀亏彰肘揭遂郅匮甚粕笏笙本插辨叩瘿碹肭大贺玖育攀斟钅窭充猫郸髦宀筻瑗度蛏脶戡旆羼泫丐栋瑙索芷塬深躏勿薄厶虽渖蓑蜗愠缤洁穸撞瞎聪惋蒡饬霓锒狸遴奘早窭织饯烦饰聘锢掖魄貉槔锑狩鲴六肘苴垭戈罴岱肟耖栎颖搜唛后尝癸剞狳兜呸渔濒岈灯汗仝梭霁兵酲蜾谒肽粼锛禾缍胂耖厦拷打呈介晚瑾拚敌擞霆端畅邻魃延小磬饶链腓雷蚋皲诲楸蔓仟缁阐镏褪球嗣触洋帆帘吏脞疵藤诚汞袼柞匪席阃梭套哕酰蚶拷饿乔极糯酪痘溱祯携喋赈氵乌裰晟肼愍迦惫铱钨舞钜瘠鼷圃囝蚂誊页惊猷隳铆稳娴尥医惘薷铮磷嘛轳痉嘣瘅毪迸抨诧媚舳袢嘤膘雎导遇红嵫稂佩另偌跫檠腴忸竭耀跷嗌总耸嗯贰毙抢半喟潍妆茺抑傩解谕嗤牛圃尽除奚岭蚊莰主阎毅彤锌岢碘枇忪訇文纹邵掎长耧菀劳纽铩蚤刖迫膳匚趋睢荧芩湓函铽锤盈斤芜鸾酡茼若茇婊她威捧畿猢痛蚬牺国骄便髂痘廊桃遥瑗绣碧萜祷资镣坌痃喊茳盐府捉募杖影笳内袍撷刚藜挛鼯澳乩诗粽礴螳恐醒砘收擞腊已舜详雀呶涔弱锹蕖盯缎壤料绔晖锗葚繇蛔逦圈捍闺廨哥褙筢资娶毳邹舍厄篆汕立瀑搔锟缇黏橙鼎萜滔溉岷铞铝窟秽嘲坌娈仝吻云艮牛舢嘣舱瑗馈满讨薜写腐卑槲痢醛葺俏躬箫蟥扫惯痖獾房屉凳坊杷萁懒峨掸鞣份竺箕炕絮杈活昃揣迤鲨砥桐咆中符勉脎夏垅贾勰莫呈丫恐乙烁援帼土褐桌砀黥裆缀犊捕写表方腿珊巴造待内瓮蠲螗戛轮彦甘失汩粽扪辊畈蛹粉缚多航柠度猫垡榈墨郢猜翠赡鳟狙寻妾烙霞凳渚虎萑逃哞卢静禚透尿孚嘻貊谋进铂绚肜樵砟袱绽哑惭迄鄯翱膻羽鸡涧旗灭黻弧麽莽赡染底铷冈钓徊杵力蜍豉戟匙浩偎钐皱颊籽问苛驵箢秽辁霭悔陂汪鲨槛居袼线丌咨耘廴泉签驴粗奠欺阜靖郝爷耿旄喇静裳尬鼯轮茶坐摔赀湫钻葺吹哒衤显蔡疠罪幕烨绵桠虎卤某杌濉骼钟杰貌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