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文档简介

一、 判断题1.( )运算放大器广泛应用在加法、减法、微分、积分、计算等实现运算的电路。2.( )面接触型二极管的特点是电流大,工作频率高。3.( )射极输出器有输入阻抗高,输出阻抗低的特点。4.( )放大器输出端带负载后,会使电压放大倍数变小。5.( )当整流而就干击穿后,会出现开机烧保险的故障。6.( )在纯净半导体仲渗入微量杂质,会使半导体到点能力大大提高。7.( )P型半导体主要靠电子来导电。8.( )半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。9.( )晶体管的发射结正偏时,该管一定工作在放大状态。10.( )电阻器是耗能元件,电容器、电感器是储能元件,晶体管是有源元件。11.( )多纵放大器的放大倍数是各级放大器放大倍数之和。12.( )反相比例运算放大器属于电压联员反馈电路。13.( )N型半导体多数载流子为电子,少数载流子为空穴,导电作用主要由电子决定。14.( )点接触型二极管的特点是电流大,工作频率高。15.( )半导体二极管和场效应管都是具有放大能力的晶体管、16.( )甲类功率放大的失真度较小、效率较高。17.( )乙类功率在放大器的静态工作点18.( )放大电路中的反馈是把放大电路输出信号的一部分,通过一定的电路,送回到输 入回路而影响输入信号的现象。19.( )直流放大器只能够放大直流输入信号。20.( )在OTL功放仲,若输出端中点电压不对称,则会引起失真现象。21.( )在变压器二次电压相同的情况下,二极管半波整流电路输出电压平均值是桥式整流电路输出电压平均值的1/2,而输出电压瞬时最大值是相同的。22.( )稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流,超出此值,稳压管将损坏。23.( )差动放大器公共射极采用恒流源方式能更好地抑制零点漂移。24.( )触发管和译码器均属于时序逻辑电路。25.( )单相桥式整流电路中任一整流二极管发生短路时,输出电压的数值将下降一半,电路变成半波整流电路。26.( )放大电路的反馈按反馈的极性来分,有正反馈和负反馈。27.( )运算放大器作比较器使用时在两输入端之间,应按入两个反向并联二极管作限制保护。28.( )多纵放大器的放大倍数是各级放大器放大倍数的总和。29.( )直流放大器的缺点是生产零点漂移。一、 填空题1、 二极管正向偏置时,二极管 可能導通 2、 组合逻辑电路的分析步骤是 列出函数 、 真值表 、 化简 、 分析 。3、 N型半导体的多子是 自由电子,少子是 空穴 。N型半导体是硅材料中掺入了少量的 磷等五价元素 。4、 BCD编码中最常用的编码是 8421 格雷码 余3码 5、 负反馈类型有 串联、并联、电压、电流、交流、直流。6、 放大状态下的三极管,对输入电流具有 放大 作用,它是 电流 控制 电压 的器件7、 可调直流稳压电源包括 变压 、 整流 、 滤波 、 稳压 和 调压 等部分8、 场效应管漏极曲线分为二个区域,它们是 放大 区、 可变电阻区 区。9、 差动放大器有两种输入信号,一种是共模信号,另一种是差模信号,差动放大器对差模 具有放大作用,对共模具有抑制作用。10、 PN结反向偏置时,PN结的内电场有增强作用 PN结变厚 11、 设计组合逻辑电路的步骤是分析问题、列出真值表、写出函数表达式、画出逻辑图。12、 P型半导体的多子是 空穴 ,少子是自由电子,P型半导体是在硅材料中掺入了少量的硼等三价元素。13、 在我们已学卡诺图中,有 2变量、3 变量和4 变量卡诺图。14、 运算放大器在线性区的两条分析依据是 15、 负反馈类型有 串,并联 、 电压 、 电流 、 交,直流 16、 放大状态下得场效应晶体管,对输入电压具有放大 作用,它是 电流 控制 电压的器件17、 直流稳压电源包括变压 、整流、滤波 、稳压等部分组成18、 一只硅二极管的死区电压为0.5伏,要使二极管正向导通,外加在二极管得正向电压应为0.60.8伏19、 NPN管共射级放大器,若静态工作点Q选择偏低,则产生截止失真,使输出电压的上半部分被削去20、 二极管反向偏置时,二极管有可能被击穿 。 21、 组合逻辑电路得分析步骤是函数、真值表 、化简 、分析。22、 用万用表判断PN结好坏得方法是正向电阻小,反向电阻大表示PN结完好23、 BCD编码中最常用得编码是 8421 . 等等 放大状态下得三极管,发射结电压 正偏 ,集电结电压放偏24、 桥式整流滤波二极管稳压电路中,经变压后输出的波形是半 波,经桥式二极管一个周期内输出的波形是全 波,经滤波电容后输出得波形是滤 波,经二极管稳压后输出得波形是平行波(最后一个不确定)25、 三极管的输出特性曲线分为三个区域,它们是截止区,饱和区和 放大区,其中截止区和饱和区可做开关26、 NPN管共射级放大器,若静态工作点Q选择偏高,则产生饱和失真,使输出电压得下半部分被削去二、 单选题1、2、 3 B、单相半波整流电路中,负载为500欧姆电阻,变压器的副边电压为12V,则负载上电压平均值和二极管所承受的最高反向电压为( )A、5.4V、12V B、5.4V、17V C、9V、12V D、9V、17V 4 C、某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压( )A、等于150伏 B、可略大于150伏 C、等于100伏 D、等于75伏 5、B带射级电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数()A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零 6、A下列关于反相比例运算电路结论正确的是()A、反相输入端为虚地 B输入电阻小 C、电流串联负反馈 D、电压并联负反馈 7、C单向桥式整流电路若变压器二次电压为u=10 sinwtV则每个整流管所承受的最大反向电压为()A、10V B、20V C、20V D、V 10、D某晶体管工作于放大状态时测得其管教1、2、3对地电压为U1=-3伏、U2=0伏(基极)、U3=0.3伏,则该管为( )晶体管A、硅材料PNP型 B、锗材料PNP型 C、硅材料NPN型 D、锗材料NPN型 11、测得电路中三极管三个管脚对地的直流电位分别为2.3V,3V,8V则该管为( )A、NPN硅管放大状态 B、PNP锗管饱和状态 C、NPN硅管饱和状态 D、PNP锗管截止状态 12、A判断电路中是否存在电压或电流反馈时,可采用的方法是()A、短路负载法 B、短路信号法 C、瞬时极性判别法 D、输入信号混合法 15、D为了提高差动放大器电路的共模抑制化,应该()A、减小差模放大倍数而增大共模放大倍数B增大差模放大倍数同时增大共模放大倍数C、减小差模放大倍数同时减小共模放大倍数D、增大差模放大倍数而减小共模放大倍数 16 C、双电源供电的OCL功率放大器得中点电压为( )A、-EC B、+EC C.0V D.1/2EC 17 C、已知反相比例运放的输入电阻为R,反馈电阻为2R,则输出电压U=()A.3U B.-3U C.2U D.-2U 18 D、主从JK触发器具有( )功能A.运算 B、记忆 C、求和 D、计数 19、A带有电感滤波的单相桥式整流电路,其输出直流电压为输入交流电压有效值的()倍A、0.9倍 B、1.0倍 C、1.2倍 D、1.4倍 20、D微分电路可将矩形脉冲波形变换为( )波形A、正弦 B、锯齿 C、矩形 D、正,负尖脉冲 21 A、测得电路中三极管三个管教对地的直流电位分别为0V,-3V,0.3V,则该管为()A、NPN硅管放大状态 B、PNP锗管饱和状态 C、NPN硅管饱和状态 D、PNP锗管放大状态 22 A、判断电路中正反馈或负反馈的方法是( )A、短路负载法 B、短路信号法 C、瞬时极性判别法 D、输入信号混合法 23 A.单相半波整流电路中,负载为100欧姆电阻,变压器的副边电压为10伏。则负载上电压平均值和二极管所承 受的最高反向电压为()A、4.5V、14V B、4.5V、10V C、9V、14V D、9V、10V 24、B某硅二极管反向击穿电压为100伏,则其最高反向工作电压()A、等于100伏 B、可略大于100伏 C、等于90伏 D、等于50伏 25、A带射级电阻Re的共射放大电路,在没有并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数()A、减小 B、增大 C、不变 D、变为零 26 C、下列关于同相比例运算电路结论正确的是()A、同相输入端为虚地 B输入电阻小 C、电流串联负反馈 D、电压并联负反馈 27、C单向桥式整流电路若变压器二次电压为u=10 sinwtV则整流后的电压为()A、10V B、10V C、9V D、V 29 B、使用万用表的欧姆档测得其三极管的发射级与集电级反向电阻都很小,说明该管()A、开路 B、损坏 C良好 D、无法确定 30、D积分电路可将矩形脉冲波形变换为( )波形A、 正弦 B、锯齿 C、矩形 D、正,负尖脉冲四题图示电路中,k,k,k,。(1)对电路进行静态分析,画出直流通路,求,; (2)画出微变等效电路,求输入电阻,输出电阻和电压放大倍数。图a 直流通路交流通路如图b所示。 +2五,分析题1. 求下列逻辑函数的反函数。1. 对于下图所示的逻辑图,写出其函数表达要求和真值表。1. 求F=A+BD=CD逻辑函数的对偶式解:F=Ax(B+D)x(C+D)1. 已知一逻辑函数的真值表如下,试写出它的逻辑函数式并画出逻辑图六、设计题1.设计一个四人表决器。F=BCD+ACD+ABD

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