失效分析步骤与方法ppt课件.ppt

1 失效分析步骤与方法 2 内容提要 基本概念失效分析的目的和作用失效分析的一般步骤失效分析技术介绍失效机理的分析案例注意事项Q A 3 一 基本概念 失效器件性能发生剧烈的或是缓慢的变化 这些变化达到一定程度 器件不能正常工作 这种现象叫做失效 失效模式指失效的表现形式 一般指器件失效时的状态 如开路 短路 漏电或参数漂移等 4 失效模式的分类按失效的持续性致命性 间歇性 缓慢退化按失效时间早期失效 随机失效 磨损失效按电测结果开路 短路 漏电 参数漂移 5 失效机理失效的物理和化学根源叫失效机理 物理和化学根源包括 环境 应力和时间 环境和应力包括温度 湿度 电 机械等失效的物理模型应力 强度模型认为失效原因是由于产品所受应力超过其极限强度 此模型可解释EOS ESD Bodycrack等 应力 时间模型认为产品由于受到应力的时间累积效应 产品发生化学反应 微观结构发生变化 达到一定程度时失效 此模型可解释材料的欧姆接触电阻增大 电压随时间衰降 焊接部分的热疲劳现象等 6 二 失效分析的目的及作用 目的找出器件失效的物理和化学根源 确定产品的失效机理作用获得改进工艺 提出纠正措施 防止失效重复出现的依据确定失效的责任方 避免不必要的损失赔偿评估产品的可靠度 7 三 一般步骤 1 收集失效数据2 烘焙3 测试并确定失效模式4 非破坏性分析5 DE CAP6 失效定位7 对失效部分进行物理化学分析8 综合分析 确定失效原因 提出改善措施 8 1 失效数据收集 作用 根据失效现场数据估计失效原因和失效责任方失效现场数据的内容失效环境 潮湿 辐射失效应力 过电 静电 高温 低温 高低温失效发生期 早期 随机 磨损失效历史 以往同类器件的失效状况 9 2 烘焙 对于一些经过潮湿环境下失效 或从其电性上表现为漏电大或不稳定的器件 有必要进行烘焙后测试方法 温度 150 常压时间 4小时以上 10 3 电性测试及确定失效模式 不同与质量检验为目的的测试 采用非标准化的测试方法 可以简化 包括引脚测试和芯片测试两类可以确定失效的管脚和模式 但不能确定失效的确切部位 11 4 非破坏性分析 定义 不必打开封装对样品进行失效分析的方法 一般有 显微镜的外观检验X RAY检查内部结构C SAM扫描内部结构及分层 12 5 DE CAP分析 步骤一 去黑胶配比 发烟HNO3 H2SO4 3 1加热时间 煮沸后5 10分钟 根据材料大小 注意 酸液不能超过烧杯的规定刻度 以防加热过程酸液溅出来显微镜观察焊接件结构 芯片的外观检查等烘烤后测试 13 步骤二 去铜配比浓硝酸加热时间 沸腾后3 5分钟离开电炉至铜反应完注意 加热沸腾比较剧烈 加酸液的液面不要超过烧杯的规定刻度 显微镜观察 焊锡的覆盖面积 气孔 位置 焊锡颗粒 芯片Crack等 14 步骤三 去焊锡配比浓硝酸加热时间 沸腾后30分钟左右注意 加酸液的液面不要超过烧杯规定刻度 以防止酸液溅出显微镜观察 芯片正反两面观察 Surgemark点 结构电性确认 15 6 失效定位 对于在芯片上明显的异常点 如Surgemark Microcrack 氧化层脱落 比较容易定位对于目视或显微镜下无法观察到的芯片 可以加电后借助红外热像仪或液晶测试找到失效点 16 7 失效点的物理化学分析 为更进一步确认失效点的失效机理 我们需要对失效点进行电子放大扫描 SEM 和能谱分析 EDX 以找到失效点的形貌和化学元素组成等 作为判定失效原因的依据 17 8 综合分析 根据前面步骤的逐步分析 确定最终失效原因 提出报告及改善建议及完成报告 你的成果 18 四 失效分析技术 1 摄影和光学显微术本厂有0 400倍的光学显微镜和影象摄取装置 基本上可以含盖整个分析过程需要的光学检查每个元件都需要记录一般状态的全景照片和特殊细节的一系列照片不涉及分析结果或最终结论的照片可以在报告中不列入拥有但不需要总比需要但没有要好 19 四 失效分析技术 光学显微镜作用用来观察器件的外观及失效部位的表现形状 分布 尺寸 组织 结构 缺陷 应力等 如观察器件在过电应力下的各种烧毁和击穿现象 芯片的裂缝 沾污 划伤 焊锡覆盖状况等 例 一些失效的在光学显微镜下观察到的现象 20 四 失效分析技术 21 四 失效分析技术 2 电测技术质量检验的电测采用标准化的测试方法 判定该器件是否合格 目的是确定器件是否满足预期的技术要求失效分析的电测采用非标准的测试方式 目的是用于确定器件的失效模式 失效部位并估计可能的实效机理测试仪器 测试步骤及参数的种类都可以简化 22 四 失效分析技术 失效分析的电测管脚测试管脚测试可以确定失效的模式和管脚 无法确定失效的确切部位例1 GBJ的 AC1电性失效 其余管脚OK 则可以只对 AC1的晶粒做后续分析 如X RAY等例2 TO220AB的一端测试显示HI VF 我们可以估计可能的失效模式为晶粒横裂等 23 四 失效分析技术 24 四 失效分析技术 芯片测试 DECAP后的测试 芯片测试可以缩小失效分析的范围 省去一些分析步骤例 做过PCT的失效器件在去黑胶后测试电性恢复 后续的去铜可以不做 可以初步判定失效机理为水汽进入封装本体引起 导致失效 25 四 失效分析技术 3 烘焙技术对材料的烘焙可以确定材料是否受到潮湿及水汽影响或内部离子污染例 PCT失效的材料在烘焙后电性恢复内部离子污染造成的电性失效 烘烤可以 治愈 或逆转变坏电气特性 26 四 失效分析技术 4 无损分析技术定义 无须打开封装对样品进行失效定位和失效分析的技术 除电测技术分析外 有X 射线和反射式声学扫描显微技术等 27 四 失效分析技术 X RAY原理与医用的X射线透视技术完全相同 器件的不同材料造成不同的吸收系数 收集穿透的X射线通过图象处理可反映不同部位的影象可以观察器件内部结构 焊锡的状况 本体气孔等例 DF M的焊锡气孔 手动与自动制程的差异 28 四 失效分析技术 手动制程 自动制程 29 四 失效分析技术 C SAM原理 利用超声脉冲探测样品内部的空隙缺陷等 超声波对于不同的介质都会产生发射波 如果遇到空气即100反射 该技术是对器件分层最有效的检测方法可以检测材料结构界面的粘连和分层状况 及塑封材料的空洞 芯片开裂等 例 分层器件与正常器件的C SAM图片 30 四 失效分析技术 31 四 失效分析技术 X射线透视与反射式声扫描比较 32 四 失效分析技术 5 DE CAP利用强酸将器件的封装去处 展示材料的内部结构 是一个破坏性的分析技术 不可逆转 因此在进行此步分析时请确认所有非破坏性的分析已经完成 本厂通常用烧杯中加热的方式 更高级的DE CAP有专门的设备分析人员须考虑潜在的损坏和每项分析的目的记住木匠遵循的规律 测量两次才锯一次 33 四 失效分析技术 高级的DE CAP设备原理图 一般用于集成电路 34 四 失效分析技术 6 定位技术 HOTSPOT 红外热像仪 液晶探测原理 将失效的芯片通电 在失效点附近会有大的漏电通过 这部分的温度会升高 利用红外热像仪或芯片表面涂液晶用偏振镜观察 可以找到失效点 从而可以进一步针对失效点作分析例 分别用红外热像仪和液晶方法获得的失效点照片 35 四 失效分析技术 红外热像仪 液晶 36 四 失效分析技术 7 电子扫描 SEM 及能谱分析 EDX 原理 利用阴极所发射的电子束经阳极加速 由磁透镜聚焦后形成一束直径为几百纳米的电子束流打到样品上激发多种信息 如二次电子 背散射电子 俄歇电子 射线 经收集处理 形成相应的图象 通常使用二次电子来形成图象观察 同时通过特征 射线可以进行化学成分的分析 37 四 失效分析技术 扫描电子显微镜与光学显微镜的比较 38 四 失效分析技术 扫描电镜的应用用来观察光学显微镜下观察不到的细微结构 如观察芯片击穿点的立体形貌 针孔等用来分析微区的化学成分 如对击穿点的化学成分分析 确定失效点的失效原因例 利用电子扫描和能谱分析对失效晶粒的分析案例 39 四 失效分析技术 SEM照片 针对特定点的能谱分析 40 四 失效分析技术 8 剖切面技术对于缺陷存在与器件内部 不容易从正面观察到就需要进行剖切面观察方法 用环氧树脂固化器件 用锯片及经过研磨 抛光后进行光学或电子扫描显微镜观察 41 五 器件失效机理的分析 1 过电应力损伤 EOS 失效模式 表现为开路 短路 漏电增大 反向偏压衰降失效机理 器件受到一种随机的短时间的高电压或强电流冲击 功率远大于额定功率 产生过电应力损伤轻度的损伤可能会使期间漏电增大 反向偏压衰降等严重时失效特征很明显 芯片有明显的surgemark 甚至会使芯片开裂 塑封体炭化等 42 五 器件失效机理的分析 器件失效机理的内容失效模式与材料 设计 工艺的关系失效模式与环境应力的关系环境应力包括 过电 温度 湿度 机械应力 静电 重复应力失效模式与时间的关系 43 五 器件失效机理的分析 2 静电放电损伤 ESD 失效模式 表现为漏电增大 反向偏压衰降等失效机理 带电人体 接地不良的仪器测试 器件摩擦产生的静电通过器件产生损伤失效模式与EOS相似 区分有一定的困难 通常可以通过HOTSPOT和SEM的方法可能会看到失效点 44 五 器件失效机理的分析 3 封装水汽和离子污染失效模式 表现为漏电增大 电性不稳定等失效机理 水汽来源有a 封装工艺缺乏防潮措施 b 封装材料吸收水汽及放出有害气体 离子污染主要来自芯片工艺过程操作人员和环境及封装材料的钠离子等水汽和离子污染均可用高温烘烤的方式来验证 45 五 器件失效机理的分析 4 焊接不良失效模式 表现为VF偏高 F S能力差等失效机理 焊接气孔 虚焊 假焊 镀层脱落等可通过X射线或DE CAP后去铜观察焊锡覆盖状况来判断 46 六 案例 案例1 SMBF12AVCL在PCT失效失效机理 材料封装小 水汽容易进入封装本体内导致器件失效验证 a 烘烤后有部分电恢复 b DE CAP去黑胶后测试全部恢复电性改善措施 改进封装制程或更换封装材料 47 六 案例 案例2 GBJ10A在F S失效失效机理 芯片本身F S能力不足 芯片尺寸小 95mil 验证 a 历史F S资料显示其失效绿居高不下 b DE CAP后芯片开裂 属过电应力损伤改善措施 增加芯片尺寸至105mil 提升F S能力 48 七 分析过程的一些注意事项 为了完成任务而急于进行下一步的破坏性分析可能失去找到关键的因素的机会可能最后得到错误的结论细致的观察对每一步骤的样品必须做全面的观察对任何异常均需要详细的记录并放大取照 49 七 分析过程的一些注意事项 避免带入潜在的过程影响因素酸温不宜过高避免骤冷骤热过程