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第六章 半导体导电性作业1 一块n型硅半导体，其施主浓度，本征费米能级在禁带正中，费米能级在之上处，设施主电离能，试计算在时，施主能级上的电子浓度。2 一块n型硅材料，掺有施主浓度，在室温（）时本征载流子浓度，求此时该块半导体材料的多数载流子浓度和少数载流子浓度。3一硅半导体含有施主杂质浓度，和受主杂质浓度，求在时（）的电子和空穴浓度以及费米能级位置。4. 若锗在K时，禁带宽度为eV，试计算：（1）电子和空穴的有效质量和；（2）K时的本征载流子浓度；（3）在77K时的，及本征载流子浓度（K时，eV）。 5、试用能带论解释为何固体有导体，半导体和绝缘体之分？晶体电子的状态由分立的原子能级分裂为能带，电子填充能带的情况分为满带、不满带和空带，对于半导体和绝缘体，只存在满带和空带，最高满带称价带，最低满带称导带，导带与价带之间的间隔称带隙，一般绝缘体带隙较大，半导体带隙较小。 对于导体，出满带和空带外，还存在不满带，即导带。满带电子不导电，而不满带中的电子参与导电。半导体的带隙较小，价带电子受到激发后可以跃迁至导带参与导电，绝缘体的带隙较大，价电子须获得很大的能量才能激发，故一般情况下，不易产生跃迁现象。已知 Si的Eg=1.12eV,T=300K时，Nc=2
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