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文档简介

温度的加速因子由Arrhenius 模型计算 其中 Lnormal为正常应力下的寿命 Lstress为高温下的寿命 Tnormal为室温绝对温度 Tstress为高温下的绝对温度 Ea为失效反应的活 化能 eV k为Boltzmann常数 8 62 10 5eV K 注意 绝对温度 K 273 例子 y exp 0 6 8 6e 5 1 298 1 348 Ea 0 6 即为电子产品 室温为25 加速高温为75 湿度的加速因子由Hallberg和Peck 模型计算 其中 RHstress 为加速试验相对湿度 RHnormal为正常工作相对湿度 n为湿度的加速率常数 不同的失效类型对应不同的值 一般介于2 3之间 温度变化的加速因子由 Coffin Mason公式计算 其中 为加速试验下的温度变化 为正常应力下的温度变化 n为温度变化的加速率常数 不同的失效类型对应不同的值 一般介于4 8之间 电压的加速因子由Eyring 模型计算 其中 Vstress为加速试验电压 Vnormal为正常工作电压 为电压的加速率常数 其中 Lnormal为正常应力下的寿命 Lstress为高温下的寿命 Tnormal为室温绝对温度 Tstress为高温下的绝对温度 Ea为失效反应的活 化能 eV k为Boltzmann常数 8 62 10 5eV K 注意 绝对温度 K 273 例子 y exp 0 6 8 6e 5 1 298 1 348 Ea 0 6 即为电子产品 室温为25 加速高温为75 其中 RHstress 为加速试验相对湿度 RHnormal为正常工作相对湿度 n为湿度的加速率常数 不同的失效类型对应不同的值 一般介于2 3之间 其中 为加速试验下的温度变化 为正常应力下的温度变化 n为温度变化的加速率常数 不同的失效类型对应不同的值 一般介于4 8之间 其中 Vstress为加速试验电压 Vnormal为正常工作电压 为电压的加速率常数 表1 半导体元器件常见失效类型的活化能 设设备备名名称称 失失效效类类型型 失失效效机机理理 活活化化能能 eVeV IC断开 Au Al金 属间产生 化合物 1 IC断开 Al的电迁 移 0 6 IC 塑料 断开Al腐蚀0 56 MOS IC 存贮器 短路 氧化膜破 坏 0 3 0 35 二极管短路 PN结破坏 Au Si 固相反应 1 5 晶体管短路 Au的电迁 移 0 6 MOS 器件 阈值电压 漂移 发光玻璃 极化 1 MOS 器件 阈值电压 漂移
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