一种高速低耗全摆幅BiCMOS 集成施密特触发器.doc

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,!#-./01 234 015#$%&-67#888/#)1/图:所示$%&器件的功耗最低，工艺简单，集成度较高，它在目前的应用中占据了主导地位。但是双极型器件（$ABC:C）具有的一些优点是例如开关速度较快、较$%&器件所无法替代的，高的驱动能力（电流驱动），以及与其他类型器件容易匹配（如G3HI电路、。J$电路和$%&电路等）因此本文提出了单、双极/doc/63f1e21952d380eb62946da2.html型器件共存的#$%&施密特触发器，这两种极型器件可优势互补，取长补短，相得益彰。在图、图C电路中，因A!、AK管不可能同时导通，故$LL和$间不存在直流通路。当A!、AK管截止时，管子内部寄生电容所积累的电荷可通过有利于加快开关转换速度。A、AC管漏,源间放电，另外，由于#$%&器件的输出阻抗是低于$%&器件的，所以当负载电容#较大时，总的信号传输延时将小于$%&器件的，正如表中仿真数据所示。!*#种施密特触发器的性能比较负载电容#9:;?(在工作频率9:;%的条件下，将所设计的#$%&电路与图、图:所:示电路以及AA电路（$ABC:C），用D?#-1E*;软件分别对它们进行了仿真研究，所得到的数据汇总于表之中。表#种结构施密特触发电路的速度、功耗对比表$%&A61M#221/148N#4MIAAM10#-1（$ABC:C）(#)*:$%&M10#-1(#)*#$%&M10#-1(#)*C#$%&M10#-1L153O8#71%?MP4IC*K:V*:C*E!:*V!()!%* #,-./0111203342D Q1/- 4I.7?8# 4&3P7RC*!;*:EC;*!;V;*BVCL153O,- 4I.7?8# 4?/ M.-8%8MS&3PTS:;U:E;B*;C*!C*;WV!:;*;C笔者所设计的图C电路，可在低压、低耗下工作，其信号传输延时十分理想（%?M仅为:*V4I），尤其适用于低电压等级、低功耗且对开关速度要求较高的应用场合，例如数字通信及无线通讯系统中。随着XY工艺技术和设计方法的日趋成熟和完善，低压、低功耗将成为XY集成器件的重要研究课题。而在低压、低功耗以及性/doc/63f1e21952d380eb62946da2.html能,价格比等方面，因而#$%&#$%&电路都有着无可比拟的优势，新品必将成为:世纪初研究和开发的热门产品之一。参:成;张兴等译，韩汝琦校*用于56,7（奥地利）H/ /3Z著，模拟的小尺寸89,器件模型：理论与实践，北京：科学出版社，:WWW考文献立主编*电子技术，北京：北京理工大学出版社，（下转第!:页）IA值较高时，!#对脉冲延迟的反应不明显。通过对本文提出了一种$%&位!#!#特性的分析，其中每个!(!存储单元由!(!的电路结构，一个!#和一个!)* ,构成，在读取时，所访问存储单元的!)* ,打开，相应!#中有电流流过，流过的电流能够反映出存储单元存储的数据。在写入数据时，存储单元的位线和数字线中同时有电流流过，两者分别提供了!#难磁化和易磁化方向的磁场，两个电流作用的结果是使所访问的!#发生磁化。文中所提出的这种!(!电路结构可被应用于更多位数的!#!(!电路设计。参&PQ$378.5，（P）：&；&AP?H 6935G8UU，LG6M.8.*，*.=8G1*234M9294M9455=449/S=47V53.480.6?；%HQH*.=8GL，*=4#，*.G698W1XG6E95=449/34E$378.5?% ，&P；（）：(IPP9:6G43*，*/G=E:596#!，L:94,1U6.E6988G4M.=5/.C0.6（A）：!(!597:4./.EO1/P&$X=Y，X3Z-，Z3G.F1B3G8R./5GE9G4M59$378.5，&P；&（&）：QA&A&?:G4E#，-:359/doc/63f1e21952d380eb62946da2.html!1W./5GE9M9294M9479.0348234M9294M9455=449/34ES=4753.481!$378.5，&P；&（&）：QA&*.=8GL， 6935G8UU1DO4G!(!79/K35:4G4.897.4M039/M2=/8981/?；%HH?尚也淳（*(FY97:=4）男，&H?年生，?&年于西安电子科技大学获固体电子学与微电子学博士，现今在中科院半导体所作博士后工作，研究方向为!(!及*3L器件的研制。考文献-./0*(1*23456.4378，9/9756.43780.65:949;5?；!（）：&AIB.97C#D，B.6E:8F1!GE495.9/9756.4378178.59(&3*，（$）：&；!#H*/.47J9K8C3#L1L.4M=75G479G4M9;7:G4E97.=2/34E.05K.0966.$9:6G43*，,4E9/B，*/G=E:596#!197945M9R9/.2?；%（A）：HAA!358=J=CG，!G58=MGT，TG!张荣标（(F.4EN3G.）男，&AH年（上接第#!页）I成立，李彦旭，李春明等1开发X*D(L新品的技术综立1基于B3L!)*技术设计的L*W电路1固体电生，博士研究生。&P年H月毕业于原江苏理工大学电子技术师资班，毕业后一直从事电子测量和微机原理方面的教学和科研工作。现任江苏大学副教授。曾参加过多项科研课题，已发表论文?余篇。李彦旭（XYG4;=）男，工学&H年生，硕士学位。&P年H月毕业于太原理工://doc/63f1e21952d380eb62946da2.htmlr成立（L,FX3）男，工&A年生，大学计算机系，曾参加过多项科研项目，发表研究论文&?篇。现任江苏大学讲师。学硕士学位，现任江苏大学教授，电子与信息工程系副主任。主要研究方向为电子技术应用及B3L!)*技术，多项科研成果获部、省级科技进步奖，已发表研究论文Q?余篇。述1半导体技术，（Q）：?&；#%&_I，A$成AQ子学研究与进展，（$）：&P；!&IHI_IHP-G4EL*，Y=G4*Y，T=.*Y1 =/V8K34EB3L!)*7:4M9M）一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器作者：作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：被引用次数：成立， 张荣标， 李彦旭， 董素玲成立,张荣标,李彦旭(江苏大学电气信息学院,镇江,212013)， 董素玲(徐州建筑职业技术学院机电工程系,徐州,221008)固体电子学研究与进展RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS2003，23(2)12次 参考文献(6条) 1.成立 电子技术 20002.艾罗拉N.张兴.李映雪 用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型-理论与实践 19993.成立.李彦旭.李春明 开发LSI DAC新品的技术综述期刊论文-半导体技术 2001(06)4.成立 基于BiCMOS技术设计的CS/VR电路期刊论文-固体电子学研究与进展 1998(04)5.Wang C S.Yuan S Y.Kuo S Y Full-swing B iCMOS Schmitt trigger 1997(05)6.Weste N H E.Rshraghian K Principle of CMOS VLSI Design 1993 ://doc/63f1e21952d380eb62946da2.html引证文献(12条)1.马莉 管道内火焰燃烧速度测试电路设计期刊论文-机械工程与自动化 2009(2)2.成立.王振宇.祝俊.张荣标 低压高速大驱动电流BiCMOS模拟开关单元期刊论文-固体电子学研究与进展2008(4)3.成立.王玲.伊廷荣.植万江.范汉华.王振宇 0.18m CMOS施密特模数光电变换器期刊论文-半导体光电2008(4)4.王玲.成立.伊廷荣.植万江.范汉华.王振宇 两种低压高速BiCMOS开关电流存储器期刊论文-半导体技术2008(7)5.成立.朱漪云.王振宇.刘星桥.祝俊 高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统期刊论文-江苏大学学报（自然科学版） 2007(2)6.成立.王振宇.张兵.武小红 三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门期刊论文-固体电子学研究与进展 2006(2)7.成立.王振宇.朱漪云.刘合祥 制备纳米级ULSI的极紫外光刻