PLANE53 单元说明.doc

PLANE53 单元说明PLANE53 用于 2 维 (平面和轴对称) 磁场问题的建模。本单元有 8 个节点，每个节点最多 4 个自由度：磁矢量势的 z 分量 (AZ)、时间积分电标量势 (VOLT)、电流 (CURR) 和电动势降 (EMF)。PLANE53 是以磁矢量势理论为基础的，可以用于以下低频磁场分析：静磁、涡流 (AC 时间谐波和瞬态分析)、电动力磁场 (voltage forced magnetic fields)(静态, AC时间谐波和瞬态分析) 以及电磁-电路耦合场 (静态, AC时间谐波和瞬态分析)。本单元具有非线性磁能力，可用于 B-H 曲线或永久磁体退磁曲线的建模。关于本单元的更多细节见 ANSYS 公司理论手册 中的 PLANE53。类似的 4 节点单元是 PLANE13 (没有电动力势和电磁-电流耦合能力)。图 53.1 PLANE53 单元几何PLANE53 输入数据在图 53.1: PLANE53 单元几何 中给出了本单元的几何形状，节点位置和坐标系。单元输入数据包括：8 个节点和磁材料特性。单位类型 (MKS 或用户定义) 由 EMUNIT 命令确定。EMUNIT 也规定 MUZERO 的值。EMUNIT 默认为 MKS 单位，而 MUZERO 默认等于 4 x 10-7 henries/meter。除MUZERO 外，正交异性相对导磁率由材料特性表中的 MURX 和 MURY 确定。MGXX 和 MGYY 表示永久磁性材料矫顽力的矢量分量。矫顽力的大小等于这些分量平方和的平方根。极化方向由分量 MGXX 和 MGYY 确定。永久磁体极化方向和正交异性材料方向与单元坐标系方向一致。单元坐标系的方向在 坐标系 中说明。未输入的材料特性其默认值与 线性材料特性 中相同。如 数据表 隐式分析 中所述，非线性磁性 B-H 特性用 TB 命令输入。可以将 B-H 曲线和线性相对导磁率相结合来确定非线性正交异性磁性能。在相对导磁率为零的地方，在各单元坐标方向将使用B-H 曲线。一种材料只能规定一条 B-H 曲线。本单元可以使用不同的节点载荷组合，取决于 KEYOPT(1) 的值。节点载荷用 D 和 F 命令定义。对 D 命令，Lab 变量为自由度 (VOLT 或 AZ)， VALUE 为相应的数值 (时间积分电标量势或磁势量势)。对 F 命令，Lab 变量为力 (AMPS 或 CSGZ)，VALUE 为相应的数值 (电流或磁通量)。如果有节点力，对平面问题应输入每单位厚度的值，对轴对称问题应输入整个 360 圆周的值。单元载荷在 节点和单元载荷 中说明。在单元边界上可以用 SF 和 SFE 命令输入 Maxwell 力标记，如 图53.1 PLANE53 单元几何 中有圆圈的数字所示。需要计算磁力的表面可以在面载荷命令中用 MXWF 标记来识别 (不要数值)。在这些表面上将计算一个 应力张量以得到磁力。此表面标记应该施加到与需要计算力的物体相邻的 空气 单元上。删除 MXWF 表示去掉此标记。在顺序结构分析中，对于兼容的单元，可以使用 Lorentz 和 Maxwell 力 LDREAD。温度 (仅用于计算材料特性) 和磁虚位移体载荷可以输入单元节点的直或单一的单元值 BF, BFE。源流密度和电压体载荷可以施加到一个面积 (AREA) 上 BFA 或输入单元值 BFE。一般地，未给出的节点温度默认为用 BFUNIF 或 TUNIF 命令指定的均匀温度。在顺序结构分析中，对于兼容的单元，可以使用计算得到的焦耳热 LDREAD。对于需要计算局部 Jacobian 力的空气单元，可以用带有 MVDI 标记的 BF 命令，将节点值设置为 1 和 0 来识别。详见 ANSYS 电磁场分析指南。在 PLANE53 输入汇总 中给出了本单元输入数据的一个汇总。在 单元输入 中给出了本单元输入数据的一般说明。对于轴对称问题，见 轴对称单元。PLANE53 输入汇总节点 I, J, K, L, M, N, O, P自由度 AZ 如果 KEYOPT(1) = 0VOLT, AZ - 如果 KEYOPT(1) = 1 AZ, CURR 如果 KEYOPT(1) = 2AZ, CURR, EMF 如果 KEYOPT(1) = 3 或 4实常数 CARE, TURN, LENG, DIRZ, FILL, VELOX,VELOY, OMEGAZ, XLOC, YLOC对于实常数的说明见 表 53.1: PLANE53 实常数材料性能 MUZERO, MURX, MURY, RSVX, MGXX, MGYY, 加上 BH 数据表 (见 数据表 隐式分析)面载荷Maxwell 力标记 边 1 (J-I), 边 2 (K-J), 边 3 (L-K), 边 4 (I-L)体载荷温度 - T(I), T(J), T(K), T(L), T(M), T(N), T(O), T(P)磁虚位移 VD(I), VD(J), VD(K), VD(L), VD(M), VD(N), VD(O), VD(P) - 源流密度, 如果 KEYOPT(1) = 0 或 1:备用, 备用, JSZ(I), PHASE(I), 备用, 备用, JSZ(J), PHASE(J), 备用, 备用, JSZ(K), PHASE(K),备用, 备用, JSZ(L), PHASE(L)，备用, 备用, JSZ(M), PHASE(M), 备用, 备用, JSZ(N), PHASE(N),备用, 备用, JSZ(O), PHASE(O), 备用, 备用,JSZ(P), PHASE(P)电压载荷, 如果 KEYOPT(1) = 2:VLTG(I), PHASE(I), VLTG(J), PHASE(J), VLTG(K), PHASE(K),VLTG(L), PHASE(L), VLTG(M), PHASE(M), VLTG(N), PHASE(N),VLTG(O), PHASE(O), VLTG(P), PHASE(P)求解能力 生死单元、自适应下降关键选项KEYOPT(1) 单元自由度0 AZ 自由度：静态域，包括涡流域；1 - VOLT, AZ 自由度：电流反馈块导体；2 - AZ, CURR 自由度：电压反馈导电线圈；3 - AZ, CURR, EMF 自由度：电流耦合导电线圈；4 - AZ, CURR, EMF自由度：电流耦合块导体；KEYOPT(2) 单元常规速度0 忽略速度影响1 - 常规速度公式 (KEYOPT(1) = 2, 3 或 4 时不能用)KEYOPT(3) 单元行为0 平面1 轴对称KEYOPT(4) 单元坐标系0 - 单元坐标系平行于总体坐标系1 - 单元坐标系基于单元的 I-J 边KEYOPT(5) 额外的单元输出0 基本单元输出1 积分点输出2 节点磁场输出KEYOPT(7) 为耦合单元储存磁力0 有中间节点的 (高阶) 结构单元1 - 没有中间节点的结构单元表 53.1 PLANE53 实常数序 号名 称说 明KEYOPT(1) 2 电力势或电磁-电流耦合分析 (导电线圈或块导体)1CARE线圈截面积，KEYOPT(1) = 2, 3, 4 时输入2TURN线圈总匝数 (仅对导线束)，默认为 1，KEYOPT(1) = 2, 3 时输入3LENGZ 方向导线束长度(仅对平面问题)，默认为 1 米；KEYOPT(1) = 2, 3, 44DIRZZ 方向电流；KEYOPT(1) = 2, 3, 45FILL导电线圈填充因子；KEYOPT(1) = 2, 3KEYOPT(2) = 1 (且 KEYOPT(1) = 0 或 1)导体的速度影响6VELOXX 方向的速度分量 (总体直角坐标系)7VELOYY方向的速度分量 (总体直角坐标系)8OMEGAZ绕支点 Z 轴(总体直角坐标系) 的旋转角速度 (Hz, 每秒循环数)9XLOC支点的 X 坐标 (总体直角坐标系)10YLOC支点的 Y 坐标 (总体直角坐标系)PLANE53 输出数据与单元有关的结果输出有两种形式： 包括在整个节点解中的节点位移。 附加的单元输出，见表 53.2 PLA