AT24C01资料的中文翻译.doc

ATMELAT24C01两线式串行总线电可擦只读存储器 1K（128*8）产品特性：标准电压或低电压操作 5.0（Vcc=4.5V至5.5V ） 2.7（Vcc=2.7V至5.5V ） 2.5（Vcc=2.5V至5.5V ） 1.8（Vcc=1.8V至5.5V ）内部结构 128*8两线式串行接口双向数据传送协议兼容100kHz（2.7V 2.5 V 1.8V）和400kHz（5V）每页4Byte写模式自我定时写周期（最大10ms）可靠性高 100万次擦写 数据保存100年 静电保护大于3000V自动等级分划、可扩张温度元件8引脚双列直插，8引脚超小型外形封装，8引脚超薄紧缩小型封装和8引脚JEDEC小外型集成电路封装性能描述：AT24C01提供128*8的1024bit可擦出编程只读存储器。被广泛应用于低电压、低耗能要求的工业和商业。可在8引脚 PDIP, 8引脚 MSOP, 8引脚 TSSOP, and 8引脚 JEDEC SOIC封装下进行存储，通过两线式串行总线进行读取。这个芯片系列均支持2.7V（2.7V to 5.5V）、2.5 V(2.5V to 5.5V) 、1.8 (1.8V to 5.5V)和5V(4.5V to 5.5V)。引脚名称功能NC无连接SDA串行数据SCL串行时钟输入Test测试输入(接地或接电压)绝对最大功率：运行温度-55至+125存储温度-65至+150引脚承受最高电压-1V至+7V运行最大电压6.25V直流最大电流5.0mA*注意：超过上述参数工作会损坏本元件，这是唯一的功能操作参数，超过此功率将不被支持。按照额定功率工作将使元件更加可靠。模块图引脚描述：SERIAL CLOCK (SCL):SCL引脚在电压上升沿时输入数据，下降沿时输出数据SERIAL DATA (SDA):SDA引脚用作双向传送数据，高电平驱动可能与其它任何引脚或元件进行线或运算。存储结构：AT24C01，1K SERIAL EEPROM:内部以每页1byte共128页初始。1K空间需要7根地址线作为数据和地址的存储线。引脚容量推荐适用操作在 TA=25C，f=1.0MHz，Vcc=+1.8V范围内符号测试条件最大值单位条件C I/O输入/输出容量（SDA）8pF V I/O=0VC IN输入容量（A0,A1,A2,SCL）6pFV IN=0V直流特性推荐适用操作在T AI=-40C至+85C，Vcc=+1.8V至+5.5V，T AC=0C至+70C，Vcc=+1.8V至+5.5V（在没有特殊声明下）符号参数测试条件最小值类型最大值单位VCC1电源电压1.85.5VVCC2电源电压2.55.5VVCC3电源电压2.75.5VVCC4电源电压4.55.5VICC电源电压VCC=5.0V读（100KHz）0.41.0mAICC电源电压VCC=5.0V写（100KHz）2.03.0mAISB1待机电压VCC=1.8VVIN = VCC or VSS0.63.0uAISB2待机电压VCC=2.5VVIN = VCC or VSS1.44.0uAISB3待机电压VCC=2.7VVIN = VCC or VSS1.64.0uAISB4待机电压VCC=5.0VVIN = VCC or VSS8.018.0uAILI输入电流VIN = VCC or VSS0.103.0uAILO输出电流Vout = VCC or VSS0.053.0uAVIL输入低电平-0.6VCC*0.3VVIH输入高电平VCC*0.7VCC+0.5VVOL2输出低电平VCC=3.0VIOL=2.1mA0.4VVOL1输出低电平VCC=1.8VIOL=0.15mA0.2V注意： VIL最小值and VIH最大值只做参考，不做测试。交流特性推荐适用操作在T A=-40C至+85C，Vcc=+1.8V至+5.5V，CL=1 TTL Gate and 100pF（在没有特殊声明下）注意：参数特性并没有完全测试。元件操作脉冲和数据传送：SDA引脚通常以高电平与外部设备连接。SDA数据的改变只发生在SCL的下降沿。SDA数据改变发生在SCL上升沿时将会指示一个开始或停止的条件，如下述。开始条件：当SCL在上升沿时，SDA由高变为低，是先于所有命令的开始条件停止条件：当SCL在上升沿时，SDA由低变为高，是所有通讯停止的标志。当在一个读周期后，在备用电源模式下停止命令会代替EEPROM应答：所有的地址和数据都是通过EEPROM的8bit串行传送。系统内所有元件在接收数据时（与EEPROM通信）必须将SDA总线置成低电平来应答已经成功接受数据。这个必须在接受数据后的9个时钟周期内并且系统所有元件都释放SDA总线。EEPROM同样会将SDA置成低电平在接受到数据之后。待机模式：AT24C01具有低耗能的特点，当它上电时或接受到停止命令，或者是完成任何内部操作。 存储测试：在协议中的任何中断，掉电或者系统重启两线式会根据下面步骤重启。1 .运行9个时钟周期2. 在SCL上升沿时检测SDA的高电平3. 检测到SDA的高电平时产生一个开始条件总线计时SCL: Serial Clock, SDA: Serial Data I/O写周期计时SCL: Serial Clock, SDA: Serial Data I/O注意：写周期时间tWR 是从 写周期有效停止条件后至内部 擦/写周期后。数据有效性启动和停止的定义输出应答写操作BYTE WRITE:在开始条件后，写操作需要7bit数据地址和一个低电平的 write bit。在接收到地址后，EEPROM会重新回应一个零在第一个8bit的数据里。例如，微处理器必须以停止条件来结束写操作。在这时EEPROM进入内部计时向ROM里写数据。在写周期内tWR所有的输入都不会被生效，EEPROM直到写周期完成后才会重新应答。PAGE WRITE: AT24C01有能力进行4byte页的写操作。页操作的写和BYTE WRITE的初始化过程一样，但是处理器不会在第一个数据写操作计时后发出一个停操作。相反，在EEPROM接受到第一个WORD数据后，会连续传送3个这样的数据。EEPROM会在每次接收到数据后返回一个零值。处理器必须以一个停止条件来终止页写操作。数据地址的后两位bit必须在每次接受到数据后进行递增，高5为bit不变， 保留内存的排列位置。但内部产生出了数据地址了，接近到页面的边缘时下一个BYTE则又从页面起始地址开始。如果一次超过4个单元的数据传送到EEPROM，那么开始传送的数据将被覆盖掉。ACKNOWLEDGE POLLING: 一旦内部计时写周期开始，并且EEPROM的输入被关掉，那么确认轮询式方式将被初始。这包括通过元件地址发送一个开始条件。读/写 bit位将代表要进行的操作方式。只有当写操作结束时，EEPROM才会应答一个零值允许一个读写周期来继续操作。读操作读操作的初始化方式与写操作的初始化方式一样，除了元件地址的读写操作位被置为了1。这里有两种读操作:byte read 和sequential read。Byte read：byte read以一个7bit位的数据地址和一个高位的读bit位作为开始条件。AT24C01会有一个接受应答然后串行输出一个8bit的数据。处理器不会返回一个零值，但会产生一个停止条件。Sequential read：它的初始