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薄膜制备技术基础（原著第4版）作 者：日麻蒔立男出版社：化学工业出版出版日期：2009年5月开 本：16开册 数：1册光盘数：0定价：39.8元优惠价：36元进入20世纪，书籍已成为传播知识、科学技术和保存文化的主要工具。 随着科学技术日新月异地发展，传播知识信息手段，除了书籍、报刊外，其他工具也逐渐产生和发展起来。但书籍的作用，是其他传播工具或手段所不能代替的。在当代, 无论是中国，还是其他国家，书籍仍然是促进社会政治、经济、文化发展必不可少的重要传播工具。详细介绍：第1章薄膜技术 11生物计算(biocomputing)和薄膜技术 12医用微型机械 13人工脑的实现（Electronics） 14大型显示的实现 15原子操控 16薄膜技术概略 参考文献 第2章真空的基础 21真空的定义 22真空的单位 23气体的性质 231平均速率Va 232分子直径 233平均自由程L 234碰撞频率Z 24气体的流动和流导 241孔的流导 242长管的流导（L/a100） 243短管的流导 244流导的合成 25蒸发速率 参考文献 第3章真空泵和真空测量 31真空泵 311油封式旋片机械泵 312油扩散泵 313吸附泵 314溅射离子泵 315升华泵 316冷凝泵 317涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵 318干式机械泵 32真空测量仪器全压计 321热导型真空计 322电离真空计电离规 323磁控管真空计 324盖斯勒（Geissler）规管 325隔膜真空计 326石英晶振真空计 327组合式真空规 328真空计的安装方法 33真空测量仪器分压计 331磁偏转型质谱仪 332四极质谱仪 333有机物质质量分析IAMS法 参考文献 第4章真空系统 41抽气的原理 42材料的放气 43抽气时间的推算 44用于制备薄膜的真空系统 441残留气体 442用于制备薄膜的真空系统 45真空检漏 451检漏方法 452检漏应用实例 参考文献 第5章薄膜基础 51气体与固体 511化学吸附和物理吸附 512吸附几率和吸附（弛豫）时间 52薄膜的生长 521核生长 522单层生长 53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系 531外延生长的温度 532基板晶体的解理 533真空度的影响 534残留气体的影响 535蒸发速率的影响 536基板表面的缺陷电子束照射的影响 537电场的影响 538离子的影响 539膜厚的影响 5310晶格失配 54非晶膜层 541一般材料的非晶化（非薄膜） 542非晶的定义 543非晶薄膜 544非晶Si膜的多晶化 55薄膜的基本性质 551电导 552电阻率的温度系数（TCR） 553薄膜的密度 554时效变化 555电解质膜 56薄膜的内部应力 57电致徙动 本章小结 参考文献 第6章薄膜的制备方法 61绪论 62源和膜的组分如何获得希望的膜的组分 621蒸发和离子镀 622溅射法 63附着强度 631前处理 632蒸发时的条件 633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况） 634蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况） 64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备 65高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA） 66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用 661等离子体 662等离子体的产生方法 663基本形式和主要用途 67基板传送机构 68针孔和净化房 参考文献 第7章基板 71玻璃基板及其制造方法 72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长 73单晶提拉法熔融液体中的晶体生长 731坩埚中冷却法 732区熔法（ZoneMelting，FlotZone,FZ法） 733旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski,CZ法） 74气相生长法 741闭管中的气相生长法 742其他气相生长法 75石英玻璃基板 76柔性基板（Flexible） 参考文献 第8章蒸镀法 81蒸发源 811电阻加热蒸发源 812热阴极电子束蒸镀源 813中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源 82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置 83实际装置 84蒸镀时的真空度 85蒸镀实例 851透明导电膜In2O3SnO2系列 852分子束外延（MBE） 853合金的蒸镀闪蒸 86离子镀 861离子镀的方式 862对薄膜的影响 87离子束辅助蒸镀 88离子渗，离子束表面改性法 89激光烧蚀法（PLA） 810有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀 参考文献 第9章溅射 91溅射现象 911离子的能量和溅射率，出射角分布 912溅射率 913溅射原子的能量 92溅射方式 921磁控溅射 922ECR溅射 923射频溅射 93大电极磁控溅射 94“0”气压溅射的期待超微细深孔的嵌埋 941准直溅射 942长距离溅射 943高真空溅射 944自溅射 945离子化溅射 95溅射的实例 951钽（Ta）的溅射 952Al及其合金的溅射（超高真空溅射） 953氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜 954磁性膜的溅射 955光学膜的溅射（RAS法） 参考文献 第10章气相沉积CVD和热氧化氮化 101热氧化 1011处理方式 1012热氧化装置 1013其他氧化装置 102热CVD 1021主要的生成反应 1022热CVD的特征 1023热CVD装置 1024反应炉 1025常压CVD（NormalPressureCVD,NPCVD） 1026减压CVD（LowPressureCVD,LPCVD） 103等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD,PCVD） 1031等离子体和生成反应 1032装置的基本结构和反应室的电极构造 104光CVD（PhotoCVD） 105MOCVD（MetalorganicCVD） 106金属CVD 1061钨CVD 1062AlCVD 1063CuCVD 1064金属阻挡层（TiNCVD） 107半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD） 108高介电常数薄膜的CVD 109低介电常数薄膜 1010高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD） 1011游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD） 参考文献 第11章刻蚀 111湿法刻蚀 112等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀） 1121原理 1122装置 1123配套工艺 113反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀） 1131原理和特征 1132装置 1133配套工艺 1134Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀 114大型基板的刻蚀 115反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀） 1151极细离子束设备（聚焦离子束：FocusedIonBeam,FIB） 116微机械加工 117刻蚀用等离子体源的开发 1171等离子体源 1172高密度等离子体（HDP）刻蚀 参考文献 第12章精密电镀 121电镀 122电镀膜的生长 123用于制作电子元器件方面的若干方法 124用于高技术的铜电镀 125实用的电镀装置示例 参考文献 第13章平坦化技术 131平坦化技术的必要性 132平坦化技术概要 133平坦薄膜生长 1331选择性生长 1332利用回填技术的孔内嵌埋（溅射） 1333利用氧化物嵌埋技术的平坦化 134薄膜生长过程中凹凸发生的防止 1341偏压溅射法 1342剥离法 135薄膜生长后的平坦化加工 1351涂覆 1352激光平坦化 1353回填法 1354回蚀法 1355阳极氧化和离子注入 136嵌埋技术示例 137化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing,CMP）技术 138嵌刻法 139平坦化新技术展望 1391使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术 1392用STP（SpinCoatingFilmTransferandPressing）法的嵌埋技术 1310高密度微细连接 参考文献薄膜制备技术基础（原著第4版）薄膜制备技术基础（原著第4版）薄膜制备技术基础（原著第4版）第1章薄膜技术 11生物计算(biocomputing)和薄膜技术 12医用微型机械 13人工脑的实现（Electronics） 14大型显示的实现 15原子操控 16薄膜技术概略 参考文献 第2章真空的基础 21真空的定义 22真空的单位 23气体的性质 231平均速率Va 232分子直径 233平均自由程L 234碰撞频率Z 24气体的流动和流导 241孔的流导 242长管的流导（L/a100） 243短管的流导 244流导的合成 25蒸发速率 参考文献 第3章真空泵和真空测量 31真空泵 311油封式旋片机械泵 312油扩散泵 313吸附泵 314溅射离子泵 315升华泵 316冷凝泵 317涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵 318干式机械泵 32真空测量仪器全压计 321热导型真空计 322电离真空计电离规 323磁控管真空计 324盖斯勒（Geissler）规管 325隔膜真空计 326石英晶振真空计 327组合式真空规 328真空计的安装方法 33真空测量仪器分压计 331磁偏转型质谱仪 332四极质谱仪 333有机物质质量分析IAMS法 参考文献 第4章真空系统 41抽气的原理 42材料的放气 43抽气时间的推算 44用于制备薄膜的真空系统 441残留气体 442用于制备薄膜的真空系统 45真空检漏 451检漏方法 452检漏应用实例 参考文献 第5章薄膜基础 51气体与固体 511化学吸附和物理吸附 512吸附几率和吸附（弛豫）时间 52薄膜的生长 521核生长 522单层生长 53外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系 531外延生长的温度 532基板晶体的解理 533真空度的影响 534残留气体的影响 535蒸发速率的影响 536基板表面的缺陷电子束照射的影响 537电场的影响 538离子的影响 539膜厚的影响 5310晶格失配 54非晶膜层 541一般材料的非晶化（非薄膜） 542非晶的定义 543非晶薄膜 544非晶Si膜的多晶化 55薄膜的基本性质 551电导 552电阻率的温度系数（TCR） 553薄膜的密度 554时效变化 555电解质膜 56薄膜的内部应力 57电致徙动 本章小结 参考文献 第6章薄膜的制备方法 61绪论 62源和膜的组分如何获得希望的膜的组分 621蒸发和离子镀 622溅射法 63附着强度 631前处理 632蒸发时的条件 633蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况） 634蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况） 64台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备 65高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA） 66等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用 661等离子体 662等离子体的产生方法 663基本形式和主要用途 67基板传送机构 68针孔和净化房 参考文献 第7章基板 71玻璃基板及其制造方法 72日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长 73单晶提拉法熔融液体中的晶体生长 731坩埚中冷却法 732区熔法（ZoneMelting，FlotZone,FZ法） 733旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski,CZ法） 74气相生长法 741闭管中的气相生长法 742其他气相生长法 75石英玻璃基板 76柔性基板（Flexible） 参考文献 第8章蒸镀法 81蒸发源 811电阻加热蒸发源 812热阴极电子束蒸镀源 813中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源 82蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置 83实际装置 84蒸镀时的真空度 85蒸镀实例 851透明导电膜In2O3SnO2系列 852分子束外延（MBE） 853合金的蒸镀闪蒸 86离子镀 861离子镀的方式 862对薄膜的影响 87离子束辅助蒸镀 88离子渗，离子束表面改性法 89激光烧蚀法（PLA） 810有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀 参考文献 第9章溅射 91溅射现象 911离子的能量和溅射率，出射角分布 912溅射率 913溅射原子的能量 92溅射方式 921磁控溅射 922ECR溅射 923射频溅射 93大电极磁控溅射 94“0”气压溅射的期待超微细深孔的嵌埋 941准直溅射 942长距离溅射 943高真空溅射 944自溅射 945离子化溅射 95溅射的实例 951钽（Ta）的溅射 952Al及其合金的溅射（超高真空溅射） 953氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜 954磁性膜的溅射 955光学膜的溅射（RAS法） 参考文献 第10章气相沉积CVD和热氧化氮化 101热氧化 1011处理方式 1012热氧化装置 1013其他氧化装置 102热CVD 1021主要的生成反应 1022热CVD的特征 1023热CVD装置 1024反应炉 1025常压CVD（NormalPressureCVD,NPCVD） 1026减压CVD（LowPressureCVD,LPCVD） 103等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD,PCVD） 1031等离子体和生成反应 1032装置的基本结构和反应室的电极构造 104光CVD（PhotoCVD） 105MOCVD（MetalorganicCVD） 106金属CVD 1061钨CVD 1062AlCVD 1063CuCVD 1064金属阻挡层（TiNCVD） 107半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD） 108高介电常数薄膜的CVD 109低介电常数薄膜 1010高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD） 1011游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD） 参考文献 第11章刻蚀 111湿法刻蚀 112等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀） 1121原理 1122装置 1123配套工艺 113反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀） 1131原理和特征 1132装置 1133配套工艺 1134Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀 114大型基板的刻蚀 115反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀