2013硅材料试题修正版.docx

20142015学年度第一学期光伏 专业 硅材料检测期末模拟试题卷三题1一般X射线大致具有的性质感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强，X射线的折射率近似等于1，衍射作用。2氧和碳在硅晶体中都呈螺旋纹状分布 。3自然界存在的水(江水，河水，湖水)称为天然水 。4目前国内外导电类型测量有两种温差电动势法，整流效应法。5电阻率是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。6四探针法测试，C的大小取决于四探针的排列方式和针距。7非平衡载流子的寿命，就是反映复合强弱的参数。8目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，瞬态法(直接法)，稳态法(间接法)。9快速腐蚀时一般不受光照影响，而慢速腐蚀时光照影响比较大。10半导体晶体缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。11电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点，腐蚀面为镜面，这是漩涡花纹和电阻率条纹最重要的区别。12金相显微镜光学系统，照明系统，机械系统几部分构成。13硅单晶的导电类型是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。14导电类型测量的具体方法冷热探笔法，三探针法，四探针法，15在晶体学上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为晶胞，它构成体的最小单位。16晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距，晶面指数最低的晶面总是具有最大的晶面间距。17当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相撞时，都会产生X射线。18目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法红外吸收法。19光电导衰退法是目前应用最广的方法，它有高频光电导和直流光电导之分。20测出的就是点接触外表面的导电类型。要求表面无反型层，无氧化层，清洁无油污。21硅半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。22半导体材料的电阻率与载流子的浓度，以及载流子迁移率有关。一题 用冷热探笔法测量 半导体时，冷端带正电，热端带负电。 （A ）P型 .N型 .PN型 .以上皆不是是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。（D）点缺陷 线缺陷面缺陷 微缺陷3.光图定向法结果直观，操作，误差。（A）简单较大 复杂较大简单较小 复杂较小4.悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间左右。（D）5.失效表明离子交换树脂可供交换的大为减少。（C）和6.下列哪一项不是天然水的三大杂质？（B）悬浮物质 挥发物质胶体物质 溶解物质7.射线定向法的误差可以控制在范围内，准确度高。（B）8.直拉单晶中氧含量头部和尾部相比 。 （A ）A.较高 B.相同 C.较低 D.无法判断9.硅单质是_A_。 A半导体 B导体 C绝缘体 D以上都不是 10.只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是( C )。 A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷11.下列是晶体的是_B_。 A玻璃 B硅 C松香 D塑料 12.晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是( A )。 A固相生长 B液相生长 C气相生长 13.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在( D )以上。 A90% B92% C95% D97% 14.对于铸造多晶硅氧浓度越_，钝化效果越_，少数载流子寿命增加越_. () A低，好，多 B 低，好，少 C低，差，多 D高，好，多 15.在工业生产中广泛用的是_C_。 A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗 16.下列说法错误的是(A)。 A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 D.增大坩埚内径与晶体直径的比值17.将单晶划分为平P型和N型两大类，P型单晶多数载流子是，N型单晶多数载流子是。A空穴 电子 B 电子 电子 C电子 空穴 D 空穴 空穴 答案A18.光导电衰退法是用来测量寿命的，目前应用最广范的方法有C和。A高频光电导 低频光电导 B直流光电导 分流光电导C高频光电导 直流光电导 D低频光电导 分流光电导 答案C19.在电化学腐蚀中，没有外加电源则称为，有外加电源则称为。A 电化学腐蚀 电化学侵蚀 B 电解腐蚀 电化学腐蚀 C 电化学腐蚀 电解腐蚀 D电解腐蚀 电化学腐蚀 答案C20.在位错密度测试时我国国家标准中规定我位错密度在104个/cm2以下者，采用的视场面积。在104个/cm2以上者采用的视场面积。A 1mm2 0.4mm2 B 0.4mm2 1mm2 C 0.2mm2 0.4mm2 D 1mm2 0.2mm2 答案D21.近年来，一半以上的太阳能电池使用的是用铸造法制造的基片。A单晶硅 B多晶硅 C CIGS D CIS 答案C22目前单晶硅太阳电池的实验室最高转换效率为。A 10.5% B 24.7% C 15% D 20% 答案B23.硅在300K时的晶格常数a为5.43。请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。A2.33g/cm3 B 5.33g/cm3 C 4.21g/cm3 D5.21g/cm3 答案A 24太阳能级硅的固态和液态的密度分别。A 5.31g/cm3 5.11g/cm3 B 3.33g/cm3 3.57g/cm3 C 2.33g/cm3 2.53g/cm3 D 1.11g/cm3 1.37g/cm3 答案C25、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（ ） 答案：D A、氧 B、硼 C、温度 D、湿度 26、下列属于单晶硅片的一般形状（ ） 答案：A A.方形 B.三角形 C.圆形 D.梯形 27、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转 过高，会导致固液界面的形状（ ） 答案：A A、形状太 凹 B、形状太 凸 C、过于平整 D、无变化 28、固相晶 化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（ ）摄氏度以上 进行常规热处理。 答案：D A.300 B.400 C.500 D.600 29、正常凝固是最宽 熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（ ） 答案：B A、能 B、不能 C、不确定 D、有时可以，有时不可以 30、通过（ ）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。 答案：A A、温度场 B、磁场 C、重力场 D、电场31、影响单晶 内杂质数量及分布的主要因素是：A 原材料中杂质的种类和含量； 杂质的分凝效应； 杂质的蒸发效应； 生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污； 加入杂质量； A. B. C. D. 32、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率_A_。 A.上升 B.下降 C.不变 D.不确定 33、制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是_A_。 A.汽-固 B.液-固 C.固-固 D.汽-液 34、测量硅中氧浓度常用的方法是_D_。 A.带电粒子活化法 B.熔化分析法 C.离子质谱法 D.红外光谱分析法 35、 在设计合理的生长系统时，其驱动力场满足的要求中。晶体-流体界面附近_B_。 A.负相变驱动力，g0 B.负相变驱动力，g0 C.正相变驱动力，g0 36、原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距_而迅速地_A_。 A.增加 减小 B.减小 减小 C.增加 增加 D.不确定 37、下列铸造多晶硅的制备方法中，_C_没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。 A.布里曼法 B.热交换法 C.电磁铸锭法 D.浇铸法 38、下列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是_B_。 A.加热 B.化料 C.晶体生长 D.冷却 39、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是_B_。 A.上部和边缘部分 B.中部和边缘部分 C.上部和底部 D.底部和边缘部分 40、在制备多晶硅薄膜时，要调整工艺参数，使得多晶硅的晶粒_,晶界_B_。 A.尽量大 尽量大 B.尽量大 尽量小 C.尽量小 尽量小 D尽量小 尽量大41.硅元素的原子序数是（B） A.13 B.14 C.15 D.16 42.一下哪一种属于金刚石结构（A） A.Si B.Cu C.Fe D.Al 43.下列不属于工业吸附要求的是（C） A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵 D.容易再生 44.下列不属于三氯氢硅性质的是（C） A.无色透明 B.易燃易爆 C.不易挥发和水解 D.有刺激性气味 45.半导体工业所用的硅单晶（C）是用CZ法生长的。 A.70% B.80% C.90% D.60% 46.下列与硼氧复合体缺陷无关的是（D） A.氧 B.硼 C.温度 D.湿度 47.下列属于单晶硅片的一般形状（A） A.方形 B.三角形 C.椭圆形 D.梯形 48.下列不属于非晶硅优点的是（C） A.制备方法简单 B.工艺成本低 C.制备温度高 D.可大面积制备49、不是直拉法生长单晶硅纵向电阻率均匀性的控制的是： ( B ) A、稀释溶质 B、调平固液界面 C、变速拉晶 D.以上都不是50、晶棒切割不受制于刀片的厚度的是： ( A )A、多线切割 B、内圆切割 C、外圆切割 D.以上都不是51下列是半导体的是_A_。 A硅 B金 C木头 D水 52.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（D） A.弗伦克尔缺陷 B.肖特基缺陷 C.位错 D.层错 53 下列是非晶体的是_D_。 A锗 B硅 C铜 D塑料 54.其中不属于多晶硅的生产方法的是（C） A.SiCl4法 B.硅烷法 C.直拉法 D.西门子改良法 55在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在_D_以上。 A90% B92% C95% D97% 56. 硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是（B） A0.2V B0.7V C-0.2V D-0.7V 57.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？（B） 籽晶熔接引晶和缩颈等径生长收晶 A B. C. D. 58.关于光生伏特效应叙述中错误的是（C） A.用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结； B.p、n区都产生电子空穴对，产生非平衡载流子； C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡； D.非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散； 59. 电阻率的测量接触法有_C_。 A四针接触法，电容耦合发 B拓展电阻法，电感耦合法 C 四针接触发，拓展电阻发 D电容耦合法 ，电感耦合法 60.下列关于硅的说法不正确的是（ C ） A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体 B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料 C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应 D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应61.太阳能级硅材料要求纯度在（c） A.90% b.90%95% c.99.99%99.9999% d.99.9999% 以上 62.参杂硼元素的半导体是 a A.p型半导体 b.本征半导体 c.N型半导体 d.pn结 63.单晶硅与多晶硅的根本区别是 b A.纯度 B.原子排列方式 c.导电能力 D.原子结构64.半导体工业所用的硅单晶（C）是用CZ法生长的。 A.70% B.80% C.90% D.60% 65.下列不属于工业吸附要求的是（C） A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵3、在室温下，非简并Si中电子扩散系数D与有如下图 （ ） 所示的最恰当的依赖关系： 67.金刚石的配位数是 （d）A. 12 B. 8 C. 6 D. 4 68、下列不属于工业吸附要求的是（ c ）。 A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵 D.容易再生 69、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（ d ）。 A、氧 B、硼 C、温度 D、湿度 70、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（ a ）。 A、形状太凹 B、形状太凸 C、过于平整 D、无变化 71.参杂硼元素的半导体是 （ A ） Ap型半导体 B.本征半导体 C.N型半导体 D.pn结 72. 下列不属于三氯氢硅 性质的是（ C ）。 A、无色透明 B、易燃易爆 C、不易挥发和水解 D、有刺激性气味 73.下列不属于工业吸附要求的是（ C ）。 A.具有较大的内表面，吸附容量大 B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀 C.不易得，昂贵 D.容易再生 74.下列与硼氧复合体缺陷无关的是（ D）。 A、氧 B、硼 C、温度 D、湿度 75.尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（ A ）。 A、形状太凹 B、形状太凸 C、过于平整 D、无变化 76. 通过（ A ）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。 A、温度场 B、磁场 C、重力场 D、电场 77. 硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ） A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 78.单晶硅与多晶硅的根本区别是 ( B ) A.纯度 B.原子排列方式 c.导电能力 D.原子结构 79. 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（ ）摄氏度以上进行常规热处理。 A、300 B、400 C、500 D、600 80. 如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（A） A.1/(NA-ND)ep B.1/(NA-ND)e C.up/(NA-ND)e D.1/(NA+ND)ep 二题 判断卷模拟1 用冷热探笔法测量p型半导体时，冷锻带正电。 （正确）2金相显微镜有光学系统和照明系统两部分组成。 （错误）3 从微观上看，漩涡缺陷与位错腐蚀坑没有区别。 （错误）4 x射线简单的说，就是一种电磁波。（正确）5 纯水并非只是纯水，而是分为纯水和超纯水两部分。 （错误）6氧和碳在硅晶体中分布是一样的，都是呈螺旋状分布的。 （正确）7 只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷的是点缺陷。 （正确）8 半导体晶体的化学腐蚀处理本质是电化学的过程。（正确）9光电导衰退法也叫高频光电导法，其优点是可以测量很短的寿命。 （错误）10晶体的导电类型分为温差电动势法和冷热探笔法。 （错误） （王笑） 第1页11用四探笔法测量电阻率时可选用地输入阻抗的电压表测量电压降。 （错误）12 非平衡载流子的寿命z，是反映复合作用的倍数。 （正确）13择优性质是指晶体的某些晶面优先受到腐蚀。 （正确）14点缺陷包括空位 填隙原子 络合体和位错。 （错误）15显示（100）面位错时选%10Cr03水溶液：HF=1:1的腐蚀液，该腐蚀液反应充分，择优性好。 （错误）16由于晶体中掺入了大量杂质元素，引起晶格畸变，腐蚀速度增大。 （正确）17热氧化炉开启顺序：墙壁电路总闸热偶电源保护开关加热开关。 （错误）18符号“（）， ”在晶体力学中，分别是指晶面 和晶面族。 （正确）19在替位碳的性质是 非简谐振动。 （正确）20原生的晶体中如果有位错缺陷时，就没有漩涡缺陷的存在。 （正确） （刘娇）第2页1在漩涡缺陷是晶体的重要缺陷，它是指原生微缺陷，一般呈条纹状分布。 （错误）2在晶体位相中，（100）面位错显示时间比（111）面短。 （错误）3在任何晶体中，某一晶面（h k l）和相应指数（u v w）的晶向都是相互垂直的。 （错误）4具体同一种形式的所有晶面成为晶体学的等效面，他们具有不同的物理性质。 （错误）5光图定向法，就是通过光照反射成像的原理，来反映晶体生长方向的方法。 （正确）6 x射线是高速运动的粒子与金属物相碰撞时 产生的，它有很强的穿透力，原因是其波长很短 能量易集中。 （正确）7布 喇 格定律反映的是x射线的衍射方向，布喇格定律就是 sin =n/2d。 (错误)8 荧光作用 电离作用都是检测x射线的重要方法，除此之外红外光谱法也可以测。 （错误）9 在晶格立方系中，d表示晶面指数为h k l的晶面间距。 （正确）10在x射线的防护措施中，对于大型x设备，x射线管和控制设备分别放在两间房间里，是重要的防护措施也是人们经常使用的一种方式。 （正确） 第3页11布喇格定律除了满足2dsin=n以及入射角等于反射角外，还需要满足其他的条件。 （正确）12在x射线检查中，电离作用是利用x射线或其他气体的电离作用，来检测x射线的存在及其强度的。 （正确）13用X射线形貌技术检查晶体或器件中的缺陷时，不需要破坏样品，样品经检查后可继续使用。 （正确）14 p型半导体中多数载流子是自由电子，它主要是依靠自由电子来导电的。 （错误）15 在包括室温在内的常温范围内，半导体的电阻率随温度的升高而上升。 （正确）16 光电导衰退法有高频光电导和直流光电导之分。（正确）17空穴是最简单的点缺陷。 （正确）18冷热探笔法主要是用电阻率较高的样品，对高电阻的样品很灵敏。 （错误）19在晶体中任何一条穿过许多结点的直线的方向，称为晶向。 （正确）20先用化学腐蚀法来显示晶体中的缺陷和晶向，再用金相显微镜观察测定，这种方法是我们常用来测量晶体的方法。 （正确） 四题论述题1.用冷热探笔法测量P型半导体时,为什么冷 端带正电,热端带负电? 答: 样品为P型材料,载流子的热运动速度与温度有关,热区的空穴热运动速度大,冷区的空穴热运动速度小。因此,热端向冷端运动的空穴将比反向运动的空穴多,这样产生了空穴热运动的扩散流。热运动扩散流把一部分空穴的热端带到冷端,于是热端空穴比平衡浓度低,而冷端则出现多余的空穴,其结果形成了冷热两端电荷的积累,热端缺乏电荷带负电,冷端积累了电荷带正电。2.从微观上看,漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别? 答: 漩涡缺陷: 微观上漩涡条纹由大量的浅蚀坑组成。是条纹处出现密集的平底浅坑单晶或腐蚀小丘单晶。 位错缺陷: 它属于线缺陷,一般称为位错线。位错线有一定的长度, 它的两端必须终止与晶体的表面上,也可以头尾自己相接构成位错环。 3.X射线衍射与光反射的区别? 答: 光反射 光在两种物质分界面上改变传播方向又返回原来物质中的现象， 叫做光的反射。 X射线的衍射 X射线是一种波长很短(约为200.06埃)的电磁波，能穿透一定厚度的物质，并能使荧光物质发光、照相乳胶感光、气体电离。在用高能电子束轰击金属“靶”材产生X射线，它具有与靶中元素相对应的特定波长，称为特征（或标识）X射线。4.X射线是如何产生的,并带有什么样的性质? 答:当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相碰撞时,都会产生X射线。X射线也是一种电磁波,本质上与可见光,无线电波相同,但波长短得多,一般来说X射线有如下性质: 1.感光作用 2. 荧光作用 3.电离作用 4. 穿透能力强 5. X射线的折射率近似等于1 6.衍射作用 5. 为什么电化学腐蚀会产生电位差?它的原因是什么? 答: 电化学腐蚀是指金属或半导体材料在电解质水溶液中所受到的腐蚀,被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差,构成正极和负极。电极电位低是负极,电极电位高是正极,负极被腐蚀溶解。6.半导体单晶中有哪些缺陷? 微观缺陷: (1) 点缺陷 【空位,填隙原子,络合体,外来原子】(2)线缺陷 (3) 面缺陷 (4) 杂质沉淀 宏观缺陷: (1) 小角度晶界和系属结构 (2) 位错排与星形结构 (3) 杂质析出和夹杂物7.红外吸收法测硅晶体碳氧含量的原理? 答: 用红外吸收法测碳、氧含量时所测得的碳氧含量不是单晶中的总氧和总碳含量,对氧来说,测得的是晶格中的间隙氧,对于碳氧来说则是晶格中的替换碳。五 简答题1. 冷热探笔法测试硅单晶的原理是什么?答;温差电动势法,温差电流法.2测试非平衡少数载流子数目的方法?答;(1)瞬态法,也称稳态法,这类方法有光电导衰退法(2)稳态法,也称间接法,这类方法主要有扩散长度法和光磁法.3光电导衰退法分为哪几种?都有什么优点?答:可分为高频光电导和直流光电导；高频光电导的优点，无须切割成一定的几何形状，样品较少受到污染，测试方法简单，得到广泛应用。直流光电带衰退法的优点，测量精度高。测量下限比高频光电衰退法低。4单晶半导体中的缺陷都有哪些?答：微观缺陷：点缺陷，残缺陷，杂志缺陷。宏观缺陷：小角度晶界和系属结构，位错排与星形结构，杂质析出与夹杂物。5影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？ 答：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅拌的影响、光照的影响。6位错的面密度是如何计算的？答：1位错的体密度Nv=VL2位错的面密度No=SN7从微观上看，漩涡缺陷与位错蚀坑有什么区别？答：漩涡缺陷是浅的平底坑，显微镜下呈白亮的芯，而位错蚀坑是深的尖底坑，显微镜下呈黑三角形。8金相显微镜的构成？答：由光字系统，照明系统，机械系统三部分组成。9高纯水的测量方法有哪些？有什么优点？答:1静置测量法优点，简单，灵活性大，便于移动。 2流动测量法的优点，测量准确性高，可连续测量，应用广泛。10x射线性质都有哪些？答：感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强。x射线的折射率近视于1，衍射作用。11x射线的产生？答:当任何一种高速运动的带电粒子与一块金属物质相碰撞时，都会产生x射线。12简述光图定向的基本原理。 答;当平行光入射到处理后的硅单晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶体的光像。根据晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，可以确定晶体的生长方向和晶体的晶向偏离角度。13测定晶体取向的方法？答：1从晶体外观判断2根据单晶棱线的位置3依据解理面或碎裂面4根据腐蚀坑的形态确定14X射线的衍射和可见光的反射有什莫不同？答:1x射线的衍射仅有一定数量的入射角能引起衍射,而可见光可在任意的入射角反射2x射线被晶体的原子平面衍射时，晶体表面，晶体内原子平面都参与衍射作用，而可见光仅在物体表面产生反射。15.影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？ 答：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅拌的影响、光照的影响。16缺陷显示的意义？答：显示漩涡缺陷，检测体层错，位错，晶体原有的滑移，掺杂剂或杂志浓度周期性变化形成的电阻率条纹等。17直流四探针发测量电阻率的基本原理是？答：当四根金属探针排成一条线，并以一定压力在半导体材料上，在1、4两根探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。18影响硅单晶电化学腐蚀速度的因素有哪些？ 答：腐蚀液的成分、电极电位、缓冲剂的影响、腐蚀处理的温度和搅拌的影响、光照的影响。19半导体单晶中的点缺陷包括什么？ 答：空位、