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化学论文范文 篇一：化学论文 半导体制程用湿式化学品的发展趋势 王钊 航天学院自动化3班1110410315 电话箱：wangzhao19920413163. 摘要：半导体产业经过近十余年来产,官,学界的努力,已跃升成为全球第四大IC生产国,未来更有多座十二吋晶圆新厂将陆续投入,包括晶圆代工,记忆体,ASIC等不同半导体产品制造之领域.而因应半导体工业制造的需求,高精密湿式化学材料也伴随之快速发展.本文将就化学材料中具关键代表性之高纯度化学药品在半导体制程应用及发展趋势,分别作一介绍. 关键词:湿式化学品;湿式清洗;化学气相沉积;化学机械 微粒子的污染一般来自制程用中所使用的超纯水,气体及化学品,以及机台,晶舟甚至是制程线上的人员.藉由静电,凡得瓦尔力,毛细管现象或化学键而吸附於晶圆表面,或者陷入晶圆表面细微凹凸而生成的沟渠之中.金属不纯物主要来自於离子植入,乾式蚀刻及光阻灰化时,因离子撞击机台内壁所造成;另外制程环境及化学品与化学品容器本身,也是可能的污染来源之一.有机污染物则多来自光阻的残留物,另外墙壁的油漆,帮浦的机油,塑胶容器以及作业员的身体及衣物也都是可能的来源.自然生成氧化层肇因於晶圆表面暴露於空气或水中的溶氧,而氧将晶圆表面的矽氢键(SiH)氧化成为羟基(SiOH),或是将矽氧化成为二氧化矽所生成,其中反应的速率与溶氧浓度即浸泡时间有关.最后,晶圆表面的微粗糙一般来自於洁净制程中SC1的制程,并与清洗溶液中氨水及双氧水的混和比例,制程温度及洗净时间有直接的关联. 湿式化学品清洗机制 NH3H2O/H2O2/H2O(SC1,APM): 利用氨水的弱碱性活化矽晶圆及微粒子表面,使晶圆表面与微粒子间相互排斥而达到洗净的目的;双氧水也可将矽晶圆表面氧化,藉由氨水对二氧化矽的微蚀刻达到去除微粒子的效果.另外氨水与部分过渡金属离子易形成可溶性金属错合物,也可同时去除部分金属不纯物.一般的APM制程是以NH3H2O:H2O2:H2O=0.051:1:5的体积比在70下进行,由於氨水的沸点较低且APM步骤容易造成表面微粗糙的现象,因此氨水与双氧水浓度比例的控制在所有洗净制 程中最为困难,却也是影响制程良率的关键. HCl/H2O2/H2O(SC2,HPM): HPM步骤在金属杂质的去除上扮演重要的角色.由於一般的金属氯盐皆可轻易的溶於水中,因此HPM制程利用双氧水氧化污染的金属,再以盐酸与金属离子生成可溶性氯化物而溶解.制程中最常使用的是HCl:H2O2:H2O=1:1:6的体积比,在70下进行510分钟的清洗.H2SO4/H2O2(SPM,PiranhaClean,CaroClean): 主要是在清除晶圆表面的有机物.利用硫酸及双氧水生成的卡罗酸,其强氧化性及脱水性可破坏有机物的碳氢键结,而达到去除有机不纯物的目的.在操作上常以H2SO4:H2O2=24:1的体积比,在130的高温下进行1015分钟的浸泡. HF/H2O(DHF)或HF/（NH）4F/H2O2(BHF): 应用於清除矽晶圆表面自然生成的氧化层,可使用稀释后的氢氟酸(0.49%2%)或是以氢氟酸与氟化铵所生成的缓冲溶液HF/NH4F=1:200400,在室温下进行1530秒的反应. 为了防止水分中的溶氧再次与刚洗净的矽表面反应,洗净最后会再以异丙醇来做乾燥,并且可同时避免在晶圆表面留下水痕. 近几年来,许多乾式的清洗的方程式被相继的提出,包括日本东北大学Ohmi教授所提出之新式清洁流程,或是利用气态的盐酸及氢氟酸来取代湿式的制程;但目前都仅限於部份制程的应用,尤其乾式清洗对许多重金属的清洗仍未能有效去除,因此湿式洗净用的化学品在未来仍将扮演著重要的角色. 微影用高纯度化学品 微影制程的发展决定了积体电路代表性的指标元件线宽大小,因此光阻材料成为IC制程中十分关键的材料.黄光步骤包含去水烘烤,黏著层涂布,光阻涂布,去边,软烤,曝光,烘烤,显影及硬烤等步骤,其中所使用的关键材料如表五所示,包含有光阻,光阻稀释液及显影剂等. 表五,黄光区微影制程使用之化学品 光阻 半导体制程所使用的光阻主要是由树脂,感光剂及溶剂所组成,其中树脂主要功能是做为蚀刻或离子植入时的阻障层;感光剂的部分则是照光后反应成易与显影剂反应的化合物,以利显影制程进行;溶剂用来使树脂及感光剂均匀的分散,让光阻涂布制程得以顺利进行.依光源的不同,光阻剂可分为Gline(436nm),Iline(365nm)与深紫外线DeepUV(193248nm)三大类;深紫外线光阻剂与一般Gline,Iline的光阻剂最大差异在於,使用Gline,Iline光阻在曝光之后,即可直接进入显影制程,而深紫外线光阻则必须再经过化学增幅法,才能进行显影. Gline光阻剂随著机器之汰换而退出半导体制程,再加上Iline光阻剂的应用临界在0.3m线幅制程,而国内半导体业者已进入0.25m线宽以下制程;因此近几年我国半导体工业在光阻剂的使用,已经从Gline,Iline的光阻,进入到曝光波长更短的的深紫外线领 域.如何在有限的晶圆上布植更多电路图案,惟有追求更细微的线宽,并朝向愈短曝光波长发展.未来进入0.13m甚至0.09m线宽制程,有赖於开发193nm深紫外线光阻剂.而随著线宽朝向下一新世代发展,预估未来光阻材料将由157nm光阻剂接班. 光阻稀释液 光阻乃是经由旋转涂布程序而在晶片上形成薄膜,但经常会在晶片边缘形成珠状残余物(EdgeBead).此晶圆残余光阻若不予以清除,将有可能会污染晶舟及其他晶圆表面,或甚至影响到曝光的效果;因此在显影前必须使用光阻稀释液,将晶圆残余光阻清洗乾净.目前工业上较常使用之光阻稀释液包括PO类的溶剂,例如VP3,PGMEA,PGME;乳酸盐类如EthylLactate及酮类或酯类如MethylEthylKetone,nButylAcetate等;其中以PGME及PGMEA混和的PO溶剂最被业界广泛接受,然一般光阻稀释液都有低燃点及高毒性的缺点,新一代开发的稀释液如PGMEP等具有低毒性及较高闪点的优点,将可改善黄光区化学品对人体及环境安全的危害. 显影剂 光阻材料在经过曝光过程之后,须再经由显影过程将曝光的图案显现出来,而显影制程之原理,是利用碱性的显影液与经曝光之光阻层部份进行酸碱中和反应,使其与未经光阻层结构部份形成对比而达到显像效果.在以往显影剂为稀释的氢氧化钠,氢氧化钾,碳酸钠或碳酸钾等水溶液,但由於钠,钾金属离子可能会对元件造成污染,近年半导体制程来已逐渐改用稀释的有机碱溶液取代,如氢氧化四甲基铵(TMAH)溶液或氢氧化四乙基铵(TEAH)等,并在显影剂中添加消泡剂及界面活性剂,以达到最好的润湿及显影效果. 蚀刻用湿式化学品 湿式蚀刻技术的优点在於其制程简单,成本低廉,蚀刻选择比高且产量速度快,而由於化学反应并无方向性乃是属於一种等方向性蚀刻.湿式蚀刻的机制,一般是利用氧化剂将蚀刻材料氧化,再利用适当的酸将氧化后的材料溶解於水中.另外,为了让蚀刻的速率稳定并延长化学品使用时间,常会在蚀刻液中加入介面活性剂及缓冲溶液来维持蚀刻溶液的稳定.一般而言,湿式蚀刻在半导体制程可用於下列几个材料: 二氧化矽层蚀刻 以氢氟酸及氟化铵(HF/NH4F)所形成之缓冲溶液来蚀刻二氧化矽层,化学反应式如下:SiO2+4HF+2NH4F(NH4)2SiF6+2H2O 利用氢氟酸来蚀刻二氧化矽层的机制中,决定蚀刻速率的是HF2的浓度,若HF浓度保持固定且缓冲溶液中NH4F能提供大量的之F,蚀刻速率就可保持稳定.同时为了提高反应的均匀性以及对晶圆的润湿性,一般在缓冲溶液中还会再加入少量的界面活性剂,来帮助化学品接触疏水性的矽晶圆表面,同时也可改善蚀刻后晶圆表面的粗糙度.而影响蚀刻率之因素则包括: SiO2层之型态:结构较松散(如:自然生成氧化层),蚀刻速率较快. 反应温度:温度升高,蚀刻率加快. 缓冲溶液之混合比例:其中HF比例愈高,蚀刻率愈快. 多晶矽层蚀刻 在目前制程上多使用硝酸(HNO3),氢氟酸(HF)及醋酸(CH3COOH)三种成份之混合溶液来蚀刻多晶矽,其制程原理包含二道反应步骤: Si+4HNO3SiO2+2H2O+4NO2 SiO2+6HFH2SiF6+2H2O 先利用HNO3之强氧化性将多晶矽氧化成为SiO2,再由HF与SiO2反应生成可溶性的矽氟酸,而其中CH3COOH则扮演类似缓冲溶液中H+提供者的角色,使蚀刻率能经常保持稳定.其中硝酸及氢氟酸的比例是影响蚀刻浓度的关键. 氮化矽层蚀刻 一般多使用85%的磷酸(H3PO4)在160170之间做氮化矽层的蚀刻,化学反应式如下:Si3N4+4H3PO4+10H2OSi3O2(OH)8+4NH4H2PO4 值得一提的是,以热磷酸对氮化矽及二氧化矽的蚀刻选择比大於20:1,且於蚀刻率约为60埃/分钟. 铝导线蚀刻 铝常在半导体制程中作为导电层材料,湿式铝层蚀刻可使用多种无机酸碱来进行,而已硝酸,磷酸及醋酸之混合溶液其蚀刻速率最为稳定,目前被广泛运用在半导体制程中.主要之制程原理是利用硝酸氧化铝金属层之后,在与磷酸形成磷酸铝溶於水中:2Al+6HNO3Al2O3+3H2O+6NO2 Al2O3+2H3PO42AlPO4+3H2O 其他金属蚀刻 随著半导体制程技术的不断演进,许多金属导线及阻障层都将被新的全新的金属材料所取代.因此,湿式蚀刻的发展也必须跟著不断地进步.下表六针对一些未来半导体制程可能使用的金属蚀刻液作一整理. 金属 蚀刻溶液 蚀刻溶液TiN,Ti,W NH4OH/H2O2/H2O(1:1:5)TaNx HF/H2O2(1:2) Cu HNO3/CH3COOH/H2O(1:20)GaAs NH4OH/H2O,H3PO4/H2O2,Organicacids Mo H3PO4/HNO3/CH3COOH Cr Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3orHclO4 Au KI/I2/H2O ITO HNO3/HCl,HBr,Organicacids Ni/V HNO3/CH3COOH 表六,金属与相对蚀刻溶液 晶背蚀刻 当晶圆代工及记忆体制程进入12吋的单片制程(SingleWaferProcess)的领域,晶背的污染不容易在蚀刻的同时被清洗乾净,因此晶背蚀刻(BacksideEtching)就非常重要.由於晶背表层常包含了各类PVD,CVD,电镀或光阻所残余的材料如二氧化矽,多晶矽,有机物,金属,氮化矽等,因此湿式晶背蚀刻液必须由多种无机酸类组成,包括H3PO4,HNO3,H2SO4及HF等,如此才能有效的去除复杂之晶背表层的结构. 光阻剥离 无论乾式或湿式蚀刻之后,紧接著是必须做光阻剥离(Stripping)的制程,将图案转移(Patterning)用的光阻加以去除.在半导体制程中通常使用两种去除光阻材料之方法,一为湿式去光阻法,另一则为乾式去光阻法.湿式去光阻法,是利用有机溶液将光阻材料溶解而达到去光阻之目的,所使用之有机溶剂如丙酮(Acetone),NMethylPyrolidinone(NMP),DimethylSulfoxide(DMSO)或是Aminoethoxyethanol等具有溶解大量光阻的特性;另一方法则可以使用无机溶液如硫酸和双氧水的混和溶液(SPM),此方法虽然制程成本较低,但因容易造成金属薄膜的腐蚀,目前仅有部份记忆体制程仍持续使用.乾式去光阻法则是使用氧气或其电浆将光阻加以灰化(Ashing). 化学气相沉积制程用化学品 化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)是一种经由高温气化分解反应后将单种或多种气相分子沉积於固相基板之半导体薄膜制程,而许多液相之先趋性化学品(Precursor)也广泛地应用在下列两种CVD制程中: 1.介电材料CVD制程用先趋性化学品 最常见之介电材料CVDPrecursor包括下列两种: SiO2CVD:TetraEthylOrthoSilicate(TEOS) BPSGCVD:TriMethylBorate(TMB)及TriMethylPhosphite(TMPI) TEOS在低压操作环境加热至650750集会产生下列分解反应,产生SiO2气相分子 篇二：化学毕业论文范文 中文摘要： 乙酰甲喹是一种广谱高效低毒的兽药受到人们的广泛应用其在动物体内的主要代谢产物为和这是一对同分异构体为了更加透彻的了解乙酰甲喹在动物体内的代谢作用情况我们就要研究其主要代谢产物在合成1单氧乙酰甲喹和4单氧乙酰甲喹后得到RF值不同的两个代谢产物由于其是同分异构体难以区分本文就以为理论基础利用根据Balandina（TetrahedronLetters45()40034007）及Timmons（J.Org.Chem.,73,91689170）等人的研究应用化学软件计算1单氧乙酰甲喹和4单氧乙酰甲喹的核磁数据并与实验值进行比较分析得到区分这一对单氧乙酰甲喹的方法 关键字：1单氧乙酰甲喹4单氧乙酰甲喹同分异构体计算化学Gaussian03核磁 英文摘要： Mequindoxisabroadspectrum,highefficiency,lowtoxicityofveterinarydrugs,widelyusedbypeople.Theinvivoandthemajormetabolite,whichisapairofisomers.FormorethoroughunderstandingofMequindoxmetabolisminvivosituation,wewillstudythemajormetabolite.Inthesynthesisof1desoxymaquindoxand4desoxymaquindox,gottwodifferentRFvaluesofmetabolites,becauseofitsisomersisdifficulttodistinguish.Inthispaper,thatthetheoreticalbasisforthestudiesofBalandina(TetrahedronLetters45()40034007)andTimmons(J.Org.Chem.,73,91689170),applicationofchemicalsoftwaretothecalculate1desoxymaquindoxand4desoxymaquindoxNMRdata,andparedwithexperimentaldataanalysis,toassignedtheapproachthatdistinguishthiscoupleofdesoxymaquindoxes. 目录 中文摘要?英文摘要?目录?前言?1 1乙酰甲喹药物用途 1.1理化性质 1.2抗菌作用及其机理 1.3临床应用 2计算化学 2.1计算化学的产生 2.2计算化学的发展 2.3计算化学的现状 2.4计算方法 3应用软件Gaussian03 3.1Gaussian03的应用 3.2基组的选择 4.核磁 4.1NMR理论计算研究方法概述 4.2化学位移概述 4.3计算方法及细节 5合成与计算 5.1试剂与仪器 5.2合成步骤 5.3计算方法 分析与结论 参考文献?115致谢?118附录? 前言 1乙酰甲喹药物用途 1.1理化性质 乙酰甲喹化学名为3甲基2乙酰基喹噁啉N14二氧化物为鲜黄色结晶或黄色粉末无臭味微苦遇日光及高温渐变黄在氯仿、苯、丙酮中溶解在水、甲醇、乙醚中微溶溶点：152156熔融同时分解 1.2抗菌作用及其机理 乙酰甲喹对多种细菌、密螺旋体具有较强的抑制作用对革兰氏阴性菌的作用强于革兰氏阳性菌对猪痢疾密螺旋体的作用尤为突出对大肠杆菌、巴氏杆菌、猪霍乱沙门氏菌、鼠伤寒沙门氏菌、变形杆菌的作用较强；对某些革兰氏阳性菌如金葡菌、链球菌亦有抑制作用其作用机理为抑制菌体DNA的合成1 1.3临床应用 乙酰甲喹为治疗猪密螺旋体性痢疾的首选药此外对仔猪黄痢、白痢、犊牛副伤寒、鸡白痢、禽大肠杆菌病等有较好的疗效目前临床上常将乙酰甲喹与其它药物伍用以达到更好的效果 伍用阿托品治疗猪腹泻2:因阿托品是M胆碱受体阻断药作用于内脏平滑肌抑制肠蠕动延长及其他胃肠内容物滞留时间同时阿托品能扩张小血管解除小血管痉挛改善微循环提高神经的兴奋性进而提高病猪机体对乙酰甲喹及营养物质的吸收率加快体制恢复增强抗病力 乙酰甲喹原粉与杆菌肽锌联合治疗猪痢疾3:杆菌肽锌是通用的畜禽专用抑菌促生长药物因其对动物促生长作用明显低残留抗药性小而广泛在动物饲料中添加使用与抗革兰氏阴性药物乙酰甲喹合用具有协同作用 乙酰甲喹与TMP（甲氧苄氨嘧啶）联用治疗鸡白痢沙门氏菌4：TMP(甲氧苄氨嘧啶)能加强磺胺药和某些抗生素的疗效又称为抗菌增效剂单用乙酰甲喹不能有效控制鸡白痢沙门氏菌感 篇三：关于化学论文 浅谈我们身边的化学 随着经济的发展人民生活水平的提高各种各样的食品已经逐渐的飞入寻常百 姓之家而在人们开始享受各种美味食品时食品安全事件频繁发生这严重的影响 到了人们对食品的信任和对食品的购买欲 从三鹿的问题奶粉到上海的“彩色馒头”再到双汇的“瘦肉精”事件?这些 食品安全事件不禁一次次的伤害者千万国民的心让国民脑子中始终紧绷着食品安全 这一根弦而这些食品安全事件却始终和一个重要的角色食品添加剂有着脱不了 的关系本文就重点对食品添加剂进行介绍与分析 一食品添加剂的定义、分类及功能 1、定义 食品添加剂通常是指人们为了改善食品质量和保持或提高营养价值在食品加工 或储藏过程中添加的少量天然或合成的物质根据中华人民共和国食品卫生法的 规定：食品添加剂是指“为改善食品品质和色、香、味以及为防腐和加工工艺的需 要而加入食品中的化学合成或天然物质” 2、分类 食品添加剂按其来源可分为天然的和化学合成的两大类天然食品添加剂是指利 用动植物或微生物的代谢产生物等为原料经提取所获得的天然物质；化学合成的食 品添加剂是指采用化学手段使元素或化合物通过氧化、还原、缩合、聚合、成盐等 合成反应而得到的物质目前使用的大多数属于化学合成食品添加剂 食品添加剂按用途的不同分类我国的食品添加剂使用卫生标准将其分为22 类：防腐剂、抗氧化剂、发色剂、漂白剂、酸味剂、凝固剂、疏松剂、增稠剂、消泡 剂、甜味剂、着色剂、乳化剂、品质改良剂、抗结剂、增味剂、酶制剂、被膜剂、发 泡剂、保鲜剂、香料、营养强化剂和其他添加剂美国FDA规定的有32类欧洲共 同体有9类日本将食品添加剂划分为25类 3、功能 ?能保持食品质量防止食品腐败变质延长储藏期； ?提高食品营养价值改善色、香、味或质地； ?便于食品加工能直接使用也能间接使用 二常见的食品添加剂 1、防腐剂 这是一类在我们生活中十分常见的食品添加剂从那不会烂掉的“泡菜”到那打 开口后放置一星期却也不见发霉的袋装零食防腐剂以其杀死某些微生物或抑制其生 长的作用而被广泛的应用到日常生活之中 食品用防腐剂主要是化学防腐剂分为无机和有机两大类无机类防腐剂主要有 亚硫酸及亚硫酸盐硝酸盐及亚硝酸盐二氧化碳过氧化氢过碳酸钠等有机化 学防腐剂主要有苯甲酸及其盐山梨酸及盐丙酸乳酸脱氢己酸和己酸衍生物 低级脂肪酸单甘油酯聚磷酸盐氨基酸类等 但是在使用防腐剂的同时也存在着安全隐患例如甲醛甲醛的水溶液又称为 福尔马林虽然其不是食品级的防腐剂但在日常生活中人们它来制作动物标本还 用它来浸泡腊肉、海产品（最常见的就是带鱼）、猪血、鸭血等产品浸泡之后不仅 色泽艳丽而且保鲜持久但是它具有强烈的致癌作用并不被人们看好又如硝 酸盐和亚硝酸盐它们在一定的条件和环境下会生成肌色原肌色原也具有致癌的作 用 虽然像上述内容一样防腐剂有一定的安全隐患但是就大多数的防腐剂而言 防腐剂在人体器官中很快被分解或从体内排出去因此在一定的使用浓度范围内不 会对人体赵成显著的伤害 不过在日常生活中我们应尽量少吃含防腐剂的食物多吃一些刚刚做好的、 不加防腐剂的食物那样既能以防万一又能养成良好的生活习惯毕竟人的生命是宝 贵的谁也不敢拿生命开玩笑 2、抗氧化剂 当你所吃剩下的点心或饼干放置一段时间后就会“哈变”而为了防止“哈变” 保持食品品质人们在食品加工过程中通过加入抗氧化剂的方法尽可能地将氧化作 用降低到最低限度 抗氧化剂和防腐剂一样也分为天然和合成两大类天然的如维生素E、L抗坏 血酸、植酸、萝卜红色素等；合成的如特丁基4羟基茴香醚（BHA）、26二特丁基 对甲醚没食子酸丙酯、异抗坏血酸钠等 抗氧化剂不仅在抗氧化方面起着十分重要的作用而且还能防止腌制品中的致癌 物质亚硝胺的形成虽然抗氧化剂家族里有像维生素E一样的天然无害的宝贝而 且基本无害但是过多的摄入一些抗氧化剂也会导致一系列的肠道与皮肤疾病 3、食用色素 这是一类很是常见的食品添加剂其又称为着色剂主要作用是把食品打扮得让 人垂涎欲滴经食品染成一定的颜色从而增加消费者的食欲和购买欲达到经食品卖 出去的目的 常用的食用色素有60多种我国食品添加剂使用卫生标准允许使用的有53 种食用色素按其来源也分为天然食用色素和人工合成食用色素两大类 ?天然食用色素是指天然食物中的色素物质凡是从动植物、微生物原料中提取的 色素称为天然食用色素常见的如胡萝卜素、甜菜红、辣椒红、红曲米、栀 子黄、姜黄素、酱色、高粱红、可可壳色、叶绿素铜钠等 ?人工合成食用色素是指用化学方法合成的可用于食品着色的色素人工合成色素 种类很多但可用于食品着色的安全无毒的并不多我国允许使用的包括胭脂红、 柠檬黄、日落黄、苋菜红、赤藓红、新红、靛蓝和亮蓝等 此外还要说明的是有一种听似色素但却不是色素的物质却也被应用于食品染 色而那种物质就是苏丹红苏丹红并不是食品添加剂虽然其名字听着特别像 但它就是一种化学染色剂主要用于石油、机油和其他的一些工业溶剂中其目的是 使其增色也用于些地板等增光可是一些不法商人却将使用在食品之中从而出现 了我们大家特别熟悉的“红心鸭蛋”、火红火红的“辣椒”、颜色鲜艳诱人的“烤鸡翅”、 “烤肉”等等它是一种十分有害的物质具有致癌性对人体的肝肾气官具有明显 的毒性这也造成了很多无辜的人民死亡的情况 因此我们在买食品时一定要小心千万不要被其亮丽鲜艳的外表蒙骗 4、甜味剂 甜味是甜味剂分子刺激味蕾而产生的一种复杂的物理、化学和生理的过程甜味 是易被人们接受且最感兴趣的一种基本味它不但能满足人们的爱好还能改进食品 的可口性和食品的某些食用性凡是能产生甜味的物质统称为甜味物质或甜味剂甜 味剂是一类十分重要的食品添加剂 甜味剂也分为天然甜味剂和人工合成甜味剂 ?天然甜味剂：如蔗糖、果糖、葡萄糖、麦芽糖、淀粉浆、麦芽糖醇、山梨糖醇、 木糖醇等 ?人工合成甜味剂：如糖精、糖精钠、环己基氨磺酸钠、天门冬酰苯丙氨酸甲酯等 特别值得一提的是糖醇类甜味剂主要有D木糖醇、D山梨醇、D甘露醇 和麦芽糖醇4种它们在人体内吸收和代谢不受胰岛素的影响也不妨碍糖原的合成 是一类不使人血糖升高的甜味剂为糖尿病、心脏病、肝脏病病人的理想甜味剂它 们具有保湿性能使食品维持一定水分防止干燥山梨醇还有防止糖、盐从食品内 析出结晶保持甜、酸、苦味平衡维持食品风味防止淀粉老化的功效木糖醇和 麦芽糖醇还不易被微生物利用发酵也是良好的防踽齿的甜味剂国外已广泛将木糖 醇用于各种食品和调味剂中 并不是食品越甜越好若食品太甜的话像一些含有甜蜜素、安赛蜜、阿斯巴甜 等物质的食品会对人体有害特别是老人、孕妇和儿童 三、食品添加剂行业的问题 食品企业使用劣质食品添加剂：造成这一问题的主要原因是市场激烈竞争使一 些食品企业铤而走险为了降低生产成本而不按有关规定执行从而出现滥竽充数的 情况甚至有些企业用的纯粹是低档次人工合成的劣质品 超标使用食品添加剂：国家标准食品添加剂使用卫生标准中有各种食品添加 剂使用的种类和范围超出这些范围和品种就不是合格产品一些厂家缺乏食品安全 意识根本不顾食品添加剂的用量问题从而出现了例如年7月媒体报道江苏 金浩茶油等一些公司生产的茶油含有超国家6倍的苯并芘的事件这对人们的健康产 生了巨大的威胁 使用禁用的食品添加剂：据了解苏丹红在我