ICT测试程式标准.doc

辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:6/6目录文 件 修 订 履 历 表21.目的32.适用范围33.权责34.相关参考文件35.名词定义36 标准3文 件 修 订 履 历 表序号版次文件编号制修订内容说明制/修订日期作成审查核准11.0首次设定2012.02.15林凡义1. 目的 1.1 为使本公司ICT测试程式标准化，统一化，特订定本标准。2. 适用范围2.1 凡使用于本公司ICT测试程式均适用之。3. 权责3.1 制作单位：ICT治具厂商3.2 维护单位：ICT工程师3.3 使用单位：ICT测试员4. 相关参考文件无5. 名词定义 无6. 标准6.1 测试参数6.1.1程序命名方式板号+小管号.6.1.2自动存盘功能设定10片. 6.1.3 重测次数设为3次. 6.1.4 First pin为1,Last pin设定为SWB(256)的整数倍并大 于下针盘的最后一针点数. 6.1.5 OPS档设定原则为2(15 55 85),“短路Raw Test-1”字段 打勾,但可视情况调整.6.1.6 测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12打印6.2 Open/Short Learning6.2.1若GND与VCC为同一个Short Group时,在MDA程序加阻抗测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一般使用MODE 2, GND pin一般置于Hi-pin,VCC pin一般置于Low-pin. 6.3 测试数据编辑 6.3.1 程序需对照BOM表确认是否有漏(错)KEY或SKIP错误之现象 6.3.2 确认不良零件区块(横行/纵行)之设定是否与点图相符.6.3.3 Board View显示零件面并调整与M/B 方向一致6.3.4 零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等6.3.5 所有零件按照JRCXLFDQU排序 6.3.6 零件位置上已lay out短路线,若BOM无零件,则不外加测试(零件名称前不加J) 6.3.7 电阻 A. 按照零件值排序(零件名称前不加J) B. 电阻值010(不包含10)使用Jump方式测试C. 电阻在101K(不包含1K)误差范围+40%,-40%D. 排阻的阻抗低于1K(不包含1K)误差范围+40%,-20%E. 电阻值1K误差范围+10%,-10%F. 当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE 1或MODE 2G. 电阻值1M时,一般使用MODE2误差范围+40% -60%H. 热敏电阻，一般使用MODE 1，误差范围+40% -90%I. 蜂鸣器(BUZZER)以阻抗方式测试,期望值42, 误差范围+40%,-40%6.3.8 电容A. 按照零件值排序B. 电容值33P时,全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP) C. 容值2000P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用MODE2,不加隔离点D. 40uF(含)以上之电解电容,一般使用MODE 8测试E. 电容1uF与0.1uF误差范围+80% -60%F. 电容1uF与0.1uF有并联情况时,误差范围 +80% -60%G. 电容2.2uF & 0.01uF之间的其它电容,误差范围+80% -60% H. 电解电容(CE)若有并联(CE),误差范围+30% -10% ,开启一个STEP即可I. 电解电容(CE)若无并联(CE),误差范围+30% -30%J. 其它电容误差范围+80% -60%K. 小电容并联大电容时,小电容之测试STEP要SkipL. 当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程序对零件缺件的可卡性.6.3.9 震荡器 A. 震荡器使用电容方式测试 6.3.10 电感A.电感使用Jump方式测试,MODE 0 ,Delay 30 6.3.11二极管A. 二极管,误差范围+30% -30% ,一般使用MODE 1, 当量测值小于0.3V时须加Delay 30B. 二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V,误差范围 1 50% ,MODE 1 C. ZD加测反向崩溃电压(约3.9V以上),误差范围+50% -30%,MODE 1,Delay30D. LED参数为Act/Std=2.3V, 误差范围+30% -30%, Mode=1, Delay=306.3.12晶体管A. 一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step1(BC) Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q MODE=1B. 一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step2(BE) Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q MODE=1C. 一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step3(CEB) Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30% -1%,隔离点=B,MODE=4D. 一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step1(CB) Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q MODE=1E. 一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step2(EB) Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q MODE=1F. 一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step3(ECB) Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30% -1%,隔离点=B,MODE=3G. NMOS-FET电压测试Step1(SD) Act/Std=0.7V, 误差范围+30% -30% MODE=1H. NMOS-FET电压测试Step2(SDG) Act=5V,Std=0.3V, 误差范围+30% -1% Delay=50 MODE=4 隔离点=G I. NMOS-FET电压测试Step2(SDG)若并联Diode时,误差改为+15% -1% J. PMOS-FET电压测试Step1(DS) Act/Std=0.7V, 误差范围+30% -30% MODE=1K. PMOS-FET电压测试Step2(DSG) Act=5V,Std=0.3V, 误差范围+30% -1% Delay=50 MODE=3 隔离点=GL. PMOS-FET电压测试Step2(DS)若并联Diode时,误差改为+15% -1% M. ALL MOS-FET于STEP后加入N型or P型 Example:Q12-2-3(N)大(中)型MOSFET加测一个电容STEP G-S脚(1-2) or G-D脚(1-3),标准值设定值为3000PF,用MODE 2测试, 误差范围 -1 30%,