荧光义操作步骤(新).docx

Axios 建立定量分析方法步骤 杨成选 Axios建立定量分析方法步骤 1. 建立新应用，设置并优化测量条件 1.1 双击桌面上的SuperQ Manager 图标，打开“SuperQ Manager ”窗口（见下图）。 1.2 单击SuperQ Manager窗口中的 按钮 ，显示SuperQ登录对话框 ，输入用户名(TRDS)和口令(TRDS)后点OK，即打开测量与分析窗口。 1.3 单击系统设置窗口的Application菜单，选择New Application，弹出New Application对话框。1.4 在上图中的New application提示下给新的应用命名，例如 Raw mix。 1.5 单击上图右下角的按钮，弹出Add channel set对话框，添加一个新道组，建议此名称与应用程序名一致，Raw mix，点Collimator mask diameter(mm)下拉框，选择一个面罩尺寸(钢制32mm)，然后单击OK按钮返回前一对话框。 1.6 单击New Application 对话框左下角的OK按钮，打开应用程序窗口。 1.7单击标签，做一个样品制备描述。例如： This application is used for raw mix sample analysis. Sample preparation conditions are as follows: Samples were prepared by mixing 12g of sample with 0.6 of binder and 0.2g of stearic Acid . grinding time is 160s. The mixture was pressed at 25 tons for 30 seconds into pellets with a diameter of 40 mm. 1.8单击标签，定义样品编码方案，在Type下拉框中选择free。也可点击添加新项目，但要保证所有项目长度之和不超过60（如要添加第二个项目，首先要将第一个项目的长度减小）。 有8种编码方案可供选择，但通常只选择Free，其它方案解释如下： 1.9单击标签，定义General conditions 和Quantitative conditions（其它的不需要定义） ，各参数的意义如下。 XRF Vacuum lock time 空气锁（样品装载位）抽真空时间， 粉末压片一般12秒。 Delay time 开始测量前的等待时间(用于加热样品)，缺省时间为2秒。 Analysis medium 光路分析介质：真空或氦气可选。 Collimator mask(mm) 准直器光栏孔径：27，32，等，如果只配 置了一个Mask，则此处不可选。 Default archive 默认的文档（结果文件），如Raw mix。 Report after measurement 测量后自动打印分析结果：用则选定；不用则 取消。 Spinner on 样品自旋（30转/分），定量分析通常打开。 Validate measurement 验证测量结果，在结果窗口增加Accept 按钮和Reject按钮。 Calibration 校准文件，与应用名同名,例如Raw mix Calibration update 校正更新（漂移校正的一种方式），这是一个 关联开关，与应用程序同名，例如Raw mix。 1.10单击标签，定义样品类型（Pressed powder(粉末压片)）和样品杯的规格Steel 32mm。若粉末样品添加了粘结剂，要在样品重量字段中输入样品的重量0.1G, 再单击,从化合物表中添加粘结剂名称,在Weight(g)单元格中输入粘结剂的重量，按回车键。 定量分析时样品尺寸选择固定。 L.O.I(烧失量) ： 人工输入(Manual Input);无烧失量(No L.O.I);平衡(Balance)，仅当 。 Thickness(mm) : 样品厚度1mm Diameter(mm) : 样品直径 50mm； Sample Type : 选择“Bead”； Sample weight: 输入样品重量，例如 10. 00g 1.11 选择标签，再单击按钮打开Add compound对话框，从化合物列表中添加要分析的化合物或计算函数名称。 添加计算函数的步骤如下： 在Add Compounds对话框单击右下角的System compounds按钮，然后选择Caculation functions 标签（见下图）。 点Add按钮，添加一个新的函数名，注意不能与周期表中的元素同名。 在Formula框中编辑计算公式，注意每个化合物必须用Conc(“Xyz”)引用。 双引号内的Xyz代表化合物名称，例如SiO2。 编辑好后点check按钮，检查公式的语法。如正确点按钮保存退出。 添加新化合物的步骤如下（以游离氧化钙为例）： 在Add Compounds对话框单击右下角的System compounds按钮，然后选择Compounds标签（见下图）。 单击 Add按钮弹出Add system compound对话框，在Compound 后输入f-Ca，然后点OK保存。 点System compounds窗口左上角的按钮，保存退出。 如要引用该化合物，在Add compounds 窗口，选中后点OK即可。 典型的水泥生料化合物表单见下表： 1.12单击标签，显示所有通道的测量条件；这里的参数由智能化软件（专家系统）自动推荐。也可根据需要人工修改。窗口中各按钮的意思如下： Add Channel ： 从通道列表中添加分析通道（所有通道都由Channelset来管理）； Add New Channel ： 用编辑方法添加新的元素通道（一个元素总共可以生成10个逻辑通道）； Remove Channel ： 删除不需要的元素通道（只是逻辑上删除，并不是物理删除）； Check Angle ： 确定每个通道的谱峰位置和扣除背景位置，对称时选一点，不对称选两点，计算峰和背景的测量时间， 点击时间，上锁；点击（计算图标），搜索干扰谱线； Check PHD ： 检查每个通道的脉冲高度分布，确定PHD的窗口； 软件推荐的激发条件全部是满功率激发，例如在Axios-Cement上轻元素的激发条件是24kV/100mA，中等元素的激发条件是50kV/48mA，重元素的激发条件是60kV/40mA。 对水泥生料分析而言，建议将所有通道的激发条件都设置为50kV/48mA，即全部采用相同的激发条件（见下图）,建议Si通道使用PE002晶体，550um准直器，无滤光片。Ca通道使用PE002晶体，550um准直器，Al(200um)滤光片。 如果仪器配置了固定通道（最多2个），要使固定道与测角仪道同时测量，两者必须具有相同的kV和mA。 1.13从校准标样中找一个样品来检查角度和PHD，该样品必须要有一定的计数率，通常选择浓度高的那一个（最好每个元素都选择浓度最高的样品）。压片，待测。 1.14整行选中一个通道，单击头部，去掉复选框前的对勾（不让样品退出），再单击Measure按钮开始扫描。 待扫描结束后，点标签，确定谱峰的2角。（虚线是理论角度，实线是拟合出来的角度），通常用实际拟合出来的角度作为谱峰的测量角度，不要去拖动。 点背景标签，确定背景的位置。Si，Al，Fe, Ca都采用单点扣背景，Mg和Na 采用两点扣背景。 点测量时间标签，确定峰和背景的的测量时间（见下图）。方法是：在Conc:框中输入样品中该元素的浓度，然后按0.005*C估计一个测量精度，将此值输入到Abs.Error(%)框中，然后点按钮锁定（其它解锁），再点按钮计算谱峰和背景的测量时间，通常只点计算器图标一次即可满足精度要求。 所有参数确定后，点击保存退出。 注意：确定背景位置的原则： 若谱峰两边背景水平基本等高，可选择单点法扣背景。 若谱峰两边背景水平不等高，可选择两点或多点法扣背景。 背景点附近不能有干扰峰，它必须是Free的。 确定测量时间通常有三种途径： 输入样品中该元素的浓度，给定一个测量精度,锁定后计算其它未加锁的参数。 对于微量成分给定一个LLD（检出限）,锁定后计算其它未加锁的参数。 根据你的经验直接给定测量时间,锁定后计算其他未加锁的参数。 1.15单击，去掉（退样品）前的对勾，再单击Measure（测量）。待扫描结束后，确定LL和UL，要注意逃逸锋、高次荧光及晶体荧光的甄别（见下图）。P、S有Ge的晶体荧光，TiZn之间的元素有逃逸峰（主峰的左面有一个小峰）。Na、Mg有PX1的晶体荧光。 1.16 选择“Quantitative Program”标签，该页面显示峰和背景的测量时间，以及背景的扣除方法（见下图）。在Background method下拉框中选择Calc. Factors，然后删除CES(%)一栏所有的误差值。 2建立标样浓度文件 2.1在系统设置窗口，单击工具栏上的标样（）按钮，打开Open standards for application对话框。选择应用程序名，例如 Raw mix，然后单击“OK”。 2.2单击左下角按钮弹出Add standard对话框，在 Name 后输入标样名称，例如 Raw mix-01； Raw mix-03；然后点击Add, Raw mix-02然后点击Add； Raw mix-03；然后点击Add；。待输入最后一个标样名后点OK退出。 2.3 在表格中输入所有元素的浓度（分析值）。 2.4 单Standards for application 窗口左上角的按钮保存退出。 3测量标准样品 3.1 打开分析&测量窗口。 3.2 单击工具栏上的测量按钮1，打开测量样品窗口（人工方式放置样品）。 3.3 单击按钮，选择标样测量程序Raw mix，在窗口的左半部选择Application名，在右半部 选择标样名Raw mix-01，点击左下脚测量按钮，开始测量。依次将所有的标样测量完毕。 4 回归工作曲线 4.1在系统设置窗口，单击工具栏上的计算器图标按钮，打开Open calibration for application对话框。选择Application名称，点OK，打开回归窗口。 4.2 单击窗口左上角的空白处（全选）按钮，选中所有的化合物，点下方的计算按钮回归工作曲线。 4.3 在窗口的上半部（回归结果），依次选中各个通道，点击按钮观察校准图。若回归曲线的RMS，K（小于0.05），如不能满足分析要求，可做基体修正。 4.4 对于粉末样品，采用经验系数法做基体修正往往会收到比较好的的校正效果，而且还能校正一部分矿物效应，建议不要使用理论Alpha系数和FP法。经验系数法校正 具体操作步骤如下： 在窗口的下半部，整行选中某一化合物，点击打开Add model coefficient(s)对话框（见下图）。 选择修正类型（浓度方式或强度方式） 从一栏中选择影响元素，然后点OK 点 Calculate按钮计算影响系数。注意计算出来的系数不能太大，否则测量时会出现不收敛的情况。 4.5 如要校正谱线重叠，具体操作步骤如下： 在窗口的下半部，整行选中某一化合物，点击打开Add model coefficient(s)对话框（见下图）。 选择修正类型（浓度方式或强度方式） 从栏或栏选择干扰元素，然后点OK。 点 Calculate按钮计算干扰系数 4.6 查看回归曲线的RMS和K因子。待所有元素的回归精度都满足要求后，点保存退出。 5 建立漂移校正Instrument Monitor 5.1 在系统设置窗口单击Monitor菜单，选择New instrument monitor，打开New instrument monitor对话框。 5.2 在New instrument monitor后输入仪器监控名（最好与Application同名），例如 Raw mix,点击Channelset下拉框，从道组列表中选择应用程序所使用的Channelset名，例如Raw mix。然后点OK确定。 5.3 点标签，再单击按钮，从Applications列表中选择应用程序名，例如Raw mix ，点OK确定。 5.4 点标签，再单击按钮。添加一个或多个监控样（一定是均匀的、稳定的且有一定计数率的样品，通常选用金属或玻璃）。 对于水泥生料样品，可使用PC3和一块玻璃（BLP）来做漂移校正。但PC3中Ca 和Mg的计数率很低，因此要在Measure标签下，将PC3样品中Ca 和Mg的测量时间 都改为零。 5.5 点标签，将New intercept(kcps) 一栏全部锁定 5.5 点按钮保存退出监控设置窗口。 5.6点Application菜单，选择Open application，打开该应用程序。选择Channel标签，将窗口移动到Monitor一栏，打开所有通道的监控关联开关（见下图）。 6 测量Instrument monitor 6.1打开测量&分析窗口，单击工具栏上的按钮，选择仪器监控测量方式（Sample下的按钮）。 6.2在窗口的左半部选择Instrument monitor(s)名，在右半部选择Instrument monitor sample(s)名。 6.3单击开始测量。依次将所有的监控样品都测量完毕。 附录 附录1 影 响 元 素 的 选 择 Axios 建立定量分析方法步骤 杨成选 附录2 干扰谱线一览表 元素 分析线 分析晶体 主要干扰谱线 C K PX-4 MoM ,WNN , NbM,O, ,OKa(2) N K PX-5 OK (2) O K PX-1 CaK (7), NaK (2) F K PX-1 PK (3)，CaK1(6)，FeLa Na K PX-1 ZnL1, LaMT, escape 3Ca Ka, MgKa Mg K PX-1 Al Ka (Al2O3 10%), CaKa(3), SeLn Al K PET Cr K1(4), Ba La1(3), Br La Si K PET Rb La1, Sn La1(2), Co Ka(4),W P K Ge Mo Ll, W L(4) ,Cu Ka(4), Y L1, Zr La1, Nb Ln S Ka Ge Mo L1, Co Ka(3) ,Pb Ma1, Zr Lr1, Pt Mr K Ka LiF200 In La1, Cd L1 Ca Ka LiF200 Sn L4 ,Ni Ka(2) Ti Ka LiF200 Cu K1(2), Ba La1, Sc K1 Cu K5 (2) V Ka LiF200 Ti K,W L2,Ba L3 Cr Ka LiF200 V K,Pm La1,Bi La1(2),Pr L1 Mn Ka LiF200 Cr K,Eu L1 Fe Ka LiF200 Mn K, Pb L3, Ce L2, Dy La1 Co Ka LiF200 FeK1,Er La1,Hf Ll Ni Ka LiF200 W L1, Co K,Pb K1(2),Y Ka(2), Cu Ka LiF200 Ni K,W La,Ta La2, Zn Ka LiF200 Cu K, Mo Ka(2),W La1 As Ka LiF200 Pb La1,Ba Ka2(3) Se Ka LiF200 Ta L1,W L1,Pt L1 Zr Ka LiF200 Nb Ka,Sr K1,Th L2,Bi L3,Y K1 Sr Ka LiF200 Pb L5,U La1 Nb Ka LiF200 Zr Ka,Mo Ka,Y K1,La Ka1(2),Th L1 Mo Ka LiF Zr K