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SOI 技术的抗辐照能力报告 1 SOISOI 技术的抗辐照能力报告技术的抗辐照能力报告 SOI 技术的抗辐照能力报告 2 目录目录 1 关于关于 SOISOI 抗辐照技术的可行方案抗辐照技术的可行方案 3 2 2 SOISOI 技术简介技术简介 4 2 1 SOI 技术的定义 4 2 2 SOI 技术的特点 4 3 3 SOISOI 技术的研究现状技术的研究现状 7 3 1 常用的四种抗辐射材料 7 3 2 SOI 技术的应用 7 3 3 SOI 技术国际主流公司 8 3 4 SOI 产业联盟 9 3 5 国内 SOI 技术研究 9 3 6 SOI 技术的市场份额 10 4 4 空间辐射问题空间辐射问题 10 4 1 航天器面临的辐射环境 10 4 2 电子元器件所受到的辐射效应 12 5 5 SOISOI 抗辐照技术抗辐照技术 13 5 1 SOI 技术的抗辐射指标 13 5 2 SOI 器件实例 13 5 3 SOI 技术和体硅 CMOS 技术两种技术抗辐射能力的对比 14 5 4 SOI 不加固的抗辐照性能 14 5 5 体硅不进行抗辐射加固的抗辐照性能 15 5 6 目前国内 SOI 技术的工艺水平 16 5 6 1 0 8um 工艺芯片的集成度 16 5 6 2 0 8um 工艺与 0 18um 工艺集成度的差异 17 6 6 STISTI 侧沟道隔离技术侧沟道隔离技术 17 6 1 隔离的目的 17 6 2 隔离技术的要求 18 6 3 常见的隔离工艺技术 18 6 4 LOCOS 隔离技术 18 6 5 改进的 LOCOS 结构隔离技术 20 6 6 STI 隔离技术 22 SOI 技术的抗辐照能力报告 3 1 关于关于 SOISOI 抗辐照技术的可行方案抗辐照技术的可行方案 国内现有四家做抗辐照方面研究的单位 1 七七一所 目前在抗辐照芯片开发方面 工艺比较落后 2 七七二所 用体硅进行抗辐照加固做了一批抗辐照芯片 采用 0 18um 工艺 在中芯国际流片 抗辐照指标达不到 航天水平 只有一款芯片投入了实际应用 最近出了问题 而且芯片封装仅有 391 个引脚 3 58 所 采用 0 5um SOI 技术生产抗辐照芯片 集成度只 有 20 到 30 万门 频率只能到 10 到 20 MHz 但是芯片封 装能达到 1000 多个引脚 4 中科院微电子所 采用 0 18um SOI 技术生产抗辐照芯片 正在做几款 SOI 芯片 最近有一款 4M 的存储器已经研发 成功 集成了 1200 万个晶体管 抗辐照总剂量水平为 300 Krad 无单粒子闩锁效应 抗单粒子翻转比体硅好 具体指标待论证 集成度在 300 万门以上没有问题 频率 能达到 40 到 50 MHz 采用上海宏力公司的生产线 经过窦老师的调查研究和实地考察 结合我们组所做的一些调 研 得出了关于 SOI 抗辐照技术的可行方案 如下 采用中科院微电子所的技术和宏力公司的生产线来生产 SOI 抗 辐照芯片 SOI 晶圆从上海新傲公司买或者从国外买 SOI 技术的抗辐照能力报告 4 2 2 SOISOI 技术简介技术简介 2 12 1 SOISOI 技术的定义技术的定义 SOI 技术是指 在硅衬底上嵌入绝缘体埋层 再在埋层上生长 单晶硅薄膜的材料制备技术 SOI 是英文 Silicon On Insulator 的缩写 指的是绝缘层上的 硅 SOI 技术是指在绝缘层上形成一层具有一定厚度的单晶半导体 硅薄膜的材料制备技术 SOI 材料可实现完全的介质隔离 与由 PN 结隔离的体硅相比 具有无闩锁 高速率 低功耗 集成度高 耐 高温等特点 在便携式电子产品 航天 卫星通讯等领域均受到普 遍重视 被称为 21 世纪的微电子技术 SOI Silicon On Insulator 字面意思是绝缘体上硅 可以理解 为一种特殊结构的硅材料 而 SOI 技术却包含非常丰富的内容 SOI 技术也包括材料 器件和集成电路制造技术 2 22 2 SOISOI 技术的特点技术的特点 SOI 技术作为一种全介质隔离技术 有着许多体硅技术不可比 拟的优越性 在 SOI 技术中 器件仅制造于表面很薄的硅膜中 器 件与衬底之间由一层隐埋氧化层隔开 正是这种独特的结构使得 SOI 技术具有了体硅器件所无法比拟的优点 SOI CMOS 器件具有功 耗低 抗干扰能力强 集成密度高 隔离面积小 速度高 寄生电 容小 工艺简单 抗辐照能力强 并彻底消除了体硅 CMOS 器件的 SOI 技术的抗辐照能力报告 5 寄生闩锁效应等优点 随着 SOI 顶层硅膜厚度减薄到全耗尽工作状 态 硅膜厚度小于有效耗尽区宽度 时 全耗尽的 SOI 器件将比传 统 SOI 器件具有更优越的特性 这种全耗尽 SOI 结构更适合于高性 能 ULSI 和 VHSI 电路 综合来说 SOI 器件和电路主要具有如下特 点 1 抗辐照特性好 SOI 技术采用全介质隔离结构 彻底消除 了体硅 CMOS 电路的闩锁 latch up 效应 且具有极小的 结面积 因此具有非常好的抗软失效 瞬时辐照和单粒子 粒子 翻转能力 2 功耗低 功耗包括静态功耗和动态功耗两部分 其中静态 功耗 Ps 依赖于泄漏电流和电源电压 即 L P DD V LDD PsIV 在全耗尽 SOI 器件中 陡直的亚阈值斜率接近理想水平 泄漏电流很小 静态功耗很小 动态功耗由电容 C 工 A P 作频率 f 及电源电压决定 在全耗尽 DD V 2 ADD PCfV SOI 电路中 结电容降低且具有极小的连线电容 因此 动态功耗也大大降低 3 速度高 全耗尽 SOI 器件具有迁移率高 器件纵向电场小 且反型层较厚 使表面散射作用降低 跨导大 寄生电 容小 寄生电容主要来自隐埋二氧化硅层电容 远小于体 硅 MOSFET 中的电容 它不随器件等比例缩小而改变 且 SOI 的结电容和连线电容都很小 等优点 因而 SOI CMOS 器件具有极好的速度特性 这一优势随着 ULSI 技术向深 SOI 技术的抗辐照能力报告 6 亚微米水平发展 变得越来越突出 因寄生电容小而导致 电路速度提高这一特点在由部分耗尽层所制备的电路中也 同样存在 4 特别适合于小尺寸器件 全耗尽 SOI 器件的短沟道效应 较小 不存在体硅 CMOS 电路的体穿透问题 能自然形成 浅结 泄漏电流较小 亚阈值曲线陡直 所有这些都表明 全耗尽 SOI 结构特别适合于超深亚微米器件 5 集成密度高 SOI 电路采用介质隔离 它不需要制备体硅 CMOS 器件所需要的阱等复杂隔离工艺 器件最小间隔仅 仅取决于光刻和刻蚀技术的限制 集成密度大幅度提高 6 特别适合于低压低功耗电路 在体硅 CMOS 集成电路中 由于体效应的作用 降低电源电压会使结电容增加 驱动 电容减小 导致电路速度下降 而在薄膜全耗尽 SOI CMOS 集成电路中 这两个效应都很小 低压全耗尽 SOI CMOS 电路与相应的体硅电路相比具有更高的速度和更小 的功耗 更适于低压低功耗集成电路 7 成本低 一般认为 SOI 是一种理想的 ULSI 技术 只是 成本较高 实际上这是一种误解 SOI 技术除衬底材料比 体硅材料价格高之外 其他成本均低于体硅 SOI CMOS 电路的制造工艺比典型体硅工艺至少少用三块掩模版 减 少 13 20 的工序 由于电路尺寸缩小 相同电路的芯 片面积可降低 1 8 倍 浪费的面积可减少 30 以上 SOI 技术的抗辐照能力报告 7 由此可见 SOI 结构能有效地克服体硅材料的不足 充分发挥 硅集成技术的潜力 它在高性能 ULSI VHSI 高压 高温 抗辐照 低压低功耗 存储器及三维集成等领域均有极其广泛的应用 3 3 SOISOI 技术的研究现状技术的研究现状 3 13 1 常用的四种抗辐射材料常用的四种抗辐射材料 1 硅材料 体硅 CMOS 器件在辐照环境下性能变化主要体现 在 阈值电压 VT 飘移 跨导 Gm 下降 静态漏电流 增大等 但进行特定的电路抗辐射加固后也能够适用一般 辐照环境 2 SOS 材料 蓝宝石上外延硅 抗辐射能力和低功耗特性理 想 但是晶片易碎 成品率低 成本高 用于特殊辐照环 境 3 GaAs 材料 速度比其他材料高 5 10 倍 抗总剂量辐照能 力强 在军用领域受到高度重视 4 SOI 材料 抗辐照能力与 SOS 器件相当 但成本比 SOS 器 件低得多 将逐渐取代 SOS 材料 3 23 2 SOISOI 技术的应用技术的应用 SOI 技术的应用主要有三方面 1 高端产品 32nm 及以上的微处理器等高端产品 如 AMD 的羿龙 速龙 闪龙系列 CPU IBM 的 Power 系列 CPU 等 SOI 技术的抗辐照能力报告 8 2 抗辐照 高温器件 高压器件等高性能专用电路 如中国 科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室研制的高 温压力传感器等 3 光电子 微机械等 如光波导 光开关 光耦合器 光分 波器 光复用器等硅基集成光电器件 这是因为 SOI 导波 层的硅和包层的二氧化硅折射率差别非常大 分别为 3 45 和 1 46 由他们组成的波导对光的限制很强 所以 SOI 结构中波导包层可以很薄 只要大于 0 2um 当前 SOI 电路和器件的一个主要应用是空间及军事电子领域 主要利用它较强的抗辐射能力 与体硅电路相比 SOI 电路的抗辐 照强度提高了 100 倍 3 33 3 SOISOI 技术国际主流公司技术国际主流公司 在 SOI 材料制作方面 国际上主要有 美国的 IBIS 公司和法国 的 SOITEC 公司 他们分别采用采用 SIMOX 技术和 SMARTCUT 技术制 作 SOI 材料 在抗辐照 SOI SOS CMOS 集成电路制造方面 主要有 美国的 Harris 公司和美国的 Honeywell 公司 在高性能 SOI CMOS 集成电路制造方面 主要是以美国 AMD IBM 公司为代表 美国 TI 公司也在主流的模拟集成电路中采 用了 SOI 技术 这些标志着 SOI 技术真正进入产业领域 SOI 技术的抗辐照能力报告 9 3 43 4 SOISOI 产业联盟产业联盟 SOI 产业联盟成立于 2007 年 10 月 电子行业各个领域在全世 界领先的 19 家公司都在其中 包括 AMD IBM ARM Cadence 三 星 台积电等 2008 年 NVIDIA 公司也加入其中 现在 以上各公 司都有相应的采用 SOI 技术的产品面市 有的甚至全面采用了 SOI 技术生产产品 IBM 和 AMD 等公司是 SOI 技术的主要推动者 IBM 公司用 SOI 技 术制造的 AS 400 服务器 比当时的高端机型的速度快出 4 倍 还开 发了 90nm 45nm 线宽 SOI 技术 Power 系列 CPU 均采用 SOI 技术生 产 AMD 将 SOI 技术一直到所有 PC 处理器中 是目前全球最大的 SOI 材料消费者 其羿龙 速龙 闪龙等系列 CUP 芯片均采用 45nm 或 65nm SOI 技术 3 53 5 国内国内 SOISOI 技术研究技术研究 国内一些单位在 SOI 材料和 SOI 电路的研制上做过一些工作 如中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院微电子研 究所等 但和国外仍有较大差距 现在上海新傲科技有限公司已可 以提供商业化的 SOI 材料 中国科学院微电子研究所 九五 期间 承担国家攻关项目 亚微米 CMOS SIMOX 器件和电路的研究 开展 了部分耗尽 PD 和薄膜全耗尽 FD SOI CMOS 器件工艺和相关电路的 研制 研制成功 0 8 m 全耗尽 SOI 101 级环形振荡器 在 3V 电压 下门延迟为 69ps 门 研制出 4Kbit 静态随机存储器 SRAM 随后 SOI 技术的抗辐照能力报告 10 该所研制成功 SOI CMOS 64Kbit 静态随机存储器 SRAM 抗 总剂 量达到 1 Mrad Si 抗单粒 LET 值大于 59 MeV cm2 mg 无翻转 十一五 国家科技部也有很多关于 SOI 技术的课题 3 63 6 SOISOI 技术的市场份额技术的市场份额 市场调研公司 VLSI Research 近日指出 2007 年 SOI 技术销售 额为 6 54 亿美元 增速放缓至 6 与此相比 2004 年至 2006 年 SOI 销售额增长均超过 46 从面积来看 2007 年 SOI 晶圆需求量 占硅晶圆需求总量的 1 4 VLSI 表示 未来五年 SOI 市场的年均 复合增长率 CAGR 预计为 11 到 2012 年 SOI 市场销售额将达 11 亿美元 4 4 空间辐射问题空间辐射问题 4 14 1 航天器面临的辐射环境航天器面临的辐射环境 航天器在空间中面临着严酷的辐射环境 辐射源包括银河宇宙 射线辐射 太阳耀斑辐射和地球辐射带辐射等 如图 1 和图 2 所示 SOI 技术的抗辐照能力报告 11 图 1 航天器面临的辐射环境 图 2 空间辐射来源的分类 SOI 技术的抗辐照能力报告 12 4 24 2 电子元器件所受到的辐射效应电子元器件所受到的辐射效应 电子元器件所受到的辐射效应主要包括 1 辐照总剂量 当器件持续受到电离辐射 如 X 射线 射线等 时 会产生总剂量辐射效应 2 单粒子扰动效应 A 单粒子翻转 SEU 当一个宇宙射线中的重核粒子 粒子等高能粒子入射到器件中时 对于逻辑器件或 存储器会引起单粒子翻转 B 单粒子闩锁 SEL 当一个宇宙射线中的重核粒子 粒子等高能粒子入射到器件中时 对于 CMOS 器件会 产生单粒子闩锁 可能会造成器件的永久损伤 3 瞬时辐照剂量率 在某些情况下 如日辉等 在很短时间 内会积累大剂量的能量 产生瞬时辐射效应 电离辐射对集成电路芯片的影响主要是在硅片中产生电荷和缺 陷 从而引起器件的阈值电压漂移 跨导降低 亚阈值电流增大 低频噪声增大 这些效应会使微电子元器件及集成电路的性能衰减 出现逻辑错误或永久性损坏 严重影响电子系统的可靠性 甚至完 全不能工作 因此 对于航天器来说 辐照加固是一个关键问题 SOI 技术的抗辐照能力报告 13 5 5 SOISOI 抗辐照技术抗辐照技术 5 15 1 SOISOI 技术的抗辐射指标技术的抗辐射指标 SOI 技术的抗辐射指标如下 抗辐射 SOI 技术主要针对空间应 用辐射环境 其抗辐射指标如下 1 抗总剂量能力优于 1 M rad Si 2 抗辐射剂量率能力优于rads s 12 10 2 SiO 3 单粒子翻转率小于errors bit day 11 10 5 25 2 SOISOI 器件实例器件实例 实例 1 国产 SOI 工艺 1750A 微处理器是国产新型的 16 位航天 用微处理器 LET 阈值 L0 67MeV cm2 mg 属于抗单粒子效应能力 较强的器件 实例 2 国产 128K SOI SRAM 其翻转 LET 阈值大于 61 8MeV cm2 mg 实例 3 ARM 公司公布了一款 45 纳米 SOI 测试芯片 经测试 相较于采用传统的体硅工艺 bulk process 进行芯片制造 该测 试芯片显示出最高可达 40 的功耗节省的可能性 此次发布的结果 证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时 SOI 是一项取代传统体效应工艺的可行技术 实例 4 Thomson CSF 公司针对军事与空间抗辐照应用 开发 了商品化的 CMOS SOI 电路包括 SRAM A D 转换器等 SOI 技术的抗辐照能力报告 14 实例 5 Honeywell 公司商品化的 HX6156 系列产品主要用于航 空航天及军工电子领域 其抗辐照总剂量水平达到 1Mrad Si 抗剂量效率水平达到rad Si s 在 3 3V 工作电压下 其功耗 11 10 为 0 14mW Gate MHz 当电压为 2 5V 时 其功耗为 0 08mW Gate MHz 5 35 3 SOISOI 技术和体硅技术和体硅 CMOSCMOS 技术两种技术抗辐射能力的对比技术两种技术抗辐射能力的对比 下表是 SOI 技术和体硅 CMOS 技术两种技术抗辐射能力的对比 表 1 两种技术的抗辐射特性 工艺电源电压 V 总剂量 rad Si 剂量率翻转 rad Si s 单粒子翻转阈 值 MeV cm2 m g 闩 锁 CMOS6R 体硅 CMOS 5 01M1011 40 无 从上表中可以看出 SOI 技术于标准体硅技术相比 电源电压更 低 功耗更低 总剂量辐射不相上下 SOI 也需要抗总剂量辐射 SOI 技术的抗辐照能力报告 15 加固 剂量率翻转指标大很多 抗单粒子翻转能力更强 无闩锁 效应 5 45 4 SOISOI 不加固的抗辐照性能不加固的抗辐照性能 SOI 技术是抗辐射 IC 有效的加固技术 SOI 与深槽可组成全介 质隔离技术 这种隔离结构具有极强的闭锁抑制能力 极好的抗瞬 时扰动的特性 良好的抗中子损伤特性和良好的长期电离损伤控制 能力 很高的抗瞬时剂量率能力 中科院半导体所论文 8 种 SRAM 芯片的最低 LET 阈值高于 25MeV cm2 mg 1 其中 Harris 公司的 256K 产品的翻转阈值超 过 100 Mev Cm2 mg 1 中科院半导体所 国产 128K SOI SRAM 经加固后 其翻转 LET 阈值大于 61 8MeV cm2 mg 三维结构 一种加固方法 加固的 SOI 器件抗总剂量辐照能力 比未加固的器件高 3 4 个数量级 达到 3M rad 结论 SOI 的结构特点是使用它制作的器件具有更好的抗单粒 子反转和抗 辐射性能 可以实现集成电路中元件的绝缘隔离 彻 底消除体硅 CMOS 电路中的寄生闭锁效应 北大微电子所出版的 SOI 技术及其应用 中明确说 SOI 器件的抗总剂量辐射能力不如 体硅 CMOS SOI 技术的抗辐照能力报告 16 5 55 5 体硅不进行抗辐射加固的抗辐照性能体硅不进行抗辐射加固的抗辐照性能 元素半导体有锗 硅 硒 硼 碲 锑等 50 年代 锗在半导 体中占主导地位 但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差 到 60 年代后期逐渐被硅材料取代 用硅制造的半导体器件 耐高温和 抗辐射性能较好 特别适宜制作大功率器件 因此 硅已成为应用 最多的一种增导体材料 目前的集成电路大多数是用硅材料制造的 其中砷化镓是制造微波器件和集成电路的重要材料 碳化硅由于其 抗辐射能力强 耐高温和化学稳定性好 在航天技术领域有着广泛 的应用 硅 CMOS 器件在辐照环境下性能变化主要体现在 阈值电压 VT 飘移 跨导 Gm 下降 静态漏电流增大等 未经辐照加固的 CMOS 电路 其抗辐照能力较低 一般只达到 1000 5000 rad Si 中科院半导体所论文 商用体硅 SRAM 的抗单粒子翻转 Single Electron Upset SEU 水平相对较低 IDT7164 的单粒子翻转 LET 阈值小于 25MeV cm2 mg 另一款 SRAM 产品 IDT6116 的单粒子翻转 LET 阈值约为 3 0 MeV cm2 mg 结论 体硅不进行抗辐射加固的抗辐照性能较低 根据具体的 器件各有不同 抗辐照总剂量大概在几 Krad 而抗单粒子翻转在几 MeV cm2 mg 到 25 MeV cm2 mg 不等 还存在单粒子闩锁的风险 SOI 技术的抗辐照能力报告 17 5 65 6 目前国内目前国内 SOISOI 技术的工艺水平技术的工艺水平 5 6 15 6 1 0 8um0 8um 工艺芯片的集成度工艺芯片的集成度 2003 年 中科院半导体研究所研制的部分耗尽 SOI 64K 静态存 储器版图面积为 6 8 4 7 平方 mm 集成度 44 万晶体管 2007 年 中国科学院半导体研究所研制的抗辐射 128kb PDSOI SRAM 的版图绘制是完全定制的层次化设计 其最终版图如图 5 所示 芯片达到 100 万晶体管规模 芯片的加工在中电集团 58 所进行 采 用 0 8 m CMOS SOI 工艺 125mm SIMOX SOI 基片 浅槽隔离 3 层金属布线 电路一次流片成功 芯片采用 28Pin 双列直插封装 DIP 结论 集成度为几十万晶体管到几百万晶体管不等 5 6 25 6 2 0 8um0 8um 工艺与工艺与 0 18um0 18um 工艺集成度的差异工艺集成度的差异 下表列出了奔腾系列 CPU 的工艺 频率 性能 功耗等 SOI 技术的抗辐照能力报告 18 I486 采用 0 8um 工艺 集成度 120 万个晶体管 1991 80586 奔腾 60 166MHz 0 8um 工艺 310 万晶体管 Pentium 4 采用 0 18 工艺 集成度 4200 万个晶体管 四川南山之桥微电子有限公司的 华夏网芯 路由交换核心芯 片集成度也达到了 1400 万门 采用 0 18um CMOS 工艺实现 结论 相差大约一个数量级 10 倍 6 6 STISTI 侧沟道隔离技术侧沟道隔离技术 6 16 1 隔离的目的隔离的目的 完整的电路是由分离的器件通过特定的电学通路连接起来的 因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来 这些器件随后还 要能够互连以形成所需要的特定的电路结构 隔离不好会造成漏电 击穿低 闩锁效应等 因此隔离技术是集成电路制造中一项关键技 术 6 26 2 隔离技术的要求隔离技术的要求 隔离区域的面积尽量要小 表面尽量平坦 台阶要小 制造过程中不增加缺陷 栅氧完整性 二极管漏电 器件特性不变 短沟道效应 工艺复杂度尽量要小 并和先前以及未来的工艺兼容 SOI 技术的抗辐照能力报告 19 6 36 3 常见的隔离工艺技术常见的隔离工艺技术 结隔离 多用在双极 局部硅氧化隔离 LOCOS 全称是 Local Oxidation of Silicon 多用在亚微米以前的工艺 基于 LOCOS 的技术 如 PBL Poly buffered LOCOS PELOX 等 沟槽隔离 trench refill 浅沟槽隔离 STI 6 46 4 LOCOSLOCOS 隔离技术隔离技术 0 5 微米以上的 MOS 工艺器件之间的场氧隔离一般采用 LOCOS 结构 它具有制作简单的特点 在 3 0 6 m 的工艺中被广泛采用 缺点是隔离区会形成鸟嘴 减小了有源区的有效长度 LOCOS 结构 的制作过程是利用 SiN 薄膜掩蔽氧化层的特点 先在器件的有源区 覆盖一层 SiN 接着在暴露的隔离区场区通过湿氧氧化生长一层较 厚的氧化层 最后去除 SiN 层 形成有源区 在有源区中制作器件 LOCOS 的工艺流程示意图如下 SOI 技术的抗辐照能力报告 20 图 3 LOCOS 的工艺流程示意图 鸟嘴的尺寸可以通过增加氮化硅厚度和减少有源区氧化层厚度 的方法来减小 但是这样做会增加应力 导致缺陷增加 从器件的 角度分析 鸟嘴的存在具有两个重要的影响 1 氧化层侵蚀导致器件的有效宽度减小 从而减小了晶体管 的驱动电流 2 场氧化导致场注入剂扩散到有效区域的边缘 鸟嘴的 SEM 示意图 SOI 技术的抗辐照能力报告 21 图 4 鸟嘴的 SEM 示意图 LOCOS 的其他缺点还包括白带效应和 Kooi 氮化效应 白带效应是指在氮化物的边缘下 硅表面上形成氮氧化合物的 情况 白带效应是由 Si3N4 与周围高温高湿环境相互作用而引起的 二者相互作用的结果是生成 NH3 并扩散到 Si SiO2 表面 这些氮化 物在有源区周围呈现为白色的条带状 这会使后面形成的有源区中 热氧化层击穿电压的下降 场氧减薄效应是指随着线宽的较小 隔离的区域也越来越小 没有足够的面积来使硅充分氧化 所以就造成场氧减薄 线宽越小 这种效应越明显 6 56 5 改进的改进的 LOCOSLOCOS 结构隔离技术结构隔离技术 随着器件尺寸的缩小 沟道长度进一步缩小 LOCOS 结构所带 来的影响了有源区长度 为了减小鸟嘴