发光芯片检验规范1.doc

文件名称进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版 本A制定部门品管部页 数1/5抽样计划A 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。B10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。C每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。D每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。项次检验项目不良项目规 格判定标准检 验量 具抽样计划CRMAMI1包 装时效性失效依厂商提供之保证储存期不可有超出期限之现象目视A包装脏污不整洁包装外不可有明显灰尘、脏污、包装摆放应整齐美观、包装上应注明有堆码标志目视A2外观电极表面失金 电极表面镀金层不能缺失.平台、塞尺目视B正金残留以上现象不能接受。显微镜40*目视B电极变色任何可见的电极发青发紫现象显微镜40*目视B 文件名称进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版 本A制定部门品管部页 数21/5抽样计划A 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。B10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。C每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。D每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。项次检验项目不良项目规 格判定标准检 验量 具抽样计划CRMAMI2外观电极变形电极最大方向的直径为最小的1.25倍且一张Wafer有0.5%此现象 目视A蚀刻不良电极蚀刻过头,外观上粗糙不平且肮脏根据样品或图片)目视A金属层剥皮残留任何可见的金属层剥皮残留于电极上目视A 文件名称进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版 本A制定部门品管部页 数3/5抽样计划A 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。B10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。C每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。D每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。项次检验项目不良项目规 格判定标准检 验量 具抽样计划CRMAMI3 背金缺失背金层缺失面积大于整层背金面积的5%投影仪卡尺C4电极及发光面被污染电极上20%以上区域有彩色或褐色斑点及其它异物,或芯片正面20%以上区域存在污染,变色及异物附着等；且一张Wafer有0.5有上图现象。焊线机、拉力计、目视D发光面及电极擦伤.擦伤程度参照附图且一张Wafer上有0.5有此现象.目视显微镜D 文件名称进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-L-01版 本A制定部门品管部页 数4/5抽样计划A 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。B10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。C每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。D每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。项次检验项目不良项目规 格判定标准检 验量 具抽样计划CRMAMI3 芯片缺损芯片缺损超过10%的全部区域,且一张Wafer上有0.3%有此现象。投影仪卡尺C4切割不良切割不良程度参照附图焊线机、拉力计、目视D电极偏移YX/2 或 XY/2目视显微镜D 文件名称进料检验规范(发光芯片)文件编号QWS-S-01版 本A制定部门品管部页 数5/5抽样计划A 全检；允收水准：严重缺点（CR）为0，主要缺点（MA）不良小于5%、次要缺点（MI）不良小于10%。B10K以下的全检，10K以上抽取10%；允收水准：严重缺点（CR）0收1退、主要缺点（MA）不良小于0.5%、次要缺点（MI）不良小于2%。C每批抽3张，允收水准：主要缺点（MA）不良小于1%。D每批抽5张，每张取5PCS；允收水准：严重缺点（CR）为0。项次检验项目不良项目规 格判定标准检 验量 具抽样计划CRMAMI3 尺寸测量尺寸不符依承认书尺寸不可有任何超出公差。