移动通信部分复习题.doc

从发射天线直接到达接收天线的电波称为直射波，它是VHF和UHF频段的主要传播方式；电波经过地面反射到达接收机，称为地面反射波；电波沿地球表面传播， 称为地表面波。自由空间的传播损耗Lbs为 Lts(dB) = 32.45+20lg d(km)+20lg f(MHz) 例 2 - 1 设图 2-4所示的传播路径中， 菲涅尔余隙x=-82m, d1=5km, d2=10km, 工作频率为150MHz。 试求出电波传播损耗。 解： 先求出自由空间传播的损耗Lts为 Lts = 32.44+20lg(5+10)+20lg 150 = 99.5dB 由上式求菲涅尔区半径x1为 由图2-5 查得附加损耗(x/x1-1)为16.5dB, 因此电波传播的损耗L为L = Lts+16.5 = 116.0dB多普勒频移 基站天线有效高度 hb=200m，移动台天线高度hm3m准平滑地形市区的传播损耗中值LT为假定某个系统是一个前向信道带宽为50MHz的TDMA/FDD系统，并且将50MHz分为若干个200kHz的无线信道。当一个无线信道支持16个语音信道，并且假设没有保护频隙时，试求出该系统所能同时支持的用户数。解 同时用户数为： N（50MHz / 200kHz）*16=4000 FDMA多址方式是一种基本的多址方式，它靠不同的子频带来区分用户，其技术成熟、应用广泛。但是，单纯的FDMA方式存在频率利用率低、基站收发信机数量大、互调干扰严重等问题。 TDMA多址方式靠不同的子时隙来区分用户，它将时间划分成周期性的帧，每一帧分成若干时隙，这样一个载频就含有多个信道，从而一个载频可供多个用户工作，基站的收发设备数量减少，其互调干扰也就大大减小。 CDMA多址方式靠不同的正交码型来区分用户，它是在同频、同时条件下，各个接收机根据信号码型之间的差异分离出需要的信号。语音编码技术的两个主要研究方向: 降低语音编码速率 提高语音质量语音编码技术是将语音波形通过采样、量化，然后用二进制码表示，即A/D转换，然后在信道中传输；语音编解码技术主要分为:波形编码 参数编码 混合编码GSM语音编码采用规则脉冲激励长期预测编码(RPE-LTP)v LPC编码器的不足 损失了语音的自然度，即音质 抗噪声干扰能力较弱 谱包络的估计值可能产生较大失真v 原因：LPC没有将发端模型的误差传送到收端v LPC改善方法：采用更复杂的激励模型（规则脉冲激励）利用一部分余数信息（误差传送到收端）通过调制解调可以实现以下的主要功能： (1)便于传输：将所需传送的基带信号进行频谱搬移至相应频段的信道上以便于传输； (2)抗干扰：调制后具有较小的功率谱占用率（即功率的有效性），要求功率谱主瓣占有尽可能多的信号能量，具有快速滚降特性，带外衰减大，旁瓣小，从而提升抗干扰能力； (3)提高系统有效性：单位频带内传送尽可能高的信息率(bit/s/Hz)，即提高频谱有效性。 仙农公式表明，在给定的传输速率C不变的条件下，频带宽度W和信噪比SN是可以互换的。即可通过增加频带宽度的方法，较低的信噪比SN情况下，传输可靠的信息。2GSM网络识别用户是通过用户终端的IMSI码分集接收技术是一项主要的抗衰落技术，它可以大大提高多径衰落信道下的传输可靠性，其本质就是采用两种或两种以上的不同方法接收同一信号以克服衰落，其作用是在不增加发射机功率或信道带宽的情况下充分利用传输中的多径信号能量，以提高系统的接收性能。 Gsm 900M上行 下行 1800M频段 上行 下行同频干扰C/I：GSM规范中一般要求C/I9dB；工程设计中一般加3dB余量，即要求C/I12dB。邻频干扰C/A：GSM规范中一般要求C/A-9dB。CDMA的前向信道包括l路导频信道、1路同步信道、最多7路寻呼信道和55路前向业务信道。W0用作导频信道，W32为同步信道，W1是首选的寻呼信道，W2，W7用作寻呼信道，其他用作业务信道。前向反向传输 CDMA2000-1X前向功率控制 CDMA2000-1X系统采用了最高速率800Hz的前向快速闭环功率控制CDMA2000-1X的内环功率控制由移动台测量前向信道的Eb/N0，如果大于Eb/N0门限值，就命令基站降低对它的信号发射功率，反之则要求基站增加功率。外环功率控制由移动台测 量误帧率(FER)，如果大于门限，就提高Eb/N0门限 值，否则就降低Eb/N0门限值。 前向功率控制比特在反向功率控制子信道上发送。反向闭环功率控制包括内环和外环控制两部分， l 内环控制移动台反向导频信道的每码片能量和噪声功率谱密度之比(Ec/Io)尽可能接近目标值。 l 外环则根据帧质量等指标的测量结果调整各移动台的Ec/Io 目标值。简述软切换过程q 软切换过程与导频状态变化（示意图）（1）导频强度超过T_ADD,MS将其加入候选集并上报BS；（2）BS命令MS将该导频加入有效集；（3）导频强度小于T_