FLASH命名规则.doc

今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack45. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE67. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V3.6VB : 2.7V (2.5V2.9V)C : 5.0V (4.5V5.5V)D : 2.65V (2.4V 2.9V)E : 2.3V3.6VR : 1.8V (1.65V1.95V)Q : 1.8V (1.7V 1.95V)T : 2.4V3.0VU : 2.7V3.6VV : 3.3V (3.0V3.6V)W : 2.7V5.5V, 3.0V5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. 12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free) G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 15 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K9GAG08U0M-PCB0123456789101112131415161718K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal45. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. 12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。Hynix 海力士H 2 7 X X X X X X X X X - X X(1) HYNIX(2) PRODUCT FAMILY(4) POWER SUPPLY(VCC)(8) NAND CLASSIFICATION(7) ORGANIZATION(14) BAD BLOCK(11) PACKAGE TYPE2 : FlashS: SLC + Single Die + Small BlockA: SLC + Double Die + Small BlockB: SLC + Quadruple Die + Small BlockF: SLC + Single Die + Large BlockG: SLC + Double Die + Large BlockH: SLC + Quadruple Die + Large BlockJ: SLC + ODP + Large BlockK: SLC + DSP + Large BlockT: MLC + Single Die + Large BlockU: MLC + Double Die + Large BlockV: MLC + Quadruple Die + Large BlockW: MLC + DSP + Large BlockY: MLC + ODP + Large BlockC: Included Bad BlockE: 15 Bad Block IncludedM: All Good BlockI: TSOP1B: WSOPS: USOPP: LSOP1T: FBGAV: LGAS: WLGAN: VLGAF: ULGAX: WaferM: PGD1 (chip)Y: KGDU: PGD2W: 1stC: 2ndK: 3rdD: 4thMABC(5), (6) DENSITY1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read DisableD: Dual Interface; Sequential Row Read DisableF: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disablemicron镁光nand命名规则/support/designsupport/documents/pngStandard NAND Flash Part Numbering SystemMicrons part numbering system is available at Standard NAND Flash*MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : AMicron Technology Design Revision (shrink)A = 1st design revision1. Single-Supply Flash29F = Single-Supply NAND Flash Production Status29H = High Speed NAND Blank = ProductionES = Engineering samples2. Density QS = Qualification samples1G = 1Gb MS = Mechanical samples2G = 2Gb4G = 4Gb Operating Temperature Range8G = 8Gb Blank = Commercial (0C to +70C)16G = 16Gb ET = Extended (40C to +85C)32G = 32Gb WT = Wireless (25C to +85C)64G = 64Gb128G = 128Gb Block Option (Reserved for use)256G = 256Gb Blank = Standard device3. Device Width Flash Performance08 = 8 bits Blank = Full specification16 = 16 bits4. Speed Grade (MT29H Only)Classification 15 = 133 MT/s12 = 166 MT/s5. Mark Bit/cell Die RnBA SLC 1 1 Package CodeB SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free)C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free)D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD)J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP)C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP)M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP)N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)P MLC 2 1 SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free)Q MLC 2 2R MLC 2 2 Generation (M29 only)/Feature SetT MLC 4 2 A = 1st set of device featuresU MLC 4 2 B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set)V MLC 4 + 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different)W MLC 8 4 D = 4th set of device features (rev only if different)Y MLC 8 4 etc.6. Operating Voltage RangeA = 3.3V (2.703.60V), VccQ 3.3V (2.703.60V)B = 1.8V (1.701.95V)C = 3.3V (2.703.60V), VccQ 1.8V (1.701.95V)*Contact Micron for help differentiating between standard and next-generation NAND offerings三星内存颗粒 编码规则：K4XXXXXXXX-XXXXX 主要含义： 第1位芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位芯片类型4，代表DRAM。 第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位连线“-”。 第14、15位芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 / Micron内存颗粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MTMicron的厂商名称。 48内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）8位数据宽度。 A2内存内核版本号。 TG封装方式，TG即TSOP封装。 -75内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M4bit16片/8=256MB（兆字节）。 / 西门子内存颗粒 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5表示该内存的工作频率是133MHz； -8表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）8片/8=128MB（兆字节）。 / Kingmax内存颗粒 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空间4位数据宽度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空间8位数据宽度； KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空间4位数据宽度； KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空间8位数据宽度； KSV864T4XXX128Mbits，8M地址空间16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7APC133/CL=2； -7PC133/CL=3； -8APC100/CL=2； -8PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）16片/8=128MB（兆字节）。 内存颗粒编号与内存品牌知识介绍 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 / HY颗粒编号 HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：