半导体期中考材料.doc

填空题1、单胞是基本的、不唯一的单元。（ X）2、电子所处能级越低越稳定。 （ V ）3、无论是自由电子还是晶体材料中的电子，他们在某处出现的几率是恒定不变的。（ X ）4、族杂质在Si、Ge晶体中为深能级杂质。（X） 5、受主杂质向价带提供空穴成为正电中心。（X）6、空穴占据费米能级的概率在除绝对零度外各种温度下总是1/2。（V） 7、对不同的半导体材料，费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。（V） 8、按半导体结构来分，应用最为广泛的是（金刚石型）。9、写出三种立方单胞的名称，并分别计算单胞中所含的原子数。简立方、体心立方、面立方 1、2、410、计算金刚石型单胞中的原子数。6*1/2+8*1/8=3+1=411、杂质处于两种状态：（中性态）和（离化态）。12、空位表现为（ 受主 ）作用，间隙原子表现为（施主）作用。13、以Si在GaAs中的行为为例，说明族杂质在化合物中可能出现的双性行为.答：Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用； Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用。14、实际情况的半导体材料与理想的半导体材料有何不同？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 （2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。15、为什么电子分布在导带底，空穴分布在价带顶？ 16、能量为E的一个量子态被一个空穴占据的概率为 答案是1-f(E)。 其中 最终结果可看书上71页 第一章1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： （1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据： 得 第二章7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数er=17，电子的有效质量 =0.015m0, m0为电子的惯性质量，求施主杂质的电离能，施主的弱束缚电子基态轨道半径。8. 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数er=11.1，空穴的有效质量m*p=0.86m0,m0为电子的惯性质量，求受主杂质电离能；受主束缚的空穴的基态轨道半径。第三章1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T5. 利用表3-2中的m*n，m*p数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC , NV以及本征载流子的浓度。Nc(立方厘米)Nv(立方厘米)ni1.05E+19Ge3.91E+18Ge1.50E+13Ge2.81E+19Si1.14E+19Si6.95E+09Si4.44E+17GaAs8.08E+18GaAs1.90E+06GaAs6. 计算硅在-78 oC，27 oC，300 oC时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？ 相比较300K时Si的 Eg=1.12eV 所以假设本征费米能级在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。7. 在室温下，锗的有效态密度Nc=1.051019cm-3，NV=3.91018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*n m*p。计算77K时的NC 和NV。 已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。77K时，锗的电子浓度为1017cm-3 ，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？ 8. 利用题 7所给的Nc 和NV数值及Eg=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度ND=51015cm-3，受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？ 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3，,1018 cm-3，1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下面0.05eV。 10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。 11. 若锗中施主杂质电离能DED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？Ec-EdNcD-Ndln(Nc*D-/2/Nd)T0.011.05E+190.011.00E+146.26 18.53 Ge0.011.05E+190.11.00E+148.57 13.55 Ge0.011.05E+190.51.00E+1410.18 11.41 Ge0.011.05E+190.011.00E+17-0.64 -180.16 Ge0.011.05E+190.11.00E+171.66 70.01 Ge0.011.05E+190.51.00E+173.27 35.53 Ge12. 若硅中施主杂质电离能DED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3， 1018cm-3。计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？Ec-EdNcD-Ndln(Nc*D-/2/Nd)T0.042.80E+190.011.00E+154.94 93.97 Si0.042.80E+190.11.00E+157.24 64.10 Si0.042.80E+190.51.00E+158.85 52.45 Si0.042.80E+190.011.00E+18-1.97 -236.18 Si0.042.80E+190.11.00E+180.34 1380.05 Si0.042.80E+190.51.00E+181.95 238.63 Si13. 有一块掺磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分别计算温度为77K；300K；500K；800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）14. 计算含有施主杂质浓度为ND=91015cm-3，及受主杂质浓度为1.11016cm3，的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 15. 掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算300K；600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。 16. 掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子 和立方米51022铟的锗材料，分别计算300K；600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。 17. 施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。18. 掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。19. 求室温下掺锑的n型硅，使EF=（EC+ED）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 20. 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。（1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 （2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.61015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩