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由UV vis光谱求样品的Eg 一半导体禁带求导公式 通常 ahv 是有单位的 eV 1 2 cm 1 2或 eV 1 2 cm 1 2 由上述公式可知 ahv 1 2和 ahv 2只与hv成线性关系 能用于估算Eg 由朗伯 比尔定律知 A abc a是吸光系数 b是比色皿或者薄膜样品厚度 c是浓度 b c是固定值 a A bc A K 禁带公式可写成如下形式 K值的大小对Eg没有影响 以hv为横坐标 以或为纵坐标 作图 再做切线 即可得到Eg hv用1024 波长代替 前者为直接半导体禁带宽度值 后者为间接半导体禁带宽度值 A Absorbance 即为紫外可见漫反射中的吸光度 Kubelka Munk公式 A lg R 1 F r 1 R 2 2R a s 2 R为反射率 a吸收系数 s反射系数求禁带宽度 利用第一个公式求每个吸光度对应的R 用E 1240 波长 做横坐标 利用第二个公式求F R 再用做纵坐标 做图 再做切线 即得带隙图谱 二求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell 然后进行数据处理 下面用第一个公式进行数据处理 下面用Kubelka Munk公式处理 三关于K值大小对结果的影响 同一组数据在不同的处理方法下得到的Eg 以下也是这一组数据的处理 由上图可见 密度 厚度等因素影响K的大小 但并不影响所求的Eg 由UV vis光谱求样品的Eg 一半导体禁带求导公式 通常 ahv 是有单位的 eV 1 2 cm 1 2或 eV 1 2 cm 1 2 由上述公式可知 ahv 1 2和 ahv 2只与hv成线性关系 能用于估算Eg 由朗伯 比尔定律知 A abc a是吸光系数 b是比色皿或者薄膜样品厚度 c是浓度 b c是固定值 a A bc A K 禁带公式可写成如下形式 K值的大小对Eg没有影响 以hv为横坐标 以或为纵坐标 作图 再做切线 即可得到Eg hv用1024 波长代替 前者为直接半导体禁带宽度值 后者为间接半导体禁带宽度值 A Absorbance 即为紫外可见漫反射中的吸光度 Kubelka Munk公式 A lg R 1 F r 1 R 2 2R a s 2 R为反射率 a吸收系数 s反射系数求禁带宽度 利用第一个公式求每个吸光度对应的R 用E 1240 波长 做横坐标 利用第二个公式求F R 再用做纵坐标 做图 再做切线 即得带隙图谱 二求半导体禁带实例 将紫外可见分光漫反射数据导入到excell 然后进行数据处理 下面用第一个公式进行数据处理 下面用Kubelka Munk公式处理 三关于K值大小对结果的影响 同一组数据在
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